結合IBM半導體專利　格羅方德戰力大增

　　IBM半導體技術部門收歸格羅方德后，由于格羅方德在晶圓代工領域占有重要的地位，目前市占已為全球第二，再加上IBM產能，未來是否能夠改變全球晶圓代工的版圖，值得討論及觀察。2013年晶圓代工排名如表3所示，第一名為臺積電，市占46.3%，格羅方德再加上IBM，市占則為11.1%，合并之后不論在市占、營收等方面依舊難以撼動臺積電。但筆者相信，格羅方德愿意與IBM結合，所覬覦的絕不是IBM IC制造的產能，或是對自家公司市占的提升，而是IBM的專利與研發能力。

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　　以目前立體鰭式電晶體(3D-FinFET)研發為例，即可窺探出IBM的研發能量。為解決過去平面式電晶體漏電流的問題，發展出立體式的電晶體結構，FinFET(英特爾(Intel)稱之為Tri-Gate)。目前全球在FinFET設計與制程技術開發的競爭中，英特爾仍為領導廠商，而至今可與英特爾一較高下的，非IBM莫屬。

　　IBM與英特爾制程技術上最大的差異，則是使用絕緣層覆矽(Silicon On Insulator, SOI)基板，雖然SOI基板較英特爾所使用的塊狀基板(Bulk Substrate)成本高出許多，但SOI可大幅減少制程步驟，以及降低操作電壓達到低功耗晶片的制作效益。 由此可知，IBM所具有的研發能力不可小覷，關于英特爾與IBM的FinFET電晶體剖面圖比較如圖2所示，目前兩種不同的基板各有優缺點，誰可勝出，仍需要時間以及市場上的驗證。

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　　圖2　IBM的SOI基板(左)與英特爾的14奈米(右) FinFET切面圖比較

　　另外值得一提的是格羅方德藉由這一樁合并案，將具有優先使用IBM與位于美國紐約州Albany奈米科學暨工程學院(Colleges of Nanoscale Science and Engineering, CNSE)共同研發專案結果的權利，其中令人矚目的是IBM將與CNSE共同開發的下世代微影技術。

　　那么在兩家不同企業技術整合方面，目前格羅方德14奈米FinFET制程技術的主要來源為三星電子(Samsung Electronics)，未來IBM與格羅方德在FinFET技術的發展方向應該會朝向于支援與整合三星電子的技術，一加一是否大于二?仍有待后續觀察。

　　但一切事情真會如此的順利?格羅方德可同時取得眾多且強有力的專利權，再加上產能的挹注，卻無任何的阻礙或是門檻嗎?想當然耳，事實絕不會如此的順利。不同公司合并，最大的鴻溝為企業文化差異如何融合。

　　過去歷史上，許多重大合并案的失敗原因，皆是來自于企業文化上協調不順利，導致無法發揮兩者結合的最大綜效，因此這次格羅方德是否可以順利融合IBM的技術與人才，相信將會是接下來發展的最大考驗。

　　文化融合問題待解　新半導體巨人猶未可知

　　IBM曾為半導體科技發展的一方霸主，雖然目前仍有許多研發成果與技術引領全球，但由于半導體產業發展需具有規模經濟且不斷投資先進制程、產能的特性，IBM半導體事業群在此方面落后于其他競爭廠商許多，并于2013年時虧損擴大至7億美元，故IBM急欲脫手半導體事業群。

　　此消息一傳出，各大半導體廠商如臺積電、格羅方德等廠商躍躍欲試，心中盤算著接收IBM眾多先進技術與專利的同時，亦必須接收虧損不小的生產工廠，這樣的條件對自家企業未來發展是否有利?最后則由IBM附帶15億美元的條件，將半導體事業群與微電子業務交付予格羅方德，達成初步協議(因未來合并仍需美國與各國主管機關的同意)。

　　未來IBM將會以科技、商業與軟體服務等為公司主要業務，加速脫離硬體的制造生產。技術發展方面，則以新技術與新材料為發展方向，相信未來在科技研發的道路上仍舊可以看到IBM的影子。

　　格羅方德與IBM的合并未來對臺灣晶圓代工產業是否會造成影響，最大的觀察重點應該是在這兩家企業文化的融合是否順利。過去失敗的企業合并個案，大部分顯示出企業文化上的協調與融合不順利。臺灣必須持續關注未來發展并及早作出因應措施。

　　一顆巨星的殞落，或許代表著新星的興起，未來IBM在沒有硬體制造的包袱之下，是否可全心致力于技術、材料等創新，再一次引領半導體技術的發展，就讓我們拭目以待。