GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺，成為全球第一家實現22nmFD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。

　　FD-SOI技術仍然采用平面型晶體管，目前并不為業內看好，因為無論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術，22nm上只能繼續改進平面型，20nm上努力了一陣放棄，14nm索性直接借用三星的。盡管如此，GF22nmFD-SOI工藝也是有一些獨特優勢的，雖然無法制造高性能芯片，但也很適合移動計算、IoT物聯網、射頻聯網、網絡基礎架構等領域。

　　GlobalFoundries宣稱，該工藝功耗比28nmHKMG降低了70%，芯片面積比28nmBulk縮小了20%，光刻層比FinFET工藝減少接近50%，芯片成本比16/14nm低了20%，而且功耗超低，電壓可以做到業界最低的0.4V，并可通過軟件控制晶體管電壓，還集成了RF射頻，功耗降低最多50%。甚至，它可以提供類似FinFET工藝的性能。哪些半導體公司會成為22nmFD-SOI的嘗鮮者呢?

　　GF22nmFD-SOI工藝將于2016年下半年在德國德累斯頓工廠投產，為此已投資2.5億美元。ARM、Imagination、意法半導體、飛思卡、VeriSilicon、IBS、Semeria、Soitec等都表達了支持，將會采納。

　　意法半導體CEOJean-MarcChery表示：GLOBALFOUNDRIES的FDX平臺，使用的先進FD-SOI晶體管結構是我們長期的合作研究而來的，能滿足IoT對always-on和低功耗的需求，以及其它功耗敏感的設備的需求。

　　飛思卡爾的MCUgroupVPRonMartino表示：飛思卡爾的下一代i.MX系列應用程序處理器利用FD-SOI工藝實現低功耗。GLOBALFOUNDRIES22FDX平臺將FD-SOI擴展到28nm以下，對成本和功耗都帶來顯著優化。

　　ARM物理設計部總經理WillAbbey表示：我們正在與LOBALFOUNDRIES密切合作,提供客戶所需的IP生態系統，幫助他們從22FDX技術中獲益。

　　VeriSilicon總裁兼首席執行官戴偉民表示：VeriSilicon已經擁有利用FD-SOI技術實現IoTSoC的經驗，我們已經通過FD-SOI實現超低功耗的應用。我們期待與GLOBALFOUNDRIES在22FDX繼續合作。

　　ImaginationTechnologies營銷副總裁TonyKing-Smith指出：GLOBALFOUNDRIES的22FDX與Imagination的廣泛IP組合結合后會賦予我們共同的客戶更多創新設計，這些IP包括PowerVR多媒、MIPSCPU和Ensigma通信。

　　IBS公司創始人兼首席執行官HandelJones表示，FD-SOI技術可以提供一個多節點、低成本方案，GLOBALFOUNDRIES的22FDX在一個低成本平臺上實現了FD-SOI技術的最低功耗。

　　CEA-Leti公司首席執行官Marie-NoelleSemeria表示，只需要對現有設計和制造方法進行微小調整，FD-SOI就能顯著改善性能和功耗。我們可以共同為相關技術提供易用的設計和制造技術。

　　“Soitec首席執行官PaulBoudre表示，對下一代的低功耗電子產品來說，這是一個關鍵的里程碑。作為GLOBALFOUNDRIES的戰略合作伙伴，我們的超薄SOI襯底已經準備好應對22FDX技術量產。