半導體產業龍頭英特爾(Intel)日前宣布與中國的大連市政府配合，將原先以65奈米制程生產處理器晶片的中國大連廠，轉型為生產最新的3D-NAND Flash 晶片，總投資金額高達55億美元，預計于明年下半年開始量產。

　　根據TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新公布數據，2015年整體中國市場NAND Flash總消耗量換算產值高達66.7億美元，占全球產值29.1%，明年更可望達到全球NAND Flash產量的三分之一，成長幅度十分驚人。

　　DRAMeXchange研究協理楊文得表示，英特爾大連廠在2010年完工，原先規劃以12寸晶圓搭配65奈米制程來生產中央處理器為主，但經營績效不如預期。此次轉型生產最先進的3D-NAND Flash，除了可以提升大連廠的生產績效外，也可望搭上中國記憶體消耗量起飛的快速成長期，以及最重要的配合中國政府積極投入記憶體產業的大趨勢，可謂是雙贏的布局。

　　根據英特爾投資金額與大連廠的產能建置來評估，DRAMeXchange初步預估每個月至少可布建30,000-40,000片的3D-NAND Flash。英特爾在與美光共同開發3D-NAND Flash以及3D X Point等戰略合作關系更加緊密的情況下，新增的大連廠3D-NAND Flash產能將提供美光英特爾陣營更有彈性的產能規劃，來滿足高成長的固態硬碟需求。

　　楊文得進一步表示，NAND Flash市場在今年第四季到明年第一季供過于求的格局將不會產生變化，但在NAND Flash產業低檔時刻，中國政府仍積極加速推動中國本土NAND Flash與SSD供應鏈的布建(中國模組大廠江波龍與主控芯片廠Marvell戰略合作、武漢新芯持續加速3D-NAND Flash的開發等)，并加強透過與國際NAND Flash大廠合作的串聯契機(三星西安廠3D-NAND Flash產能明年可望提升每個月10萬片的水準)，預期未來英特爾大連廠明年下半年完工后，中國NAND Flash市場將更為百花齊放。