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Mentor對臺積電Reference Flow 10.0中的工具和技術進行擴展

作者: 時間:2009-08-20 來源:電子產品世界 收藏

   Graphics公司( Graphics Corporation)今日宣布,公司已對臺積電 10.0中的工具和技術進行擴展。擴展的®流程支持復雜的集成電路高級功能驗證、28nm 集成電路 netlist-to-GDSII實現、與無處不在的®物理驗證和DFM平臺更加緊密的集成和版圖感知測試故障診斷工具。此外,新推出的Mentor流程還以Mentor工具解決功能驗證、集成電路實現和集成電路測試中的低功耗設計問題。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/97361.htm

  “Mentor Graphics繼續擴大系列產品的范圍,從系統級到功能驗證、布局布線、物理驗證和硅片測試,再到提供新的解決方案,如低功耗、工藝多變性和硅片良品率分析,力爭使其覆蓋整個集成電路設計周期”,臺積電設計架構市場部高級總監莊少特表示。

   10.0 Mentor流程新增添了許多功能,包括臺積電Reference Flow中的首個Mentor實現解決方案,即™布局布線系統。對于高級的集成電路實現,系統的新功能成功解決了片上變異、28nm布線和低功耗設計問題:

  • 高級階段OCV分析和優化——設置不同階段的OCV數值,幫助減少失敗率,實現更快的設計收斂。
  • N28布線規則——為整個netlist-to-GDSII流程提供28nm支持,包括支持28nm transparent half-node。
  • 分離式Power Domain——支持在同一電壓域設多個floor plan,以最大程度減少擁擠程度和層次化修改。
  • UPF層次化低功耗自動化——為基于UPF的低功耗設計提供top-down和自bottom-up的支持,賦予設計師更多靈活性。

  對平臺內的DFM功能進一步擴展和集成,以解決28nm級或更高級別的工藝多變性問題

  • 光刻熱點修復——利用Olympus-SoC布局布線工具自動修復 LFD™檢測到的光刻熱點來提高良品率。
  • 快速收斂解決金屬填充時序和ECO——Olympus-SoC系統調用Calibre CMPAnalyzer工具(配合臺積電的VCMP仿真器工作)來分析厚度變異對時序的影響。Olympus-SoC工具還支持層次化、遞增和時序驅動金屬填充流程,極大地提高了良品率,降低了失敗率。
  • Cell-index感知布局——為管腳難以處理的模塊分配更多空間,降低擁擠程度,加速布線。
  • 電氣DFM——集成Calibre xRC™和Calibre CMPAnalyzer產品,允許將仿真厚度信息合并到寄生參數提取結果中,以驅動精確的電路仿真。它還將統計性寄生參數信息發送給Mentor Eldo®電路仿真器,為更高效的邊角仿真和統計分析提供解決方案。

  此外,Calibre nmDRC和Calibre nmLVS產品還支持Reference Flow 10.0封裝(SIP)設計中的2D和3D系統sign-off物理驗證。

  Reference Flow 10.0加入了®和™產品的新特性,用于更好的缺陷檢測、功耗感知測試和故障診斷:

  • 嵌入式多檢測ATPG——提高橋接缺陷檢測,而不增加樣式大小或測試時間。
  • 版圖感知診斷——減少錯誤的橋接/開路疑點,提高診斷精度,為有效的良品率分析建立基礎。
  • 低功率ATPG——利用恒定解壓器和現有時鐘門控功耗感知控制,降低掃描測試所有階段的功耗。

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