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MOSFET、IGBT是開關(guān)電源最核心也是最容易燒壞的器件!其原因大多是過壓或過流導(dǎo)致功耗大增,從而使器件損壞,甚至可能會(huì)伴隨爆炸。而SOA安全工作區(qū)測(cè)試,就是保障其安全工作的重要測(cè)試項(xiàng)目!......
對(duì)于大功率工業(yè)系統(tǒng)(如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和光伏逆變器)以及汽車系統(tǒng)(包括電動(dòng)汽車 (EV) 充電器、牽引逆變器、車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器)而言,故障檢測(cè)機(jī)制必不可少。故障檢測(cè)通過電流、電壓和溫度測(cè)量來診斷系統(tǒng)內(nèi)的任何交流電源......
該文描述了引起功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通的機(jī)制,并進(jìn)一步指出為了避免寄生導(dǎo)通,在選取MOSFET時(shí)應(yīng)遵循什么準(zhǔn)則。......
在開關(guān)電源電路中,MOSFET作為最核心的器件,卻也是最容易發(fā)熱燒毀的,那么MOSFET到底承受了什么導(dǎo)致發(fā)熱呢?本文來帶你具體分析。MOSFET工作原理什么是MOSFET?MOSFET是全稱為Metal-Oxide-S......
本文列舉出目前電子雷管控制模塊中采用的儲(chǔ)能電容基本類型,包括固態(tài)鋁電解電容和鉭電容等,并對(duì)應(yīng)用所關(guān)注的儲(chǔ)能容值、漏電流、耐壓、溫度特性,等效串聯(lián)電阻(ESR)以及綜合安全性等方面進(jìn)行比較和分析。經(jīng)對(duì)比結(jié)果和綜合性能、成本......
問題:如何選擇合適的射頻放大器,不同射頻放大器之間有何區(qū)別?答案:為具體應(yīng)用選擇合適的射頻放大器時(shí),應(yīng)考慮增益、噪聲、帶寬和效率等特性。本文將評(píng)述最常用的射頻放大器,并說明增益、噪聲、帶寬、效率和各種功能特性如何影響不同......
本文中設(shè)計(jì)一套針對(duì)中頻,簡(jiǎn)易的模塊化幅頻特性分析儀實(shí)驗(yàn)裝置。根據(jù)正交乘積法測(cè)量頻率特性曲線的原理,采用Tiva C LaunchPad單片機(jī)評(píng)估板做主控制器,控制DDS芯片AD9854產(chǎn)生正交掃頻信號(hào),采用模擬乘法器AD......
本文提出利用同一臺(tái)指針式萬用電表的兩個(gè)相鄰電壓擋,準(zhǔn)確測(cè)算負(fù)載端電壓和電源的電動(dòng)勢(shì)及其內(nèi)阻的方法;介紹用兩個(gè)相鄰電流擋準(zhǔn)確測(cè)算負(fù)載電流和電源電動(dòng)勢(shì)及其內(nèi)阻的方法,統(tǒng)稱為雙測(cè)法。該方法排除了由于電源內(nèi)阻的壓降和電壓表的分流......
新興的新太空領(lǐng)域更令人興奮的一件事是發(fā)射大量近地軌道(LEO)衛(wèi)星,這些衛(wèi)星體積較小且經(jīng)濟(jì)可行,同時(shí)還具有抗輻射性和可靠性,增強(qiáng)了世界范圍內(nèi)的通信和連接。在以前的衛(wèi)星領(lǐng)域,大多數(shù)任務(wù)都在距地球高達(dá)22,236英里的地球同......
IGBT作為功率設(shè)備的核心器件,在電力電子工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。為了進(jìn)一步了解電壓應(yīng)力對(duì)IGBT模塊的影響,本文搭建了實(shí)驗(yàn)樣機(jī)(選用3代IGBT采用T型三電平拓?fù)洌~定輸出線電壓315 V,電流230 A,設(shè)計(jì)輸入電壓范圍5......
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