coolsic mosfet 650v g2 文章
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l 前言
絕緣柵場效應晶體管(IGBT)作為一種復合型器件，集成了MOSFET的電壓驅動和高開關頻率及功率管低損耗、大功率的特點，在電機控制、開關電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領域中有著廣泛的應用。本文對應用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專有EXB84l型驅動器的設計進行討論，并提出一種具有完善保護功能的驅動電路。
有源電力濾波器設計中應用4個IGBT作為開關，并用4個EXB84l組成驅動電路，其原理如圖l所示。在實驗中，根據補償電流與指令電流的關系，用數字信號處理器(DSP
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IGBT MOSFET 場效應晶體管 電源
全球能源需求的不斷增長以及環境保護意識的逐步提升使得高效、節能產品成為市場發展的新趨勢。為此，電源|穩壓器管理芯片、MOSFET等功率器件越來越多的應用到整機產品中。在整機市場產量不斷增加以及功率器件在整機產品中應用比例不斷提升的雙重帶動下，中國功率器件市場在2007-2011年將繼續保持快速增長，但由于市場基數的不斷擴大，市場增長率將逐年下降。預計到2011年時中國功率器件市場銷售額將達到1680.4億元，2007-2011年中國功率器件市場年均復合增長率為19.1%。這其中電源管理IC、MOSFE
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模擬技術 電源技術 MOSFET 芯片 IC 元件 制造
功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關斷能力,而且有驅動功率小,開關速度高、無二次擊穿、安全工作區寬等特點。由于其易于驅動和開關頻率可高達500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應用于DC/DC變換、開關電源、便攜式電子設備、航空航天以及汽車等電子電器設備中。但因為其電流、熱容量小，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置。
一、電力場效應管的結構和工作原理
電力場效應晶體管種類和結構有許多種，按導電溝道可分為P溝道和N溝道，同時
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MOSFET 半導體材料
功率半導體器件的應用迄今已有50年歷史，自上世紀80年代以來，隨著新型功率半導體器件尤其是電源管理芯片的蓬勃發展，功率器件極大地拓展了應用領域。全球各大廠商也不失時機地加大研發力度，占領市場高地。
發展功率半導體產業迫在眉睫
目前，我國功率半導體企業生產條件和產品大都停留在國外上世紀70年代的水平。有個別集成電路企業制造一些小電流低檔老產品的VD-MOSFET，IGBT、平面型快恢復和超快恢復二極管完全不能制造。因此，我國市場用的功率器件約90%依賴進口，其余約10%低檔產品是自己制造的。
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模擬技術 電源技術 功率 半導體 VD-MOSFET 模擬IC 電源
引 言
功率場效應管MOSFET是一種單極型電壓控制器件，它不但具有自關斷能力，而且具有驅動功率小，關斷速度快等優點，是目前開關電源中常用的開關器件。采用MOSFET 控制的開關電源具有體積小、重量輕、效率高、成本低的優勢，因此，較適合作儀器電源。本文給出了一種由MOSFET 控制的大范圍連續可調(0～45V) 的小功率穩壓電源設計實例。
總體結構與主電路
圖1 為該電源的總體結構框圖。工作原理如下：
圖1 原理方框圖
全橋整流電路將電網電壓220V
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消費電子 MOSFET 功率場效應管 PWM 電源
隨著制造技術的發展和進步，系統設計人員必須跟上技術的發展步伐，才能為其設計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統中的基本部件，工程師需要深入了解它的關鍵特性及指標才能做出正確選擇。本文將討論如何根據RDS(ON)、熱性能、雪崩擊穿電壓及開關性能指標來選擇正確的MOSFET。 MOSFET的選擇 MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統中，MOSFET可被看成電氣開關。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關導通。導通時
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MOSFET 元件 制造
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高輸入電源電壓 (100V) 同步 MOSFET 驅動器 LTC4444，該器件用于在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端功率的 N 溝道 MOSFET。這個驅動器可與功率 MOSFET 以及凌力爾特公司的很多 DC/DC 控制器一起組成完整的高效率同步轉換器。 這個強大的驅動器可采用 1.2Ω 的下
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嵌入式系統 單片機 凌力爾特 MOSFET LTC4444 模擬IC
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅動器 LTC4442/-1，該器件用來在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這種驅動器與凌力爾特公司很多 DC/DC 控制器組合使用時，可組成完整的高效率同步穩壓器，該穩壓器可用作降壓或升壓型 DC/DC 轉換器。
這個強大的驅動器可以吸收高達
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模擬技術 電源技術 凌力爾特 MOSFET 驅動器 模擬IC
當今的小型家電，如洗碗機、烘干機、電爐等用開關電源代替了體積笨重的線性電源。工程師對這些電流從50mA~1A的電源進行了測試，一般使用電阻或標準現成的電負載。工程師會使用各種大功率電阻來檢驗多種負載條件以滿足合適的設計。多數標準的電負載都是針對平均300W功率的。在測量50mA ~ 300mA電流時，顯示結果并不準確，多數顯示為0.1A，那樣低的電流不能保證精度。還可以使用圖1中的簡單雙恒流負載設計，這種設計可以利用廉價的通用元件來構建電路。
負載電流流過MOSFET和一個 1Ω
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模擬技術 電源技術 雙恒流載荷 MOSFET 運算放大器 放大器
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 再次榮獲《今日電子》雜志的十大 DC-DC 2007產品大獎，獲評審小組肯定而勝出的產品是飛兆半導體全面優化的集成式12V驅動器加MOSFET功率級解決方案FDMF8700。飛兆半導體的30V同步降壓轉換器芯片組FDS6298和FDS6299S則于2006年獲得相同獎項。 FDMF8700將驅動器IC和兩個功率MOSFET集成在一個節省空間的8mm x 8mm的56腳M
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消費電子 飛兆半導體 FDMF8700 MOSFET 消費電子
飛兆半導體公司(FairchildSemiconductor)近日推出全新的高效N溝道MOSFET系列，提供高達8kV的ESD(HBM)電壓保護，較市場現有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護應用(如筆記本電腦和手機)的最新架構。利用飛兆半導體的PowerTrench工藝，這些低導通阻抗(RDS(ON))MOSFET(包括RDS(ON)低于5mOhm的FDS8812NZ)能夠降低傳導損耗并且延長寶貴的電池壽命。它們還提供堅固穩健的抗雪崩和抗峰值電流能力，確保電池組在意外的電壓尖峰沖擊下
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嵌入式系統 單片機 飛兆 MOSFET FDS881XNZ 嵌入式
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的高效N溝道MOSFET系列，提供高達8kV 的ESD (HBM) 電壓保護，較市場現有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護應用 (如筆記本電腦和手機) 的最新架構。利用飛兆半導體的Power Trench®工藝，這些低導通阻抗 (RDS(ON)) MOSFET (包括RDS(ON)&
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模擬技術 電源技術 飛兆半導體 MOSFET ESD 模擬IC 電源
1 引言
人類的經濟活動已經到了工業經濟時代，并正在轉入高新技術產業迅猛發展的時期。電源是位于市電（單相或三相）與負載之間，向負載提供優質電能的供電設備，是工業的基礎。
電源技術是一種應用功率半導體器件，綜合電力變換技術、現代電子技術、自動控制技術的多學科的邊緣交叉技術。隨著科學技術的發展，電源技術又與現代控制理論、材料科學、電機工程、微電子技術等許多領域密切相關。目前電源技術已逐步發展成為一門多學科互相滲透的綜合性技術學科。他對現代通訊、電子儀器、計算機、工業自動化、電力工程、國防及某些
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模擬技術 電源技術 創新 高頻 MOSFET 模擬IC 電源
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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MOSFET 德州儀器
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