coolsic mosfet 650v g2 文章最新資訊

英飛凌CoolSiC碳化硅MOSFET獲豐田bZ4X車型采用

英飛凌宣布，其碳化硅功率半導(dǎo)體器件被豐田新款純電動(dòng)車型 bZ4X 選用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 將應(yīng)用于該車的車載充電器（OBC）與直流 - 直流轉(zhuǎn)換器（DC/DC）中。對(duì)于歐洲電子工程新聞網(wǎng)的讀者而言，這一消息清晰體現(xiàn)出碳化硅的應(yīng)用正加速突破牽引逆變器領(lǐng)域，延伸至汽車核心的功率轉(zhuǎn)換模塊；同時(shí)也凸顯出車企正愈發(fā)廣泛地采用寬禁帶半導(dǎo)體器件，以實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車快充提速、續(xù)航提升等可量化的性能優(yōu)化。碳化硅深度融入豐田電動(dòng)汽車功率電子系統(tǒng)據(jù)官方消息，豐田此次為 bZ4X 的車載充電器和直流 - 直
關(guān)鍵字：英飛凌 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 豐田 bZ4X

安森美T2PAK封裝：破局熱管理瓶頸重構(gòu)高功率生態(tài)

在電動(dòng)汽車、光伏儲(chǔ)能、AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域迎來(lái)功率需求爆發(fā)式增長(zhǎng)的當(dāng)下，熱管理已成為制約電源產(chǎn)品功率密度與效率提升的核心瓶頸。傳統(tǒng)封裝方案往往在散熱性能與開關(guān)特性之間難以兼顧，行業(yè)迫切需要兼具創(chuàng)新結(jié)構(gòu)與卓越性能的解決方案?；谶@樣的新應(yīng)用需求，安森美（ONSemi）推出采用T2PAK 頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，將業(yè)界領(lǐng)先的碳化硅技術(shù)與突破性封裝設(shè)計(jì)深度融合，為汽車和工業(yè)高功率應(yīng)用帶來(lái)性能與散熱的雙重飛躍，也折射出寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展新方向。1? ?行業(yè)趨勢(shì)驅(qū)動(dòng)：高功
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柵極氧化層在SiC MOSFET設(shè)計(jì)中的重要作用

碳化硅功率半導(dǎo)體在光伏、充電、電動(dòng)汽車等行業(yè)得到了廣泛應(yīng)用，其潛力毋庸置疑。然而，從當(dāng)前高功率碳化硅MOSFET來(lái)看，仍存在一個(gè)難題：即如何實(shí)現(xiàn)平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設(shè)計(jì)。比導(dǎo)通電阻是衡量SiC MOSFET技術(shù)先進(jìn)性的關(guān)鍵參數(shù)，但其它標(biāo)準(zhǔn)，例如可靠性，也是制約器件表現(xiàn)的重要因素。對(duì)于不同的應(yīng)用，導(dǎo)通電阻與可靠性之間的折衷也略有差異。因此，合理的器件定義應(yīng)當(dāng)保證設(shè)計(jì)靈活性，以滿足不同的任務(wù)需求，無(wú)需大量設(shè)計(jì)工作和設(shè)計(jì)布局變化。英飛凌CoolSiC?故障率比IGBT更低談到可靠性，人們往往會(huì)認(rèn)為
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碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評(píng)價(jià)的真相

在碳化硅（SiC）技術(shù)的應(yīng)用中，許多工程師對(duì)SiC的性能評(píng)價(jià)存在誤解，尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問(wèn)題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)的真相（誤區(qū)一見：碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相），并介紹英飛凌如何通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。常見誤區(qū)2：“SiC的性能主要看單位面積導(dǎo)通電阻Rsp，電阻越小，產(chǎn)品越好。與平面柵相比，溝槽柵SiC的電阻在高溫下漂移更大，這是否會(huì)影響可靠性”01多元化的性能評(píng)價(jià)更全面Rsp并非唯一評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)雖然Rsp越小
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英飛凌拓展 CoolSiC? MOSFET 750 V G2系列，提供超低導(dǎo)通電阻和新型封裝

【2026年1月12日, 德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新封裝的 CoolSiC? MOSFET 750V G2系列，旨在為汽車和工業(yè)電源應(yīng)用提供超高系統(tǒng)效率和功率密度。該系列現(xiàn)提供 Q-DPAK、D2PAK 等多種封裝，產(chǎn)品組合覆蓋在25°C情況下的典型導(dǎo)通電阻（RDS(on)）值60 mΩ。CoolSiC? MOSFET 750 V G2系列的核心特性之一是其創(chuàng)新的頂部散熱 Q-DPAK 封裝，該封裝可
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onsemi 與 FORVIA HELLA 在汽車動(dòng)力 MOSFET 領(lǐng)域進(jìn)一步展開合作

Onsemi與FORVIA HELLA延續(xù)了長(zhǎng)期的戰(zhàn)略合作，正式簽署了一項(xiàng)專注于下一代汽車動(dòng)力MOSFET技術(shù)的新長(zhǎng)期協(xié)議。該交易重點(diǎn)在于將Onsemi的PowerTrench T10 MOSFET應(yīng)用于FORVIA HELLA的先進(jìn)汽車平臺(tái)，反映出高效且可擴(kuò)展的電力設(shè)備在車輛電氣化中日益重要。這一公告具有相關(guān)意義，因?yàn)樗鼜?qiáng)調(diào)了一級(jí)供應(yīng)商和半導(dǎo)體廠商如何將功率半導(dǎo)體路線圖與新興汽車架構(gòu)（包括分區(qū)設(shè)計(jì)和軟件定義車輛）對(duì)齊。它還為設(shè)備層面的漸進(jìn)式改進(jìn)如何影響未來(lái)車輛平臺(tái)的系統(tǒng)效率和成本目標(biāo)提供了見解。Powe
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英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650V G2，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度

簡(jiǎn)介CoolSiC MOSFET G2 溝槽式 MOSFET 發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢(shì)，通過(guò)降低能量損耗來(lái)提高功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中的效率。將 SiC 性能提升到一個(gè)新水平，同時(shí)滿足所有常見電源方案組合的最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： AC-DC、DC-DC 和 DC-AC。與 Si 替代品相比，SiC MOSFET 可以在許多應(yīng)用中提供額外的性能，其中包括光伏逆變器、熱量存儲(chǔ)系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電、電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、牽引逆變器、板載充電器、DC 對(duì) DC 轉(zhuǎn)換器等。碳化硅器件必備要素 —— 立足當(dāng)下布局，引領(lǐng)未來(lái)市場(chǎng)豐富的 CoolSi
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英飛凌OptiMOS 6 80V MOSFET樹立領(lǐng)先AI服務(wù)器平臺(tái)DC-DC功率轉(zhuǎn)換效率新標(biāo)準(zhǔn)

簡(jiǎn)介英飛凌OptiMOS? 6 80 V——最新的功率MOSFET技術(shù)，通過(guò)廣泛的產(chǎn)品組合設(shè)定了新的行業(yè)基準(zhǔn)性能，包括PQFN 3.3x3.3，SuperSO8、雙面散熱PQFN 5x6 以及源極向下 PQFN 3.3x3.3封裝。 OptiMOS? 6 80 V 系列非常適合電信、服務(wù)器和太陽(yáng)能等高頻開關(guān)應(yīng)用。OptiMOS? 6 80 V 的性能改進(jìn)也體現(xiàn)了其在電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的優(yōu)勢(shì)。關(guān)鍵特性l??與 SSO8 中的 5 相比，RDS(on) OptiMOS?減少24%
關(guān)鍵字：英飛凌 OptiMOS 6 MOSFET 電信電池管理系統(tǒng)

MOSFET失效分析

MOSFET 是芯片的基本單元，MOSFET是為了實(shí)現(xiàn)數(shù)字電路中0和1的開關(guān)，他有三個(gè)電極，源極、柵極和漏極，簡(jiǎn)化模型如下圖
關(guān)鍵字： MOSFET 雪崩失效 SOA失效失效分析

ROHM車載40V/60V MOSFET產(chǎn)品陣容中新增高可靠性小型新封裝產(chǎn)品

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，適用于主驅(qū)逆變器控制電路、電動(dòng)泵、LED前照燈等應(yīng)用的車載低耐壓（40V/60V）MOSFET產(chǎn)品陣容中，又新增HPLF5060（4.9mm×6.0mm）封裝產(chǎn)品。新封裝產(chǎn)品與車載低耐壓MOSFET中常見的TO-252（6.6mm×10.0mm）等封裝產(chǎn)品相比，體積可以更小，通過(guò)采用鷗翼型引腳*1，還提高了其在電路板上安裝時(shí)的可靠性。另外，通過(guò)采用銅夾片鍵合*2技術(shù)，還能支持大電流。采用本封裝的產(chǎn)品已于2025年11月起陸續(xù)投入量產(chǎn)（樣品單價(jià)50
關(guān)鍵字： ROHM MOSFET

Boost電路的工作過(guò)程

Boost電源電路是一種DC-DC升壓電路，能夠?qū)⒌碗妷荷叩捷^高電壓。其基本原理是利用電感儲(chǔ)能和電容儲(chǔ)能的方式，通過(guò)開關(guān)管的開關(guān)控制，將輸入電壓進(jìn)行短時(shí)間內(nèi)的變化，從而使輸出電壓得到升壓。通過(guò)調(diào)整開關(guān)管的開關(guān)頻率和占空比，可以控制輸出電壓的大小和穩(wěn)定性。開關(guān)電源的主要部件包括：輸入源、開關(guān)管、儲(chǔ)能電感、控制電路、二極管、負(fù)載和輸出電容。如果功率不是特別大，IC廠家會(huì)將開關(guān)管、控制電路、二極管集成到一顆電源管理芯片中，極大簡(jiǎn)化了外部電路。按照是否集成MOSFET，可以將電源IC分類為轉(zhuǎn)換器、控制器。從集成
關(guān)鍵字： Boost電路工作過(guò)程 MOSFET 電源芯片

全硅RC緩沖器，用于碳化硅MOSFET

Melexis正在制造全硅RC緩沖器，用于集成在碳化硅動(dòng)力模塊中。目前正在向潛在客戶采樣，所有零件將是新零件編號(hào)“MLX91299”的變體，并以裸芯片形式交付，準(zhǔn)備與電源模塊內(nèi)的MOSFET和二極管芯片進(jìn)行頂部線連接。反金屬化兼容燒結(jié)和焊接。該硅吸收器設(shè)計(jì)用于直流鏈路，最高可達(dá)1000伏直流，峰值可達(dá)1200伏，擊穿額定值將超過(guò)1500伏。據(jù)公司介紹，它們“在電壓超過(guò)150伏時(shí)保持恒定電容，并在10nA附近表現(xiàn)出泄漏電流”?！坝卸喾NR和C組合，比如4.3nF在1.45Ω或1.1nF在5.23Ω?！本唧w生產(chǎn)
關(guān)鍵字：全硅 RC 緩沖器碳化硅 MOSFET 電壓瞬變抑制

iDEAL Semiconductor以SuperQ? MOSFET為高壓電池設(shè)定新安全標(biāo)準(zhǔn)

?iDEAL Semiconductor, 是高效能功率硅的領(lǐng)導(dǎo)者，今天宣布推出其 SuperQ? MOSFET 技術(shù)，專門設(shè)計(jì)用來(lái)解決高壓（72V 及更高）電池管理系統(tǒng)（BMS）中關(guān)鍵的安全與效率權(quán)衡問(wèn)題。此新平臺(tái)為 BMS 放電開關(guān)的最重要安全指標(biāo)——短路耐受能力（SCWC）——設(shè)定了業(yè)界基準(zhǔn)。電動(dòng)移動(dòng)、無(wú)人機(jī)與專業(yè)電動(dòng)工具中高壓電池組的普及帶來(lái)了高風(fēng)險(xiǎn)挑戰(zhàn)：在外部短路事件中防止災(zāi)難性故障，此時(shí)電流可能激增至數(shù)千安培。放電 MOSFET 是唯一負(fù)責(zé)在這些極端條件下隔離電池組的元件?！霸诟吣芰?/li>
關(guān)鍵字： iDEAL MOSFET 高壓電池

內(nèi)阻很小的MOS管為什么會(huì)發(fā)熱？

Source、Drain、Gate分別對(duì)應(yīng)場(chǎng)效應(yīng)管的三極：源極S、漏極D、柵極G（里這不講柵極GOX擊穿，只針對(duì)漏極電壓擊穿）。一、MOSFET的擊穿有哪幾種？? ? ? ? ?先講測(cè)試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，直至Drain端電流達(dá)到1uA。所以從器件結(jié)構(gòu)上看，它的漏電通道有三條：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。1、 Drain-》Source穿通擊穿? ? ? &n
關(guān)鍵字： MOS管 MOSFET 發(fā)熱

PCIM2025論文摘要 | 400V SiC MOSFET助力服務(wù)器和人工智能電源實(shí)現(xiàn)更高的效率和功率密度

內(nèi)容摘要400V SiC MOSFET技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。簡(jiǎn)要介紹了該器件的概念和特性。在用于服務(wù)器應(yīng)用的電源(PSU)中對(duì)其優(yōu)勢(shì)進(jìn)行了研究，該電源在176V-265V交流輸入和50V輸出電壓下可提供3.3kW的功率。該設(shè)備采用三電平飛跨電容圖騰柱PFC。文中討論了啟動(dòng)期間對(duì)飛跨電容充電的注意事項(xiàng)。PSU的尺寸為72mmx40mmx192mm，在230VAC輸入電壓下，PSU總峰值效率超過(guò)97.6%，功率密度大于100W/in3。簡(jiǎn)介服務(wù)器和電信應(yīng)用的發(fā)展趨勢(shì)是功率密度不斷提高。例如，開
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET 服務(wù)器人工智能

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