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MOS管短路保護電路設計實戰解析-ASIM阿賽姆

發布人:阿賽姆電子 時間:2025-11-29 來源:工程師 發布文章
一、保護電路核心架構
主流方案采用MOS管與三極管組合結構。三極管作為檢測元件,當電流異常時快速調整MOS管柵源電壓,形成動態限流機制。該架構響應時間可達毫秒級,在調光器應用中可有效防止燈泡爆裂。
二、設計要點與參數計算

2.1 閾值電壓設定根據負載特性計算保護點。例如5V/2A負載,采樣電阻取0.05Ω,當壓降達0.15V(對應3A)時觸發保護。三極管hFE值需大于100,確保快速響應。實際案例顯示,閾值精度控制在±5%可平衡誤觸發與保護延時。

2.2 PCB布局優化走線電感直接影響響應速度。采用短而寬的布線(寬2mm,長小于10mm),可將寄生電感控制在5nH以下。某電源保護板優化后,關斷時間從8μs縮短至3μs。

2.3 軟啟動功能在柵極并聯10μF電容,實現5ms緩啟動。測試數據表明,該設計可將啟動沖擊電流降低60%,顯著延長MOS管壽命。某LED驅動電源增加軟啟動后,MOS管失效率從3%降至0.2%。
三、應用實例分析

48V/10A電源系統采用AO4459 MOS管配合SS8050三極管。保護閾值12A,動作時間2μs。經過500次短路測試,MOS管完好率100%。電路成本增加僅0.3元,性價比突出。

阿賽姆推薦:ASIM30V系列MOS管具備優異的雪崩能力,EAS(單脈沖雪崩能量)達200mJ,配合三極管保護電路可承受更大瞬時沖擊,特別適合短路風險較高的應用場景。


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關鍵詞: MOS管 MOSFET

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