- IT之家 10 月 6 日消息，三星在今天召開的 System LSI Tech Day 2023 活動中，展示了多項新的半導體技術和芯片，而其中主角莫過于 Exynos 2400 處理器。CPU 方面三星表示 Exynos 2400 的 CPU 性能要比 Exynos 2200 快 70%，AI 處理能力快 14.7 倍。GPU 方面在 GPU 方面，新芯片還配備基于 AMD 最新 GPU 架構 RDNA3 的 Xclipse 940 GPU，之前的泄密稱這款新芯片的 GPU 中有 6 個 W
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三星 SoC 獵戶座
- 目前三星和臺積電（TSMC）都已在3nm制程節點上實現了量產，前者于2022年6月宣布量產全球首個3nm工藝，后者則在同年12月宣布啟動3nm工藝的大規模生產，蘋果最新發布的iPhone 15 Pro系列機型上搭載的A17 Pro應用了該工藝。據ChosunBiz報道，雖然三星和臺積電都已量產了3nm工藝，不過兩者都遇到了良品率方面的問題，都正在努力提高良品率及產量。三星在3nm工藝上采用下一代GAA（Gate-All-Around）晶體管技術，而臺積電沿用了原有的FinFET晶體管技術，無論如何取舍和選
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三星 臺積電 工藝 3nm
- 10 月 6 日消息，據韓媒 Business Korea 報道，三星內部認為目前 NAND Flash 供應價格過低，公司計劃今年四季度起，調漲 NAND Flash 產品的合約價格，漲幅在 10% 以上，預計最快本月新合約便將采用新價格。▲ 圖源韓媒 Business Korea自今年年初以來，三星一直奉行減產戰略，IT之家此前曾報道，三星的晶圓產量大幅下降了 40%，最初的減產舉措主要集中在 DRAM 領域，之后下半年三星開始著手大幅削減 NAND Flash 業務產量，眼下正試圖推動
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三星 NAND flash 漲價
- 由于8英寸晶圓代工需求不振，截至第二季，三星電子晶圓代工事業Samsung Foundry產能利用率不到50%。業界人士透露，目前Samsung Foundry已將3成機臺停機，但隨著庫存進一步降低，有望年底前重啟機臺，明年再度運轉。先前韓媒TheElec就曾報導，目前IT產業需求偏低，韓國晶圓代工廠也決定將8英寸晶圓服務砍價10%。截至第二季，三星電子晶圓代工事業Samsung Foundry、韓國晶圓代工業者Key Foundry產能利用率都介于40~50%之間。8英寸晶圓服務主要生產電源管理IC、面
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三星 8英寸廠
- 三星和AMD合作，與vRAN一起推進網絡轉型新的合作將為運營商解鎖更廣泛的選擇，以利用三星的vRAN解決方案和生態系統構建高容量、高能效的網絡三星電子今天宣布與AMD進行新的合作，以推進5G虛擬化RAN（vRAN）進行網絡轉型。這種合作代表了三星持續致力于豐富vRAN和Open RAN生態系統，以幫助運營商以無與倫比的靈活性和優化性能構建移動網絡并使其現代化。 兩家公司在三星實驗室完成了幾輪測試，以驗證使用FDD頻段和TDD大規模MIMO寬帶的高容量和電信級性能，同時大幅降低功耗。在這次聯合合作
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三星，AMD，vRAN
- 三星電子宣布已開發出其首款
7.5Gbps（千兆字節每秒）低功耗壓縮附加內存模組（LPCAMM）形態規格，這有望改變個人計算機和筆記本電腦的 DRAM（動態隨機存取存儲器）
市場，甚至改變數據中心的DRAM市場。三星的突破性研發成果已在英特爾平臺上完成了系統驗證。三星LPCAMM內存模組結構示意圖截至目前，個人計算機和筆記本電腦都在使用傳統的 LPDDR DRAM 或基于 DDR 的
So-DIMM（小型雙重內嵌式內存模組）。然而受結構限制，LPDDR需要被直接安裝在設備的主板上，導致其在維修
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三星 LPCAMM 內存 內存模組
- 據《韓國經濟日報》援引未具名行業消息來源報道稱，三星電子面向主要智能手機制造商的DRAM和NAND閃存芯片價格上調了10-20％。主要智能手機制造商包括小米、OPPO和谷歌。三星電子預計，從第四季度起存儲芯片市場的需求可能大于供應。消息人士指出，這家芯片制造商計劃以更高的價格向生產Galaxy系列智能手機的三星移動業務部門供應存儲芯片，以反映移動芯片價格上漲的趨勢。此前，為應對需求持續減弱，三星宣布9月起擴大減產幅度至50%，減產仍集中在128層以下制程為主。據TrendForce集邦咨詢調查，其他供應商
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三星 存儲芯片
- 據韓媒報道，三星為了掌握快速成長的HBM市場，將大幅革新新一代產品制程技術，預計2026年量產新一代HBM產品，HBM4。從2013年第一代HBM到即將推出的第五代HBM3E，I/O接口數為每顆芯片1024個，擁有超過2000個以上I/O接口的HBM尚未問世。以HBM不同世代需求比重而言，據TrendForce集邦咨詢表示，2023年主流需求自HBM2e轉往HBM3，需求比重分別預估約是50%及39%。隨著使用HBM3的加速芯片陸續放量，2024年市場需求將大幅轉往HBM3，而2024年將直接超越HBM2
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三星 HBM4
- 芯片升級的兩個永恒主題 —— 性能、體積/面積，而先進制程和先進封裝的進步，均能夠使得芯片向著高性能和輕薄化前進。芯片系統性能的提升可以完全依賴于芯片本身制程提升
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封裝 半導體 臺積電 三星 英特爾 芯片
- IT之家 9 月 12 日消息，根據韓國 The Elec 報道，三星電子和 SK 海力士兩家公司加速推進 12 層 HBM 內存量產。生成式 AI 的爆火帶動英偉達加速卡的需求之外，也帶動了對高容量存儲器（HBM）的需求。HBM 堆疊的層數越多，處理數據的能力就越強，目前主流 HBM 堆疊 8 層，而下一代 12 層也即將開始量產。報道稱 HBM 堆疊目前主要使用正使用熱壓粘合（TCB）和批量回流焊（MR）工藝，而最新消息稱三星和 SK 海力士正在推進名為混合鍵合（Hybrid Bonding
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三星 海力士 內存
- IT之家 9 月 12 日消息，據韓國《電子日報》昨日報道，三星電子正在使用微軟的 Azure OpenAI 服務創建一個 AI 聊天機器人，用于協助三星公司內部的工作?！?圖源 韓國《電子日報》據悉，三星正在與微軟合作進行一項“內部生成式 AI 開發”，而這一計劃中涉及的 AI，能夠處理翻譯以及文檔摘要等任務，并將使用由 OpenAI 開發的“GPT-4”和“GPT-3.5”LLM 來完成，目前項目正在概念驗證（PoC）階段。IT之家經過查詢得知，早些時候，微軟與 Open
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三星 生成式AI
- 半導體行業因「新冠疫情」而陷入前所未有的衰退，但復蘇的跡象似乎開始出現。本文根據半導體市場統計數據和主要制造商的財務業績報告，探討半導體市場復蘇的時機。此外，我們將討論生成式人工智能，它很可能成為行業的新驅動力。世界半導體市場統計（WSTS）數據和半導體制造商的業績顯示，有跡象表明半導體市場正在從衰退走向復蘇。然而，半導體市場的全面復蘇很可能在 2024 年發生。經濟衰退復蘇后，推動全球半導體產業發展的將是 ChatGPT 等用于生成式 AI（人工智能）的半導體。因此，我們預測領先的半導體產品將從蘋果的
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- 要點：●? ?驍龍X75利用僅35MHz帶寬的5G頻段（FDD頻段n71和n70）實現200Mbps上行峰值速度。●? ?此外，全球首個5G Advanced-ready調制解調器及射頻系統利用75MHz帶寬的5G頻段（FDD頻段n71、n70和n66），成功實現1.3Gbps下行峰值速度。高通技術公司聯合三星電子宣布，雙方成功實現全球首個在FDD頻段運行兩路上行載波和四路下行載波并發的5G載波聚合（CA）連接。這一成果彰顯了雙方合作帶來的領先優勢，為未來提升5G性
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- IT之家 9 月 4 日消息，與晶圓制造不同，半導體封裝過程中需要大量的人力資源投入。這是因為前端工藝只需要移動晶圓，但封裝需要移動多個組件，例如基板和包含產品的托盤。在此之前，封裝加工設備基本上都需要大量勞動力，但三星電子已經通過晶圓傳送設備（OHT）、上下搬運物品的升降機和傳送帶等設備實現了完全自動化。三星電子 TSP（測試與系統封裝）總經理金熙烈（Kim Hee-yeol）在“2023 年新一代半導體封裝設備與材料創新戰略論壇”上宣布，該公司已成功建成了世界上第一座無人半導體封裝工廠。據介
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三星 晶圓代工 自動化
- 2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術，開發出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5
DRAM：五代雙倍數據率同步動態隨機存儲器）。這是繼2023年5月三星開始量產12納米級16Gb DDR5
DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開發下一代DRAM內存技術領域中的地位，并開啟了大容量內存時代的新篇章。 三星12納米級32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12納米級32Gb內存的基礎上，我們可以研發出實現1TB內存模組的解決方案
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