- 伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。
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氮化鎵 碳化硅
- 中科院蘇州納米技術與納米仿生所研究員楊輝團隊在硅上研制出第三代半導體氮化鎵基激光器，這也是世界上第一支可以在室溫下連續工作的硅襯底氮化鎵基激光器。相關研究成果近日刊登在《自然—光子學》。
中科院蘇州納米技術與納米仿生所研究員楊輝團隊在硅上研制出第三代半導體氮化鎵基激光器，這也是世界上第一支可以在室溫下連續工作的硅襯底氮化鎵基激光器。相關研究成果近日刊登在《自然—光子學》。
隨著半導體科技的高速發展，科技工作者發現基于傳統技術路線來進行芯片與系統之間的數據通信越來越難
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氮化鎵 芯片
- 氮化鎵技術因其在低功耗、小尺寸等特性設計上的獨特優勢和成熟規模化的生產能力，近年來在功率器件市場大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術趨勢論壇上，這個主題受到國內媒體的集體“圍觀”。富士通電子元器件高級市場經理蔡振宇(Eric)的“氮化鎵產品主要的應用場景和未來的趨勢”主題分享，將富士通電子旗下代理產品線Transphorm公司獨特GaN技術和產品方案第一次帶到中國媒體面前，采用創新的Cascode結構的HEMT高壓產品讓Transphorm在氮化鎵功率表技術領域劍走偏鋒，成為該陣營的領頭
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富士通 氮化鎵
- 宜普電源轉換公司(EPC)增加合共九個教程單元的教學視頻系列，擴大它的視頻資源以拓展氮化鎵技術的知識庫，為功率系統設計工程師提供高級技術教程，包括應用范例，教授如何使用氮化鎵晶體管及集成電路設計出更高效的功率轉換系統。 除了為工程師提供氮化鎵晶體管的設計基礎及可靠性數據外，本視頻系列教授如何把開發板轉化為實用的原型。此外，該系列提供氮化鎵晶體管在廣泛的功率電子應用中的實用范例，包括面向電信及數據通信系統的DC/DC轉換，以及關于采用氮化鎵器件的無線充電應用的兩個視頻。 氮化鎵(GaN)高級學習視頻
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宜普 氮化鎵
- 根據YoleDeveloppement指出，氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導體市場快速發展，從而使專業的半導體業者受惠;另一方面，他們也將會發現逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。
Yole估計，2015年GaN在功率半導體應用的全球市場規模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間，這一市場將以93%的年復合成長率(CAGR)成長，預計在2020年時可望達到3千萬美元的產值。
目前銷售Ga
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氮化鎵 GaN
- 上海PCIM Asia展會現場，氮化鎵系統公司(GaN Systems)聯合創始人兼總裁Girvan Patterson手持一塊用于服務器電源的集成電路板展示：“由于使用氮化鎵晶體管器件，這塊電路板的尺寸縮小到了原先的1/4。更為重要的是，它在性能、能源效率、系統成本等方面相比當下主流的硅基功率電子元件有了跨越式提升。”
被稱為“終極半導體材料”的氮化鎵研究和應用是全球半導體研究的前沿和熱點，在光電子器件和微電子器件領域市場前景廣闊。“
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氮化鎵 半導體
- 據日經BP報道，松下研發出用于電源和馬達控制的新一代半導體，將于2016年春季在日本國內企業中率先量產。新一代半導體采用氮化鎵(GaN)，能將耗電量控制在原來一半左右。據悉，松下目前已與日本國內外約10家企業就供貨進入最終交涉，新一代半導體被松下定位為重振持續虧損的半導體業務的戰略產品，松下計劃首先將向服務器電源裝置等供貨。
氮化鎵被稱為“終極半導體材料”，世界上僅有美國風險企業涉足。松下將在生產子公司松下電器半導體有限公司(panasonic Semiconductor
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- 從下一代的國防和航天應用，到有線電視、VSAT、點對點(PtP)、基站基礎設施，Qorvo的GaN(氮化鎵)產品和技術為您身邊的各種系統提供領先的 性能支持，讓您能夠隨時聯網并受到保護。這些領先性能包括：高功率密度、寬頻性能、高功率處理……閱讀下面的“氮化鎵的十個重要事實”，真正了解這個在我 們的工作和生活中發揮重要作用的關鍵技術。
關于氮化鎵的十個重要事實：
一、氮化鎵器件提供的功率密度比砷化鎵器件高十倍。由于氮化鎵器件的功率密度較高，
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- 半導體產業是整個電子信息產業鏈中最關鍵的產業之一，它為集成芯片產業、LED產業、光伏產業等產業提供關鍵性基礎材料，對整個電子信息產業影響巨大。上世紀中葉，單晶硅和半導體晶體管的發明及其硅集成電路的研制成功，引發了第三次技術革命;上世紀70年代初石英光導纖維材料和GaAs激光器的發明，促進了光纖通信技術迅速發展并逐步形成了高新技術產業，使人類進入了信息時代。
半導體產品廣泛應用在電子工業和微電子工業中，用來制作各種晶體管、集成電路、固態激光器等各種精密原器件。
有
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- 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor)與功率轉換專家Transphorm宣布已建立了新的合作關系，共同開發及共同推廣基于氮化鎵(GaN)的產品和電源系統方案，用于工業、計算機、電信及網絡領域的各種高壓應用。
這策略合作充分發揮兩家公司固有的實力。Transphorm是公認的第一家將600伏(V)GaN硅晶體管量產通過授證的公司，并在這先進技術有無與倫比的經驗。安森美半導體是一家領先的高能效電源方案供應商，在系統設計具備深厚的專知和技術，提供寬廣的陣容產品，從功率分立器件
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安森美 氮化鎵 硅基器件
- 今日，Veeco公司推出了最新的的TurboDisc®EPIK700™氮化鎵(GaN)金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)系統，結合了該行業最高的生產率與最佳良率這兩大優勢，運營成本低，從而進一步降低通用照明應用的發光二極管(LED)的制造成本。
EPIK700 MOCVD系統采用了Veeco大生產驗證過的TurboDisc技術，具有行業內最大的反應腔，其產能相當于目前的其它反應腔的兩倍多。反應腔的容量增加，再加上腔內波長均勻性以及生產力的提升，與之前的反應腔相比，其產量提高了
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- 我們會探討在高頻降壓轉換器使用最優版圖并在1MHz頻率開關時可實現高于96%效率。降壓轉換器縱然具備最優電...
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高頻降壓 轉換器 氮化鎵
- 我們在之前的文章討論了氮化鎵場效應晶體管的優勢，以及它具備可實現更高效率和更快開關速度的潛力，為硅MOSFET...
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氮化鎵 晶體管 驅動器
- 電子簽名、指紋掃描、以及機器人觸感皮膚之間有什么共同點？得益于一套能將氧化鋅納米線陣列轉化成微型L...
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LED陣列 LED技術 氮化鎵
- 據中國國防科技信息網報道，美國射頻微系統公司(RFMD)日前推出世界首個用于制造射頻功率晶體管的碳化硅基氮化鎵晶圓，以滿足軍用和商用需求。該公司實現了從現有高產量、6寸砷化鎵晶圓生產向6寸氮化鎵晶圓生產和研發的轉變，以降低成本滿足不斷增長的氮化鎵器件市場需求。
RFMD公司總裁兼首席執行官鮑勃稱：“我們很高興在RFMD公司的現有高產量6寸砷化鎵生產線上推出業界首款6寸碳化硅基氮化鎵射頻技術。氮化鎵器件和砷化鎵器件在制造上的合并是我們“砷化鎵中氮化鎵代工廠”策略
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