氮化鎵（GaN）功率器件正加速拓展至人工智能數據中心、機器人、電動汽車、可再生能源等多個行業，同時還切入數字醫療、量子計算等新興領域，這一趨勢推動氮化鎵市場從今年到 2030 年實現顯著增長。尤其在數據中心市場，采用新型拓撲結構的氮化鎵電源相比硅基電源，能實現更高的效率和功率密度，功耗損耗最多可降低 30%，助力打造更高效、更緊湊的數據中心架構。應用于人形機器人的氮化鎵電機驅動器，體積可縮小 40%，還能提升精細動作的控制精度。英飛凌氮化鎵業務線高級副總裁兼總經理約翰內斯?朔伊斯沃爾博士在接受《歐洲電子工
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意法半導體近日推出全新的智能功率器件，使家用電器和工業驅動設備能夠利用最新的氮化鎵（GaN）技術，顯著提升能效、增強性能并降低成本。目前市場上已有的GaN電源適配器和充電器可為筆記本電腦和USB-C快充提供高功率輸出，并實現極高的轉換效率，以滿足日益嚴苛的生態設計法規要求。而意法半導體此次推出的新型GaN集成電路（IC），首次將該技術拓展至電機驅動領域，適用于洗衣機、吹風機、電動工具以及工廠自動化等產品。意法半導體專用產品部總經理Domenico Arrigo表示：“我們的全新GaNSPIN系統級封裝（S
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從以可再生能源為主的電網到人工智能數據中心，各領域的電力需求都在持續攀升，這也對電力電子器件提出了更高要求 —— 需要在更小的空間內實現更優性能。電力的傳輸需要經過復雜的直流 - 直流轉換流程，電壓等級會從電網的高壓逐步降至高端處理器所需的毫伏級。為應對這些挑戰，新一代直流 - 直流轉換器應運而生，實現了多項技術突破：直流微電網中靈活電力流的新拓撲結構。基于SiC和GaN的新型電源開關，用于電動汽車（EV）中的緊湊高頻開關。磁性和被動集成的新創新，旨在減少服務器機架深層的損耗。用于直流微電網的不同直流-直
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簡介英飛凌正式推出CoolGaN 100V G1系列車規級晶體管，并開始提供符合AEC-Q101汽車應用標準的預量產樣品，包括CoolGaN高壓（HV）車規級晶體管及多種雙向開關。此舉彰顯了英飛凌為滿足汽車行業不斷變化的需求而持續提供創新解決方案的承諾——包括從適用于低壓車載信息娛樂系統的新型100V GaN晶體管，到面向未來車載充電器和牽引逆變器的高壓產品解決方案。 產品特色AEC-Q101 獲得資格100 V e模功率晶體管雙側冷卻封裝無反向回收裝藥超低功績 產品優點同級最佳功率密
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很難想象，首款藍光 LED 的問世時間竟然晚至 1993 年。這類器件看似構造簡單，但表象往往具有迷惑性（見圖 1）。1. 圖像顯示一個藍色InGaN基LED帶金線觸點（0.4 × 0.4毫米）（a）。作為商業產品包裝的LED（b）。德州儀器工程師詹姆斯·R·比亞德和加里·E·皮特曼于1961年意外制造了第一個LED燈。當時，他們合作開發了用于X波段雷達接收器的低噪聲參數放大器，并發現了一種安裝在砷化鎵基板上、能發射紅外光的二極管。1962年，首款商業LEDSNX-100 GaAs LED（銨氣管）問世。
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_____2025年12月，匯川聯合動力與英諾賽科共同宣布，采用650V氮化鎵的新一代6.6kW車載充電系統在長安汽車成功裝車。這標志著氮化鎵技術在中國新能源汽車領域邁出關鍵一步。該系統將車載充電器與車載直流變換器高度集成，功率密度達4.8kW/L，較傳統方案提升30%，重量減輕20%。這意味著，更小體積的電源模塊卻能提供更高功率的充電效率。隨著800V高壓平臺在電動汽車中的普及，對電源系統的要求日益提高。技術的成熟和成本的下降，使得氮化鎵有望在多個領域替代傳統件可能成為未來發展方向。盡管氮化鎵技術前景廣
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Globalfoundries（GF）與OnSemi簽署協議，采用GF的200mm eMode GaN-on-硅工藝開發和制造先進氮化鎵功率產品。初期開發重點將是用于AI數據中心、電動汽車、可再生能源、工業系統以及航空航天、國防和安全的650伏電力設備。OnSemi企業戰略高級副總裁Dinesh Ramanathan表示：“此次合作將Onsemi的系統和產品專長與GlobalFoundries先進的氮化鎵工藝相結合，為高速增長市場交付新的650V電力設備。”他補充道：“我們計劃在2026年上半年開始向客戶
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本文詳細討論了GaN技術，解釋了如何在開關模式電源中使用此類寬禁帶開關，介紹了電路示例，并闡述了使用專用GaN驅動器和控制器的優勢。而且，文中展示了LTspice?工具，以幫助理解GaN開關在電源中的使用情況。最后，展望了GaN技術的未來。
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12 月 14 日消息，參考媒體 Light Reading 報道，NXP 恩智浦已做出了關閉亞利桑那州錢德勒 ECHO Fab 晶圓廠的決定，該企業也將退出氮化鎵 (GaN) 半導體 5G PA（功率放大器）芯片的制造。2020 年 9 月投產的 ECHO Fab 當時是最先進的同類生產設施。而在 2027 年第一季度，這座生命周期不到七年的 6 英寸晶圓廠將完成最后一片晶圓的生產。恩智浦在一份郵件中表示：近年來，由于移動運營商投資回報不足，5G 部署進程放緩，全球 5G 基站部署數量遠低于最初預期。鑒
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2025年12月4日，九風山（JFS）實驗室宣布了一項重大技術突破——氮化鎵（GaN）動力模塊的成功開發。這些大約拇指大小的“黑盒子”，每個大約有百萬個縮略圖，可以集成到一個1吉瓦（10億瓦）的超大規模AI計算柜中。一旦部署，整機架預計每年可節省近3億千瓦時電力，約合2.4億元人民幣的電力成本。項目負責人李思超博士表示，該技術已完成概念驗證，即將進入試點規模驗證。預計3至5年內實現量產，目標市場需求潛力達數千億元人民幣。吉瓦級計算技術激增推動AI數據中心日益擴大的能源缺口如今的AI計算中心運行在一個本質上
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航天器必須搭載抗輻射（rad-hard）電子設備，因為輻射極易導致電子器件故障。因此，電源管理器件對于為衛星和航天器上的所有電子設備供電至關重要，尤其是當航天器內有宇航員時。例如，深空任務可能會遭遇背景輻射產生的中子、放射性同位素熱電機（RTGs）以及其他有害核輻射源（圖 1）；而近地及大氣層環境中的設備則會受到銀河宇宙射線（GCRs）及其二次輻射的影響。1. 太空環境會引發一系列嚴酷的影響。此外，太空中的長期輻射效應還會影響宇航員和航天器電子設備。總電離劑量（TID）水平將在組件芯片層級接收，計算有源部
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安森美（onsemi）近日宣布已與英諾賽科（Innoscience）簽署諒解備忘錄，雙方將探索利用英諾賽科成熟的200毫米氮化鎵（GaN）硅基工藝，以擴大 GaN 功率器件的生產規模。該合作將整合安森美在系統集成、驅動器和封裝方面的專業能力，以及英諾賽科成熟先進的 GaN 制造能力，旨在加速推出高性價比、節能高效的解決方案，推動 GaN 技術普及進程。新聞概要：●? ?此次合作將擴展安森美的中低壓GaN功率產品組合，并在全球范圍內擴大GaN制造規模，從而加快產品上市速度并推動更廣泛的應
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onsemi與Innoscience于12月2日簽署了諒解備忘錄（MoU），加快氮化鎵（GaN）電源設備的部署，起步于40–200V電壓產品。安塞米預計采樣將在2026年上半年開始，正如其新聞稿所述。該合作旨在將Onsemi在集成系統方面的專業知識與Innoscience的8英寸氮化鎵技術相結合，支持工業、汽車、電信基礎設施、消費及人工智能數據中心應用的產品。據中國媒體ICrank報道，此次合作融合了互補優勢：Innoscience的晶圓產能支持量產，而安賽米的封裝和系統集成技術則提升器件性能。這一基礎得
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英飛凌科技股份公司近日宣布將為Enphase Energy, Inc.（ENPH）新一代光伏微型逆變器提供其突破性的氮化鎵（GaN）技術。Enphase Energy是一家全球領先的能源技術公司，同時也是光伏及電池系統微型逆變器領域全球領先的供應商。英飛凌的CoolGaN?雙向開關（BDS）技術可大幅提升Enphase IQ9系列微型逆變器的輸出功率、能源效率及系統可靠性，有助于簡化新一代IQ9N-3P?商用微型逆變器的設計復雜性，并降低其安裝和系統平衡成本。采用英飛凌氮化鎵技術的Enphase Ener
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格羅方德（GF）日前宣布，與臺積電就650V和80V氮化鎵（GaN）技術達成技術許可協議。這一戰略布局將加速格羅方德面向數據中心、工業和汽車電源應用的下一代氮化鎵產品的開發，并為全球客戶提供美國本土的氮化鎵產能。Source:?Getty/ Wiyada Arunwaikit隨著傳統硅互補型金屬氧化物半導體（CMOS）技術的性能達到極限，氮化鎵正被認為是一個更優的解決方案，以滿足電源系統對更高效率、功率密度和緊湊性日益增長的需求。格羅方德正在開發全面的氮化鎵產品組合，包括高性能650V和80V技
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