格羅方德（GF）日前宣布，與臺積電就650V和80V氮化鎵（GaN）技術達成技術許可協議。這一戰略布局將加速格羅方德面向數據中心、工業和汽車電源應用的下一代氮化鎵產品的開發，并為全球客戶提供美國本土的氮化鎵產能。

Source: Getty/ Wiyada Arunwaikit

隨著傳統硅互補型金屬氧化物半導體（CMOS）技術的性能達到極限，氮化鎵正被認為是一個更優的解決方案，以滿足電源系統對更高效率、功率密度和緊湊性日益增長的需求。格羅方德正在開發全面的氮化鎵產品組合，包括高性能650V和80V技術，旨在支持電動汽車、數據中心、可再生能源系統及快充電子設備。

格羅方德將在其位于佛蒙特州伯靈頓的制造工廠部署獲得許可的氮化鎵技術，依托該工廠在高壓硅基氮化鎵技術方面的專業知識，為尋求先進功率器件的客戶加快量產速度。相關技術開發預計將于2026年初啟動，同年晚些時候開始量產。

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