氮化鎵文章最新資訊

人工智能與機(jī)器人技術(shù)推動氮化鎵功率器件市場爆發(fā)

氮化鎵（GaN）功率器件正加速拓展至人工智能數(shù)據(jù)中心、機(jī)器人、電動汽車、可再生能源等多個行業(yè)，同時還切入數(shù)字醫(yī)療、量子計算等新興領(lǐng)域，這一趨勢推動氮化鎵市場從今年到 2030 年實(shí)現(xiàn)顯著增長。尤其在數(shù)據(jù)中心市場，采用新型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的氮化鎵電源相比硅基電源，能實(shí)現(xiàn)更高的效率和功率密度，功耗損耗最多可降低 30%，助力打造更高效、更緊湊的數(shù)據(jù)中心架構(gòu)。應(yīng)用于人形機(jī)器人的氮化鎵電機(jī)驅(qū)動器，體積可縮小 40%，還能提升精細(xì)動作的控制精度。英飛凌氮化鎵業(yè)務(wù)線高級副總裁兼總經(jīng)理約翰內(nèi)斯?朔伊斯沃爾博士在接受《歐洲電子工
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意法半導(dǎo)體推出面向電機(jī)控制的全新氮化鎵（GaN）IC平臺，助力家電能效升級

意法半導(dǎo)體近日推出全新的智能功率器件，使家用電器和工業(yè)驅(qū)動設(shè)備能夠利用最新的氮化鎵（GaN）技術(shù)，顯著提升能效、增強(qiáng)性能并降低成本。目前市場上已有的GaN電源適配器和充電器可為筆記本電腦和USB-C快充提供高功率輸出，并實(shí)現(xiàn)極高的轉(zhuǎn)換效率，以滿足日益嚴(yán)苛的生態(tài)設(shè)計法規(guī)要求。而意法半導(dǎo)體此次推出的新型GaN集成電路（IC），首次將該技術(shù)拓展至電機(jī)驅(qū)動領(lǐng)域，適用于洗衣機(jī)、吹風(fēng)機(jī)、電動工具以及工廠自動化等產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體專用產(chǎn)品部總經(jīng)理Domenico Arrigo表示：“我們的全新GaNSPIN系統(tǒng)級封裝（S
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高密度直流-直流轉(zhuǎn)換器從電網(wǎng)延伸到車廂再到鐵芯

從以可再生能源為主的電網(wǎng)到人工智能數(shù)據(jù)中心，各領(lǐng)域的電力需求都在持續(xù)攀升，這也對電力電子器件提出了更高要求 —— 需要在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更優(yōu)性能。電力的傳輸需要經(jīng)過復(fù)雜的直流 - 直流轉(zhuǎn)換流程，電壓等級會從電網(wǎng)的高壓逐步降至高端處理器所需的毫伏級。為應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，新一代直流 - 直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)運(yùn)而生，實(shí)現(xiàn)了多項技術(shù)突破：直流微電網(wǎng)中靈活電力流的新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。基于SiC和GaN的新型電源開關(guān)，用于電動汽車（EV）中的緊湊高頻開關(guān)。磁性和被動集成的新創(chuàng)新，旨在減少服務(wù)器機(jī)架深層的損耗。用于直流微電網(wǎng)的不同直流-直
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英飛凌推出首款100V車規(guī)級晶體管，推動汽車領(lǐng)域氮化鎵（GaN）技術(shù)創(chuàng)新

簡介英飛凌正式推出CoolGaN 100V G1系列車規(guī)級晶體管，并開始提供符合AEC-Q101汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)的預(yù)量產(chǎn)樣品，包括CoolGaN高壓（HV）車規(guī)級晶體管及多種雙向開關(guān)。此舉彰顯了英飛凌為滿足汽車行業(yè)不斷變化的需求而持續(xù)提供創(chuàng)新解決方案的承諾——包括從適用于低壓車載信息娛樂系統(tǒng)的新型100V GaN晶體管，到面向未來車載充電器和牽引逆變器的高壓產(chǎn)品解決方案。產(chǎn)品特色AEC-Q101 獲得資格100 V e模功率晶體管雙側(cè)冷卻封裝無反向回收裝藥超低功績產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)同級最佳功率密
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難以捉摸的藍(lán)色LED：研究人員最終是如何取得勝利的？

很難想象，首款藍(lán)光 LED 的問世時間竟然晚至 1993 年。這類器件看似構(gòu)造簡單，但表象往往具有迷惑性（見圖 1）。1. 圖像顯示一個藍(lán)色I(xiàn)nGaN基LED帶金線觸點(diǎn)（0.4 × 0.4毫米）（a）。作為商業(yè)產(chǎn)品包裝的LED（b）。德州儀器工程師詹姆斯·R·比亞德和加里·E·皮特曼于1961年意外制造了第一個LED燈。當(dāng)時，他們合作開發(fā)了用于X波段雷達(dá)接收器的低噪聲參數(shù)放大器，并發(fā)現(xiàn)了一種安裝在砷化鎵基板上、能發(fā)射紅外光的二極管。1962年，首款商業(yè)LEDSNX-100 GaAs LED（銨氣管）問世。
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氮化鎵上車進(jìn)行時：從器件特性到系統(tǒng)效率的全面驗(yàn)證

_____2025年12月，匯川聯(lián)合動力與英諾賽科共同宣布，采用650V氮化鎵的新一代6.6kW車載充電系統(tǒng)在長安汽車成功裝車。這標(biāo)志著氮化鎵技術(shù)在中國新能源汽車領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步。該系統(tǒng)將車載充電器與車載直流變換器高度集成，功率密度達(dá)4.8kW/L，較傳統(tǒng)方案提升30%，重量減輕20%。這意味著，更小體積的電源模塊卻能提供更高功率的充電效率。隨著800V高壓平臺在電動汽車中的普及，對電源系統(tǒng)的要求日益提高。技術(shù)的成熟和成本的下降，使得氮化鎵有望在多個領(lǐng)域替代傳統(tǒng)件可能成為未來發(fā)展方向。盡管氮化鎵技術(shù)前景廣
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GlobalFoundries與onsemi合作開發(fā)200毫米氮化鎵產(chǎn)品組合

Globalfoundries（GF）與OnSemi簽署協(xié)議，采用GF的200mm eMode GaN-on-硅工藝開發(fā)和制造先進(jìn)氮化鎵功率產(chǎn)品。初期開發(fā)重點(diǎn)將是用于AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車、可再生能源、工業(yè)系統(tǒng)以及航空航天、國防和安全的650伏電力設(shè)備。OnSemi企業(yè)戰(zhàn)略高級副總裁Dinesh Ramanathan表示：“此次合作將Onsemi的系統(tǒng)和產(chǎn)品專長與GlobalFoundries先進(jìn)的氮化鎵工藝相結(jié)合，為高速增長市場交付新的650V電力設(shè)備。”他補(bǔ)充道：“我們計劃在2026年上半年開始向客戶
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在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)的注意事項

本文詳細(xì)討論了GaN技術(shù)，解釋了如何在開關(guān)模式電源中使用此類寬禁帶開關(guān)，介紹了電路示例，并闡述了使用專用GaN驅(qū)動器和控制器的優(yōu)勢。而且，文中展示了LTspice?工具，以幫助理解GaN開關(guān)在電源中的使用情況。最后，展望了GaN技術(shù)的未來。
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恩智浦將關(guān)閉ECHO Fab晶圓廠，退出氮化鎵5G PA芯片制造

12 月 14 日消息，參考媒體 Light Reading 報道，NXP 恩智浦已做出了關(guān)閉亞利桑那州錢德勒 ECHO Fab 晶圓廠的決定，該企業(yè)也將退出氮化鎵 (GaN) 半導(dǎo)體 5G PA（功率放大器）芯片的制造。2020 年 9 月投產(chǎn)的 ECHO Fab 當(dāng)時是最先進(jìn)的同類生產(chǎn)設(shè)施。而在 2027 年第一季度，這座生命周期不到七年的 6 英寸晶圓廠將完成最后一片晶圓的生產(chǎn)。恩智浦在一份郵件中表示：近年來，由于移動運(yùn)營商投資回報不足，5G 部署進(jìn)程放緩，全球 5G 基站部署數(shù)量遠(yuǎn)低于最初預(yù)期。鑒
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JFS宣布氮化鎵動力模塊取得新突破，準(zhǔn)備進(jìn)行試點(diǎn)規(guī)模驗(yàn)證

2025年12月4日，九風(fēng)山（JFS）實(shí)驗(yàn)室宣布了一項重大技術(shù)突破——氮化鎵（GaN）動力模塊的成功開發(fā)。這些大約拇指大小的“黑盒子”，每個大約有百萬個縮略圖，可以集成到一個1吉瓦（10億瓦）的超大規(guī)模AI計算柜中。一旦部署，整機(jī)架預(yù)計每年可節(jié)省近3億千瓦時電力，約合2.4億元人民幣的電力成本。項目負(fù)責(zé)人李思超博士表示，該技術(shù)已完成概念驗(yàn)證，即將進(jìn)入試點(diǎn)規(guī)模驗(yàn)證。預(yù)計3至5年內(nèi)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，目標(biāo)市場需求潛力達(dá)數(shù)千億元人民幣。吉瓦級計算技術(shù)激增推動AI數(shù)據(jù)中心日益擴(kuò)大的能源缺口如今的AI計算中心運(yùn)行在一個本質(zhì)上
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設(shè)計中的輻射硬質(zhì)：下一代航天與國防系統(tǒng)的氮化鎵半導(dǎo)彈

航天器必須搭載抗輻射（rad-hard）電子設(shè)備，因?yàn)檩椛錁O易導(dǎo)致電子器件故障。因此，電源管理器件對于為衛(wèi)星和航天器上的所有電子設(shè)備供電至關(guān)重要，尤其是當(dāng)航天器內(nèi)有宇航員時。例如，深空任務(wù)可能會遭遇背景輻射產(chǎn)生的中子、放射性同位素?zé)犭姍C(jī)（RTGs）以及其他有害核輻射源（圖 1）；而近地及大氣層環(huán)境中的設(shè)備則會受到銀河宇宙射線（GCRs）及其二次輻射的影響。1. 太空環(huán)境會引發(fā)一系列嚴(yán)酷的影響。此外，太空中的長期輻射效應(yīng)還會影響宇航員和航天器電子設(shè)備。總電離劑量（TID）水平將在組件芯片層級接收，計算有源部
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安森美與英諾賽科達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議，共同加速推進(jìn)全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè)

安森美（onsemi）近日宣布已與英諾賽科（Innoscience）簽署諒解備忘錄，雙方將探索利用英諾賽科成熟的200毫米氮化鎵（GaN）硅基工藝，以擴(kuò)大 GaN 功率器件的生產(chǎn)規(guī)模。該合作將整合安森美在系統(tǒng)集成、驅(qū)動器和封裝方面的專業(yè)能力，以及英諾賽科成熟先進(jìn)的 GaN 制造能力，旨在加速推出高性價比、節(jié)能高效的解決方案，推動 GaN 技術(shù)普及進(jìn)程。新聞概要：●? ?此次合作將擴(kuò)展安森美的中低壓GaN功率產(chǎn)品組合，并在全球范圍內(nèi)擴(kuò)大GaN制造規(guī)模，從而加快產(chǎn)品上市速度并推動更廣泛的應(yīng)
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安塞米與中國Innoscience合作開發(fā)低/中壓氮化鎵樣

onsemi與Innoscience于12月2日簽署了諒解備忘錄（MoU），加快氮化鎵（GaN）電源設(shè)備的部署，起步于40–200V電壓產(chǎn)品。安塞米預(yù)計采樣將在2026年上半年開始，正如其新聞稿所述。該合作旨在將Onsemi在集成系統(tǒng)方面的專業(yè)知識與Innoscience的8英寸氮化鎵技術(shù)相結(jié)合，支持工業(yè)、汽車、電信基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)及人工智能數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的產(chǎn)品。據(jù)中國媒體ICrank報道，此次合作融合了互補(bǔ)優(yōu)勢：Innoscience的晶圓產(chǎn)能支持量產(chǎn)，而安賽米的封裝和系統(tǒng)集成技術(shù)則提升器件性能。這一基礎(chǔ)得
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英飛凌氮化鎵技術(shù)賦能Enphase Energy新一代IQ9光伏微型逆變器

英飛凌科技股份公司近日宣布將為Enphase Energy, Inc.（ENPH）新一代光伏微型逆變器提供其突破性的氮化鎵（GaN）技術(shù)。Enphase Energy是一家全球領(lǐng)先的能源技術(shù)公司，同時也是光伏及電池系統(tǒng)微型逆變器領(lǐng)域全球領(lǐng)先的供應(yīng)商。英飛凌的CoolGaN?雙向開關(guān)（BDS）技術(shù)可大幅提升Enphase IQ9系列微型逆變器的輸出功率、能源效率及系統(tǒng)可靠性，有助于簡化新一代IQ9N-3P?商用微型逆變器的設(shè)計復(fù)雜性，并降低其安裝和系統(tǒng)平衡成本。采用英飛凌氮化鎵技術(shù)的Enphase Ener
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【電動車和能效亮點(diǎn)】格羅方德與臺積電攜手，推進(jìn)面向多元應(yīng)用場景的氮化鎵技術(shù)研發(fā)

格羅方德（GF）日前宣布，與臺積電就650V和80V氮化鎵（GaN）技術(shù)達(dá)成技術(shù)許可協(xié)議。這一戰(zhàn)略布局將加速格羅方德面向數(shù)據(jù)中心、工業(yè)和汽車電源應(yīng)用的下一代氮化鎵產(chǎn)品的開發(fā)，并為全球客戶提供美國本土的氮化鎵產(chǎn)能。Source:?Getty/ Wiyada Arunwaikit隨著傳統(tǒng)硅互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）技術(shù)的性能達(dá)到極限，氮化鎵正被認(rèn)為是一個更優(yōu)的解決方案，以滿足電源系統(tǒng)對更高效率、功率密度和緊湊性日益增長的需求。格羅方德正在開發(fā)全面的氮化鎵產(chǎn)品組合，包括高性能650V和80V技
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