半導體行業充滿知名的定律。其中最著名的是英特爾聯合創始人戈登·摩爾 （Gordon Moore） 指出，IC 上的組件數量每年翻一番。許多人還知道羅伯特·德納德 （Robert Denard） 制定的定律：隨著晶體管尺寸的減小，功率密度沒有變化，因為電壓和電流會隨著通道的長度而變化。但請注意，自上世紀九十年代中期以來，丹納德縮放似乎已經崩潰。化合物半導體行業也有法律。也許您聽說過海茨定律，該定律指出，LED 的每流明成本每十年下降十倍，并且對于給定的波長，封裝設備產生的光會增加 20 倍。最近，由于我參與
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垂直 GaN 晶體管有很多話要說。與其水平兄弟產品相比，它在給定的封裝下提供更高的擊穿電壓和電流，同時提供卓越的可靠性并簡化熱管理。然而，初創企業將垂直氮化鎵晶體管商業化的努力失敗了，如今，橫向變體在商業上取得了成功，部分原因是建立了一個“殺手級”應用，即移動設備的快速充電。阻礙卓越幾何形狀的成功是其原生基礎。除了價格高昂之外，GaN 襯底的尺寸也有限，典型直徑僅為 50 mm。這可以防止在受益于規模經濟的成熟 200 毫米生產線上制造設備，以及使用更現代化的加工設備。Vertical Semicondu
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EPC設計了一種用于機器人肢體關節的基于GaN的電機驅動器。眾所周知，EPC91120是一款評估板，采用直徑為 32 毫米的圓形封裝的三相無刷直流電機驅動器，旨在直接內置到機器人電機組件中，特別是與機器狗的一部分的 Unitree A1 電機一起使用。它具有三個EPC23102單片 GaN 半橋 IC、一個板載 STM32G431CBU6 微控制器、電流傳感、電壓傳感、一個磁編碼器接口和 RS485 通信。工作電壓范圍為 15 至 55Vdc，可提供高達 15Arms 的功率和 30Arms 的脈沖（最大
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Power Integrations 最近概述了 1,250 V 和 1,700V PowiGaN 技術在為下一代 AI 數據中心供電方面的實用性，強調了其 PowiGaN 氮化鎵 （GaN） 技術在為下一代 AI 數據中心供電方面的效用。它在圣何塞舉行的 2025 年 OCP 全球峰會上發布的白皮書中進行了介紹，NVIDIA 還在合作中提供了 800V DC 架構的最新信息，以加速向 800V 直流電源和兆瓦級機架的過渡。本文揭示了1,250V PowiGaN H
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氮化鎵（GaN）已成為功率電子市場的主要增長引擎。憑借優越的材料特性，GaN 在高頻、高效率和緊湊型電源應用中具有獨特優勢，推動多個行業領域進入新一輪的技術變革。根據 TrendForce 的預測，GaN 功率器件市場預計將從 2024 年的 3.9 億美元增長到 2030 年的 35.1 億美元，復合年增長率（CAGR）為 44%。氮化鎵技術最初在消費電子產品的快充器中獲得了關注，其高效率和功率密度使得充電器更小、更便攜。如今，氮化鎵應用正迅速擴展到需要更高可靠性和性能的高端工業和汽車領域。關鍵的新興應
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美國加州大學洛杉磯分校 （UCLA） 和密歇根大學安娜堡分校聲稱增強模式 N 極性深凹槽 （NPDR） 氮化鎵 （GaN） 高電子遷移率晶體管 （HEMT） 具有破紀錄的小信號性能 [Oguz Odabasi 等人，IEEE 電子器件快報，2025 年 7 月 3 日在線發表]。特別是，122GHz 的高頻率T截止頻率可實現 9.1GHz-μm f 的高值TxLG盡管柵極長度很短，但品質因數很短 （LG).該團隊認為該器件結構在高頻、高功率應用中很有前途。研究人員認為 N 極性氮化鎵的優勢包括“
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BelGaN 在比利時的氮化鎵功率半導體工廠去年關閉。據 eeNews Europe 的報道，有報道稱三個財團有興趣收購該設施，主要用于光子應用。報道還指出該工廠之前專注于汽車功率器件。報告稱，關閉預計將使地方當局花費超過110萬歐元，并補充說，歐洲全球化和調整基金將為2024年7月裁員的417名員工提供支持。報道中提到的競標者包括 Silex Microsystems，它是世界上最大的純 MEMS 晶圓廠。如 evertiq 所述，Silex Microsyste
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雖然臺積電計劃在 2027 年退出氮化鎵（GaN）晶圓代工業務，但行業巨頭英飛凌正在加大力度。憑借其強大的 IDM 模式，英飛凌根據其新聞稿 ，正在推進其在 300 毫米晶圓上的可擴展氮化鎵生產，首批客戶樣品定于 2025 年第四季度發布。根據 商業時報 的報道，臺積電計劃于 2027 年 7 月 31 日終止其氮化鎵晶圓代工服務，稱中國競爭對手帶來的價格壓力是主要驅動因素。 自由時報 補充說，由于對氮化鎵的低利潤前景持懷疑態度，臺積電已決定逐步淘汰其氮化鎵業務，并
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臺積電昨日在一份聲明中表示，將在未來兩年內逐步淘汰其化合物半導體氮化鎵 （GaN） 業務，并援引市場動態。這家全球最大的合同芯片制造商表示，這一決定不會影響其之前宣布的財務目標。“我們正在與客戶密切合作，以確保平穩過渡，并在此期間繼續致力于滿足他們的需求，”它說。“我們的重點仍然是為我們的合作伙伴和市場提供持續的價值。”臺積電的最新舉措出乎意料，因為這家芯片制造商在其年度報告中表示，它已經開發了第二代 650 伏和 100 伏 GaN 芯片，預計將于今年開始生產，同時它正在開發 8 英寸 650 伏增強型
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Renesas Electronics 表示，隨著市場競爭加劇，公司正在加大對其氮化鎵（GaN）功率器件的承諾，并轉向使用 200 毫米晶圓和 650V d 模式器件。Navitas Semiconductor 也通過與大功率芯片和英飛凌技術的合作，轉向使用 200 毫米晶圓，而英飛凌技術正在準備在更大的 300 毫米晶圓上進行生產。Renesas 的舉措是基于與美國 Polar Semiconductor 的最近合作協議，以及在 2027 年開始在日本第二個 200 毫米晶圓廠的生產。該公司宣布已暫停碳
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本文闡釋了在開關模式電源中使用氮化鎵(GaN)開關所涉及的獨特考量因素和面臨的挑戰。文中提出了一種以專用GaN驅動器為形式的解決方案，可提供必要的功能，打造穩固可靠的設計。此外，本文還建議將LTspice?作為合適的工具鏈來使用，以便成功部署GaN開關。
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隨著AI數據中心的快速發展、電動汽車的日益普及，以及全球數字化和再工業化趨勢的持續，預計全球對電力的需求將會快速增長。為應對這一挑戰，英飛凌科技股份公司近日推出EasyPACK? CoolGaN? 650 V晶體管模塊，進一步擴大其持續壯大的氮化鎵（GaN）功率產品組合。該模塊基于Easy Power Module平臺，專為數據中心、可再生能源系統、直流電動汽車充電樁等大功率應用開發。它能滿足日益增長的高性能需求，提供更大的易用性，幫助客戶加快設計進程，縮短產品上市時間。英飛凌EasyPACK?英飛凌科技
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氮化鎵（GaN）單片雙向開關正重新定義功率器件的電流控制范式。 傳統功率器件（如MOSFET或IGBT）僅支持單向主動導通，反向電流需依賴體二極管或外接抗并聯二極管實現第三象限傳導。這種被動式反向導通不僅缺乏門極控制能力，更因二極管壓降導致效率損失。為實現雙向可控傳導，工程師常采用背對背（B2B）拓撲級聯兩個器件，卻因此犧牲了功率密度并增加了系統復雜度。由于有效的州電阻（RDSON）加倍，因此需要這些設備的平行組，以使返回到使用單向開關獲得的值。可以執行此類四季度操作的單片設備可以通過用單個設備替換四個活
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