臺積電昨日在一份聲明中表示，將在未來兩年內逐步淘汰其化合物半導體氮化鎵 （GaN） 業務，并援引市場動態。

這家全球最大的合同芯片制造商表示，這一決定不會影響其之前宣布的財務目標。

“我們正在與客戶密切合作，以確保平穩過渡，并在此期間繼續致力于滿足他們的需求，”它說。“我們的重點仍然是為我們的合作伙伴和市場提供持續的價值。”

臺積電的最新舉措出乎意料，因為這家芯片制造商在其年度報告中表示，它已經開發了第二代 650 伏和 100 伏 GaN 芯片，預計將于今年開始生產，同時它正在開發 8 英寸 650 伏增強型高電子遷移率晶體管，計劃明年生產。

基于 GaN 的芯片正在成為硅基芯片的替代品，適用于需要高功率效率、更快開關速度和更小外形尺寸的應用。這些芯片用于汽車行業、數據中心和光電子領域。

納微半導體在周二的一份聲明中表示，力晶半導體制造有限公司（Powerchip Semiconductor Manufacturing Co.）將接替臺積電成為納微半導體（Navitas Semiconductor Inc.）的高壓氮化鎵芯片供應商。

Powerchip 已與 Navitas 達成協議，在其位于苗栗縣湖南科學園的 200 毫米工廠生產 GaN 芯片。

納微半導體表示，Powerchip 將制造納微半導體的 GaN 產品組合，額定電壓從 100 伏到 650 伏不等，以支持超大規模人工智能數據中心和電動汽車不斷增長的需求。

納微半導體表示，預計今年第四季度將對初始器件進行認證，100 伏系列預計將于明年上半年在 Powerchip 開始生產，而 650 伏器件將在未來 12 至 24 個月內從臺積電過渡到 Powerchip。

該公司補充說，Powerchip 的晶圓廠自 2019 年開始運營，支持從 micro-LED 到射頻 GaN 器件的大批量制造工藝。