Globalfoundries（GF）與OnSemi簽署協議，采用GF的200mm eMode GaN-on-硅工藝開發和制造先進氮化鎵功率產品。

初期開發重點將是用于AI數據中心、電動汽車、可再生能源、工業系統以及航空航天、國防和安全的650伏電力設備。

OnSemi企業戰略高級副總裁Dinesh Ramanathan表示：“此次合作將Onsemi的系統和產品專長與GlobalFoundries先進的氮化鎵工藝相結合，為高速增長市場交付新的650V電力設備。”

他補充道：“我們計劃在2026年上半年開始向客戶提供樣品，并迅速實現批量生產。”

GF表示，其eMode（增強模式）MISHEMT（金屬絕緣體半導體高電子遷移晶體管）技術使用硅基板上生長的氮化鎵（GaN），主要用于高性能、節能的無線通信，包括數據中心、工業和汽車應用，這些應用需要高電壓、高頻性能。

OnSemi將使其硅芯片驅動器、控制器和熱增強封裝與GF的650V GaN技術結合，以優化高功率密度的器件。Onsemi表示，該產品組合將包括用于人工智能數據中心的電源和DC-DC轉換器、電動車的車載充電器和DC-DC轉換器、太陽能微逆變器和儲能系統、電機驅動和DC-DC轉換器，這些產品適用于工業和航空航天、國防和安全領域。

采樣工作將于2026年上半年開始。