安塞米與中國Innoscience合作開發低/中壓氮化鎵樣
onsemi與Innoscience于12月2日簽署了諒解備忘錄(MoU),加快氮化鎵(GaN)電源設備的部署,起步于40–200V電壓產品。安塞米預計采樣將在2026年上半年開始,正如其新聞稿所述。該合作旨在將Onsemi在集成系統方面的專業知識與Innoscience的8英寸氮化鎵技術相結合,支持工業、汽車、電信基礎設施、消費及人工智能數據中心應用的產品。
據中國媒體ICrank報道,此次合作融合了互補優勢:Innoscience的晶圓產能支持量產,而安賽米的封裝和系統集成技術則提升器件性能。
這一基礎得到了Innoscience在8英寸氮化鈾領域的領先地位的強化。據《STAR Market Daily》報道,該公司是全球首家實現8英寸硅基氮化鎵晶圓批量生產的公司,也是全球唯一一家在工業規模范圍內提供全電壓硅基氮化鎵產品系列的公司。報告補充稱,到2024年底,其月度氮化鎵晶圓產量已達到13,000片,收益率超過95%。
安塞米構建靈活產能以推動全球氮化鎵部署
正如Gurufocus所強調的,全球第二大功率芯片制造商、領先的汽車圖像傳感器供應商安塞米已從高度垂直整合的模式轉型為混合制造策略,實現了更大的產能靈活性。公司還將戰略重點轉向電動汽車、自動駕駛、工業自動化和可再生能源等新興細分市場。
安瑞認為,此次合作將擴展其低壓和中壓(40V至200伏)氮化鎵功率設備組合,提升全球氮化鎵生產能力,促進產品更快推廣和更廣泛采用,正如Anue所指出的。安托萬·賈拉貝爾,副安賽米企業戰略總裁補充說,與Innoscience合作將使公司能夠接觸到業內最大的氮化鎵制造基地,從而快速擴展其氮化鎵產品線,面向全球客戶。












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