2015年3月19日，慕尼黑上海電子展(electronicaChina)在上海新國際博覽中心圓滿落下帷幕。聯合慕尼黑上海電子生產設備展(productronicaChina)，展會共設5個展館，展示總面積達到57,500平方米。在三天展出期間，來自28個國家和地區的1,006家展商齊聚一堂，全面展示電子產業領域高新技術產品和創新解決方案。展會吸引了55,365位來自工業、汽車、通訊、醫療和消費電子領域的專業觀眾到會參觀，觀眾數量相比2014年增幅超過7%。展會期間舉辦了6場專業技術論壇，與會聽眾超過
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美光 物聯網
全球領先的半導體解決方案提供商美光科技有限公司(Micron Technology, Inc. 納斯達克股票代碼：MU)今天宣布推出超可靠、超快速和適用于超高溫環境的并行NOR閃存和低功耗DDR4(LPDDR4)DRAM，以滿足汽車行業對于存儲設備越來越高的要求。美光G18 NOR系列產品提供了業界性能最卓越的并行NOR，而汽車級LPDDR4解決方案更是業界首創。
這些新品滿足了汽車應用對于超高速數據傳輸的要求。美光G18系列產品所具有的卓越性能(266MB/秒)讓高密度應用實現了更快速的啟動和
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美光 LPDDR4
IBM不斷撤出半導體業務部門，但始終持續投資在儲存設備領域，尤其看好快閃存儲器(NAND Flash)市場，新一代的IBM FlashSystem系列產品，更正式和存儲器大廠美光(Micron)合作，內建MLC型NAND Flash芯片，專攻企業級儲存設備，目前IBM已經在大陸與當地相關業者建立“閃存聯盟”，2015年將復制同樣的生態體系到臺灣市場。
IBM指出，一直與全球主要的存儲器大廠都有合作關系，這次重量級的FlashSystem 900和FlashSystem V
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傳統的平面閃存在16/15nm工藝之后面臨瓶頸，廠商開始轉向3D閃存，這其中三星動作最快，去年就已經開始量產第二代V-NAND閃存了，850 Pro及850 Evo硬盤也上市了。東芝/閃迪系也在跟進，在日本擴建Fab 2工廠準備3D閃存生產，Intel/美光系去年底也公開了他們的3D NAND閃存，現在也準備量產了。日前美光宣布投資40億美元擴建新加坡的Fab 10晶圓廠，明年底開始量產第二代3D NAND閃存。
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美光斥資40億美元升級Fab 10X晶圓廠生產3D N
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近日，美光科技在上海舉行以“存儲及其發展如何幫助實現未來互聯世界”為主題的“美光開放日”活動。美光科技高層與業內專家、學者和媒體共同分享公司在該領域的見解和創新解決方案，探討和展望未來行業發展趨勢。
美光科技作為僅有的兩家能夠提供提供全存儲類型解決方案的廠商，占據整個存儲器22%以上的市場份額，穩居第二位。如今美光科技面向網絡建設、機器對機器、移動設備、云和大數據五大應用領域，提供全球最廣泛的存儲產品組合，包括：DRAM芯片和存儲條、固態硬盤、NA
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2月25日，美光科技股價周二大幅下跌，原因是據一份韓國報紙報道稱，三星電子已經與蘋果公司達成了一項協議，將向后者提供大約一半的先進DRAM(動態隨機存取存儲器)芯片。
據《韓國時報》報道稱：“兩名熟知內情的消息人士周一透露，三星電子已經與LG電子和蘋果達成協議，將為其新的智能手機系列產品提供先進的DRAM芯片。”
報道還稱：“預計這項交易的金額將達數十億美元，這可能意味著最近以來三星電子與蘋果之間的冰凍關系將開始解凍。一名熟知雙方交易的業內官員向《韓國時
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希捷科技(Seagate Technology)與美光科技(Micron Technology, Inc.)宣布簽署策略性協議，設立一結合兩家公司創新與專業技術之架構。在此協議的架構基礎上，雙方客戶能夠同時受益于領先業界的儲存解決方案，進而更快速且有效率地實現創新。
盡管在合作初期，美光與希捷將著重于下個世代的 SAS 固態硬碟(SSD)與策略性 NAND 型快閃記憶體的供貨，但是雙方皆預期這項長達數年的結盟協議在未來將有機會發展更多合作，甚至推出采用美光 NAND 型快閃記憶體的企業級儲存解決
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韓國業界高層向韓國時報透露，今年新訂單暢旺，芯片業者可望荷包滿滿，然而SK海力士制程發展較慢，若追上三星，今年下半或許會有新一波“懦夫博弈”(game of chicken)，意味業者可能會流血競爭，擴產搶市占。
相關人士說，三星電子添購設備，生產更多服務器和計算解決方案用的DRAM，并擴增第17線廠產能。據傳三星接獲大單，會增產企業服務器用的20納米內存。業界高層說，不是所有內存商都能開心度過今年，三星和SK海力士的制程技術拉大至兩年，可能會有新一輪的生存大戰。
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記憶體卡巨擘SanDisk下修展望，加上傳言三星屯兵積糧、似有增產企圖，導致美光科技(Micron Technology)股價連瀉三日，創下近三個月新低。
SeekingAlpha引述券商Northland Securities報告指出，三星大買DRAM機臺、計畫增加產能，美光將最先感受到沖擊。
此前，高盛警告記憶體業可能進入新一輪產能軍備競賽，美光上周曾對此表示，半導體產業經過整并后，不太可能重蹈覆轍。不過，如果三星增產是事實，即使市場需求沒有問題，也難保DRAM定價不會面臨壓力。
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據《華爾街日報》網絡版報道，市場調研公司Gartner發布的初步數據顯示，隨著傳統PC產能的回升，2014年全球芯片銷售額同比增長7.9%。內存芯片制造商引領了這輪增長。
數據顯示，去年全球芯片銷售額增長至3398億美元，前25大半導體公司占據了總銷售額的72.1%，高于2013年的69.7%。
英特爾繼續保持其第一大半導體公司的地位，2014年芯片營收預計在508.4億美元，同比增長4.6%，在經歷了兩年的下滑后重新恢復增長。三星電子排在第二，預計營收在352.8億美元，同比增長10%。
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物聯網(IoT)加速半導體技術和數量成長，今年包括日月光、矽品、力成等封測大廠加快腳步，布局物聯網和微機電(MEMS)封裝領域。
多元晶片價格下跌、無線通訊裝置普及，加上巨量資料(Big Data)興起等三條件成熟，配合云端儲存和IPv6網際網路陸續到位，今年物聯網(Internet ofThings)和云端應用可望持續發酵。
物聯網將帶動全球半導體產業技術和數量成長，市場預期物聯網和云端時代，半導體數量將以兆(trillion)為單位。
在物聯網時代，包括微機電(MEMS)感測元件
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美國存儲器大廠美光(Micron)宣布，與存儲器廠商華邦電擬進一步合作開發新一代超高速序列式編碼型快閃存儲器(Serial NOR Flash)，搶攻汽車電子、穿戴裝置，以及智慧家庭等物聯網應用商機，預計2015年1月就會開始送樣認證1GB芯片。
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據了解，美光日前宣布與華邦電結盟，雙方將開發新一代Twin-Quad的超高速序列式NOR Flash產品線;雙方所合作的Twin-Quad序列式NOR Flash，比NAND Flash速度更快，且比現有序列式NOR Fla
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DRAM廠華亞科與兩大股東臺塑集團、美國美光(Micron)等三方之間，已經對明年合約內容達成共識，明年華亞科出貨給美光的DRAM計價公式，與今年相同維持不變。
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華亞科明年將投資逾500億元加速轉進20奈米，隨著20奈米產出比重逐月持續拉升，單位制造成本將持續下降，只要DRAM價格維持高檔，獲利可望大躍進，全年每股凈利挑戰8元以上。
華亞科去年與美光重新簽訂6年期合約，華亞科產出全數交給美光，今年初合約內容進行部分調整，給予美光的折扣
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DRAM產業屢傳佳績，主要供應商三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)等業績大幅改善，三星電子內存事業部晉升人數創3年新高，員工也可望在2015年初，通過超額利潤分配金分享公司獲利。
據D-Daily報導，三星電子最近執行定期高層人事調動，2015年度內存事業部晉升規模達22人，相較2013年14人晉升，2014年升職人數創近年新高。因今年業績低迷，三星集團(Samsung Group)主要關系企業的人員升遷規模，相較于往年大幅萎縮，只有內存事業部晉升
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韓國時報(Korea Times)15 日報導，三星電子明年將投資半導體設備 13.5 兆韓圜，或相當于 120 億美元，稍高于今年的 13 兆韓圜。
全球記憶體晶片市場目前由三星、SK 海力士與美光所把持，三大廠市占率合計來到 93%。知情人士消息指出，三星并不打算大幅增加設備資本支出的主要考量是明年策略將放在維持價格穩定與市場供需平衡。
據報導，三星看準儲存型快閃記憶體(NAND Flash)的市場需求有望增加，因此考慮明年在大陸西安開設新廠房。除此之外，有鑒于 DRAM 的需求平穩，
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