2024 年 3 月 1 日，中國上海 —— Micron Technology，Inc. （美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布美光低功耗 LPDDR5X 內存和 UFS 4.0 移動閃存助力榮耀最新款旗艦智能手機榮耀 Magic6 Pro 提供端側人工智能體驗。該手機支持 70 億參數的大語言模型（LLM）——“魔法大模型”（MagicLM），開創了端側生成式人工智能新時代。榮耀 Magic6 Pro 以MagicLM 大語言模型為核心，在美光內存和存儲的加持下，實現了升級版預測性和
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美光 內存 存儲 榮耀 Magic6 Pro 智能手機 LPDDR5X UFS 4.0
2024 年 2 月28日，中國上海 – Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布開始送樣增強版通用閃存（UFS）4.0 移動解決方案，該方案具有突破性專有固件功能并采用業界領先的緊湊型UFS 封裝（9 x 13mm）。基于先進的232層3D NAND技術，美光UFS 4.0解決方案可實現高達 1 TB容量，其卓越性能和端到端技術創新將助力旗艦智能手機實現更快的響應速度和更靈敏的使用體驗。 美光UFS 4.0的順序讀取速度和順序寫入速
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美光 緊湊封裝型 UFS 智能手機設計 大容量電池
IT之家 2 月 27 日消息，美光科技在 MWC 2024 上宣布了其最新手機存儲解決方案。該公司推出了迄今為止最緊湊的 UFS 4.0 封裝，尺寸僅為 9 x 13 毫米，仍然提供最高 1 TB 的容量和 4300 MB/s 順序讀取速度、4000 MB/s 順序寫入速度。美光表示，推出較小解決方案的主要原因是智能手機原始設備制造商的反饋。制造商們希望為更大的電池留出更多手機內部空間。美光在其位于美國、中國和韓國的聯合客戶實驗室開發了該產品，并基于其 232 層
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如今，PC 游戲對性能的要求不斷提高，因此也需要更加強大的游戲 PC。對當前和未來的游戲而言，玩家更關注能夠充分支持 Microsoft DirectStorage 的固態硬盤 (SSD) 。SSD 是新一代游戲系統硬件的關鍵組成部分，在提升玩家游戲體驗方面愈發重要。CPU 是影響游戲性能的關鍵硬件之一，但往往由于承擔了大量工作負載而成為開放世界游戲的性能瓶頸。通過 DirectStorage 技術，SSD 能夠繞過 CPU 傳輸信息，極大地提升了專業游戲玩家的體驗。在追求流暢的沉浸式開放世界游
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三星稱其已經在美國硅谷開設了一個新的內存研發（R&D）機構，專注于下一代3D DRAM芯片的開發。該機構將在設備解決方案部門美國分部（DSA）的硅谷總部之下運營，由三星設備解決方案部門首席技術官、半導體研發機構的主管Song Jae-hyeok領導。全球最大的DRAM制造商自1993年市場份額超過東芝以來，三星在隨后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市場份額要明顯高于其他廠商，但仍需要不斷開發新的技術、新的產品，以保持他們在這一領域的優勢。三星去年9月推出了業界首款且容量最高的32 Gb
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三星 內存 DRAM 芯片 美光
2024 年 1 月 18 日，中國上海 —— Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）近日宣布推出業界首款標準低功耗壓縮附加內存模塊（LPCAMM2），提供從 16GB 至 64GB 的容量選項，為 PC 提供更高性能、更低功耗、更緊湊的設計空間及模塊化設計。LPCAMM2 內存模塊現已出樣，并計劃于 2024 年上半年量產，這是自 1997 年業界采用小型雙列直插式內存模塊（SODIMM）以來，客戶
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在2024年即將到來之際，多家機構給出預測，認定生成式AI將成為2024年的增長重點之一。回顧2023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI熱潮，不僅僅是下游市場的AI應用，這股大火一直燒到了上游芯片領域，根據權威機構預測，2023年和2024年，AI服務器將有38%左右的增長空間。隨著GPU等AI芯片走向高峰的同時，也極大帶動了市場對新一代內存芯片HBM（高帶寬內存）的需求。 HBM是何方神圣？ 首先，我們先來了解一下什么是HBM。HBM全稱為High Bandwich Me
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1?沉重的社會話題幾年前，王女士朋友的70多歲婆婆患了阿爾茲海默癥，朋友的老公后來無法外出工作，在家全職照顧她。這使王女士開始關注這類病癥，了解到如果盡早地發現和干預，可使病癥發展減緩。同時，患者需要大量的康復訓練，但患者因為腦部疾病會難以融入社區、社會，同時因為昂貴的康復費用等因素，為康復帶來一定的難度。在不久前的CNCC2023（中國計算機大會）上，王女士了解到精神健康已是一個重要的社會話題，相關的醫學電子正向數據驅動型、精準診療方向發展，而生成式AI /大模型是推進其進化的加速器。生成式A
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據IBM官網消息，美國紐約州州長宣布與IBM、美光以及其他行業參與者合作，投資100億美元在紐約州 Albany NanoTech Complex 建設下一代 High-NA EUV 半導體研發中心。IBM稱，這將是北美第一個也是唯一一個擁有高數值孔徑極紫外光刻(高NA EUV)系統的公共研發中心，可為開發和生產小于2nm的節點芯片鋪平道路。
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IBM 美光 EUV
2023 年 12 月 11 日，中國上海——Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）近日宣布，基于美光 232 層 NAND技術的 3500 NVMe? 固態硬盤（SSD） 現已向客戶出貨，用于滿足商業應用、科學計算、新款游戲和內容創作對工作負載的嚴苛需求，從而進一步實現性能突破。美光 3500 SSD 采用 M.2 外形規格，容量高達 2TB，提供了超越競品的用戶體驗[[1]]，在SPECwpcsm 測試中表現突出，能將產品開發應用性能提升至高 7
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Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布領先業界推出基于?32Gb?單裸片的128GB DDR5 RDIMM?內存，具有高達?8,000 MT/s?速率的一流性能，可支持當前及未來的數據中心工作負載。該款大容量、高速率內存模塊特別針對數據中心和云環境中廣泛的任務關鍵型應用，例如人工智能?(AI)、內存數據庫?(IMDB)?以及需要對多線程、多核通用計算工作負載進行高效處理的場景，滿足它們對
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存儲器大廠美光近期公布最新路線圖，包括DDR5、GDDR7和HBM4E存儲器技術，其中GDDR7正好趕上明年底下一代英偉達GPU芯片。美光最新路線圖延長至2028年，比7月發布時延長兩年，內容也調整過，增加幾款新產品。美光目前第二代HBM3運行速度為1.2TB/s，為8層堆疊，預計2026年推出12和16層堆疊的HBM4，帶寬超過1.5TB/s；到2027~2028年，將發布12層和16層堆疊的HBM4E，帶寬可達2TB/s以上。至于GDDR7上市時間有些改變，從2024上半年延后到年底，與目前最快的GD
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美光 存儲
存儲市場消費電子應用疲軟的環境下，HBM成為發展新動能，備受大廠重視。近期，三星、美光傳出將擴產HBM的消息。大廠積極布局HBM近期，媒體報道三星為了擴大HBM產能，已收購三星顯示（Samsung Display）韓國天安廠區內部分建筑及設備，用于HBM生產。據悉，三星計劃在天安廠建立一條新封裝線，用于大規模生產HBM，該公司已花費105億韓元購買上述建筑和設備等，預計追加投資7000億-1萬億韓元。 此前，據三星電子副社長、DRAM產品與技術團隊負責人黃尚俊透露，三星已開發出9.8Gbps的H
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三星 美光 HBM
11月10日消息，美國時間周四，美股收盤主要股指全線下跌，結束了標指和納指兩年來最長的連續上漲。美聯儲主席鮑威爾警告稱，可能需要提高基準利率來抑制通貨膨脹。道瓊斯指數收于33891.94點，下跌220.33點，跌幅0.65%；標準普爾500指數收于4347.35點，跌幅0.81%；納斯達克指數收于13521.45點，跌幅0.94%。大型科技股多數下跌，谷歌和亞馬遜跌幅超過1%；Meta上漲，漲幅不到1%。芯片龍頭股漲跌不一，英偉達、高通、博通和美光上漲，美光漲幅超過1%；臺積電、英特爾和Arm等下跌，Ar
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