據證券時報消息,長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的128層3D NAND技術的研發進度。楊士寧表示,128層3D NAND技術研發進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現全員復工,從中長期來看,這次疫情并不會影響總體進度。128層技術會按計劃在2020年推出。今年早些時候,長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔表示,接下來,長江存儲將跳過如今業界常見的96層,直接投入128層閃存的研發和量產工作。▲長江存儲64層3D NAND閃存晶圓了解到,長江存儲科技有限責任公司成立于2016年7月,總
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長江存儲 3D NAND
根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查,雖然新冠肺炎疫情延燒,使得2020年第一季的終端產品出貨動能格外疲弱,但在NAND Flash領域,因為2020年全年供給位元產出年成長收斂至三成,加上各大供應商資本支出保守,第一季NAND Flash均價在淡季仍上漲約5%。
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集邦咨詢 新冠肺炎 NAND Flash
存儲器大廠華邦電近日宣布,開發出業界首款新型高速Octal NAND Flash產品,可望使高容量序列(Serial)介面NAND Flash成為當前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案,解決NOR Flash容量愈大、成本愈高問題。華邦電表示,Octal NAND Flash可望于1Gb以上儲存容量級別,提供車用與工業應用領域穩健可靠的儲存存儲器。
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華邦電 NAND Flash 車用與工業應用領域
據IDC預測,2025年全球數據將有175 ZettaBytes的總量,如此驚人而又龐大的數據量,半導體存儲器將具有極大的市場。半導體存儲器分為易失存儲器和非易失存儲器兩種,具體類型如下:“凜冬將至”:這兩年的存儲器市場2017年的存儲器市場可以用火熱來形容,三大存儲器公司(三星、海力士、美光)的財報都非常喜人,SK海力士、美光的營收規模均成長近8成,而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導體營收頭把交椅。整體來說,2017年全球半導體市場規模比2016年成長22.2%,達4197.2億美元,存儲器的
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存儲器、NAND、DRAM
近日,紫光集團旗下武漢新芯集成電路制造有限公司,宣布推出業界先進的50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產品系列XM25QWxxC。該系列支持低功耗寬電壓工作,為物聯網、可穿戴設備和其它功耗敏感應用提供靈活的設計方案。
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武漢新芯 50nm SPI NOR Flash
近日,以“數智·未來”為主題的2019中國數據與存儲峰會在北京成功舉辦。匯聚全球數據存儲領域知名的專家學者、企業領軍人物與代表性企業用戶,本次峰會旨在幫助企業和社會提升數據智能水平,推動全球存儲與數據產業發展。英特爾公司中國區非易失性存儲事業部總經理劉鋼先生出席大會并發表演講,不僅從產品層面闡述了英特爾如何通過傲騰?技術和QLC NAND?技術填補當前存儲層級中的巨大鴻溝,還通過諸多用戶案例進一步展示英特爾如何通過內存與存儲的產品、技術創新引領存儲新架構,構建數據金字塔。英特爾公司中國區非易失性存儲事業部
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QLC NAND 內存
近日消息 根據guru3D的報道,隨著NAND閃存技術的創新發展,固態硬盤TB內存時代即將到來,SK海力士現已推出了第一批基于其128層4D NAND產品樣品。
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SK 4D NAND 128層
現如今,基本上所有的東西都打上了一個叫做“保質期”的標簽。在電子產品那里,有一個更為專業一點的術語,叫做“產品生命周期”。
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RAM flash 程序
近日,?業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice(股票代碼 603986)宣布,其旗下全新一代高速8通道SPI NOR Flash---GD25LX256E榮獲中國電子信息產業發展研究院頒發的2019年第十四屆“中國芯”優秀技術創新產品獎。“中國芯”獎項是目前國內最具權威性與影響力的獎項之一,本屆共有125家芯片企業、累計187款芯片產品參與報名,基本涵蓋國內最具實力的集成電路企業和最具代表性的產品,是國內集成電路產品和技術發展的風向標和大檢閱。此次SPI NOR Flash產品
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NOR Flash
據外媒報道,東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash,該技術是基于創新的Bics Flash 3D NAND技術和SLC,XL-Flash將為數據中心和企業存儲帶來了低延遲和高性能的解決方案,樣品預計將于下月送樣檢測,或將于2020年量產。
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東芝 存儲器 XL-Flash
網易科技訊 9月2日消息 紫光集團旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣布,公司已開始量產基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
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3D NAND
Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出,繼6月中旬東芝斷電事件后,日本政府近日宣布從7月4日起,開始管控向南韓出口3種生產半導體、智能手機與面板所需的關鍵材料,造成存儲器產業下游模組廠出現提高報價狀況,然而,由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高,加上并非完全禁止原物料出貨,僅是申請流程延長,短期結構性供需反轉的可能性低。日韓貿易戰的爆發使得業界盛傳存儲器價格將反轉,集邦咨詢分析指出,因DRAM價格已歷經連續三個季度快速下滑,下游
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日韓貿易戰 東芝 DRAM/NAND
SK海力士于26日宣布,將量產全球首款128層的1Tb(Terabit) TLC 4D NAND閃存,并計劃下半年開始銷售。
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SK海力士 4D NAND 128層
日本三重縣四日市日前發生停電意外,市場傳出存儲器大廠東芝存儲器(TMC)當地營運的5座 NAND Flash工廠的營運中斷,盡管東芝存儲器尚未對外說明影響,但據傳出,合作投資的威騰(WD)已通知客戶可能無法按照原定時程出貨。
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?威騰 東芝存儲器 NAND Flash
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