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dram 文章 最新資訊

華邦電子預(yù)計(jì)DRAM價格到2026年6月將暴漲近4倍，產(chǎn)能已預(yù)訂至2027年

  • AI應(yīng)用持續(xù)推動內(nèi)存需求激增，昨日華邦電子（Winbond）在法說會上指出，DRAM供應(yīng)緊張已成為當(dāng)前焦點(diǎn)。據(jù)《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道，公司表示DRAM短缺將持續(xù)存在，本季度內(nèi)存價格預(yù)計(jì)將飆升90%–95%，而下一季度的漲幅有望與本季持平。《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》進(jìn)一步指出，除了本季度價格接近翻倍外，第二季度價格預(yù)計(jì)還將再上漲近一倍，這意味著到2026年6月底，DRAM價格可能達(dá)到2025年底水平的近4倍。《工商時報(bào)》也提到，華邦2025年和2026年的產(chǎn)能已全部售罄，產(chǎn)線處于滿載運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)。受此強(qiáng)勁漲價趨勢推動，機(jī)構(gòu)投資者對
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如何走出DRAM短缺困境？

  • 如今科技領(lǐng)域似乎一切都圍繞AI展開，而事實(shí)也的確如此。在計(jì)算機(jī)內(nèi)存市場，這一點(diǎn)體現(xiàn)得尤為明顯。為AI數(shù)據(jù)中心中GPU及其他加速芯片提供支持的DRAM需求極其旺盛、利潤空間巨大，導(dǎo)致原本用于其他領(lǐng)域的內(nèi)存產(chǎn)能被分流，價格也隨之暴漲。據(jù)Counterpoint Research數(shù)據(jù)，本季度截至目前，DRAM價格已上漲80%～90%。電子行業(yè)為何會陷入這一困境？當(dāng)前局面是DRAM行業(yè)周期性繁榮與衰退疊加前所未有的AI硬件基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)浪潮共同導(dǎo)致的結(jié)果。供需劇烈波動的核心要理解這一事件的來龍去脈，就必須認(rèn)識到造成
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英特爾重返 DRAM 賽道？深入解析與軟銀合作的 Z-Angle 內(nèi)存項(xiàng)目

  • 2 月 2 日，英特爾宣布與軟銀子公司 SAIMEMORY 達(dá)成合作，共同研發(fā) Z-Angle 內(nèi)存（ZAM），其內(nèi)存領(lǐng)域的野心再度引發(fā)關(guān)注。根據(jù)雙方發(fā)布的新聞稿，該項(xiàng)目將于 2026 年第一季度啟動，預(yù)計(jì) 2027 年推出原型產(chǎn)品，2030 年實(shí)現(xiàn)全面量產(chǎn)。在此次合作中，英特爾將提供技術(shù)與創(chuàng)新支持，SAIMEMORY 則主導(dǎo)產(chǎn)品研發(fā)與商業(yè)化進(jìn)程。《日本電子工程時報(bào)》援引軟銀發(fā)言人的表述稱，“ZAM” 中的 “Z” 代表 Z 軸，研發(fā)團(tuán)隊(duì)正考慮采用垂直堆疊結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。報(bào)道還提到，軟銀計(jì)劃在 2027 財(cái)年完
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電動車企成本的“完美風(fēng)暴”正在形成

  • 瑞銀在最新研報(bào)中稱，隨著2026年初刺激政策的全面退潮和5%購置稅的征收，需求端本就疲軟。然而，供給端卻迎來了大宗商品（銅、鋁、鋰）和關(guān)鍵零部件（存儲芯片DRAM）價格的劇烈反彈。據(jù)該行測算，一輛典型的中型智能電動車的成本通脹高達(dá)人民幣4000至7000元。瑞銀稱，在當(dāng)前競爭激烈、利潤微薄的市場環(huán)境下，由于車企很難將這部分成本轉(zhuǎn)嫁給消費(fèi)者，這波成本上漲足以將車企的利潤完全吞噬（fully erode carmakers' margin）。金屬價格全線反彈研報(bào)稱，瑞銀基于其過往的拆解數(shù)據(jù)，建立了一個
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上調(diào)100%！存儲市場又一重磅調(diào)價信號

  • 三星今年第一季度對NAND閃存的供應(yīng)合約價格已上調(diào)超過100%，目前客戶已收到通知。據(jù)行業(yè)知情人士透露，三星去年底已經(jīng)完成了與主要客戶的供應(yīng)合同談判，從一月起正式實(shí)施新的價格體系。另外，SK海力士也對NAND產(chǎn)品采取了類似的定價策略；存儲芯片大廠SanDisk也計(jì)劃在一季度將面向企業(yè)級的NAND價格上調(diào)100%。目前，三星已著手與客戶就第二季度的NAND價格進(jìn)行新一輪談判，市場普遍預(yù)計(jì)價格上漲的勢頭將在第二季度延續(xù)。市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，去年第四季度NAND閃存價格漲幅為上一季度的3
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瑞銀示警：DRAM短缺逼近汽車業(yè) 2大品牌最危險(xiǎn)

  • 生成式人工智能（AI）浪潮席卷全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，卻可能為汽車供應(yīng)鏈埋下新的不確定性。 瑞銀最新發(fā)布的全球汽車產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告警告，受AI服務(wù)器需求暴增影響，DRAM產(chǎn)能正大幅向高帶寬記憶體（HBM）傾斜，導(dǎo)致汽車級存儲器面臨價格上漲與供應(yīng)短缺的雙重壓力，相關(guān)沖擊預(yù)計(jì)將自2026年第二季開始逐步浮現(xiàn)。瑞銀指出，全球三大DRAM供應(yīng)商三星電子、SK海力士與美光，為追求更高的毛利率，已明確將產(chǎn)能重心轉(zhuǎn)向AI服務(wù)器所需的HBM產(chǎn)品，由于汽車級DDR內(nèi)存與AI芯片共享有限的硅晶圓產(chǎn)能，HBM產(chǎn)能快速擴(kuò)張，勢必排擠車用DR
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內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新：DRAM飆升，賣家壓制庫存，主流DDR4上漲10%

  • 根據(jù)TrendForce最新的記憶現(xiàn)貨價格趨勢報(bào)告，關(guān)于DRAM的現(xiàn)貨價格持續(xù)日復(fù)一日上漲，盡管交易依然低迷，供應(yīng)商和交易員囤積庫存，推動主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片平均價格上漲9.64%。與此同時，在NAND，盡管一些買家采取了觀望態(tài)度，現(xiàn)貨交易者對未來價格趨勢持樂觀態(tài)度，卻拒絕降價以刺激銷售。詳情如下：DRAM現(xiàn)貨價格：受強(qiáng)勁的合約價格上漲推動，現(xiàn)貨價格連續(xù)日漲。然而，由于供應(yīng)商和交易商不愿釋放庫存，交易量依然受限。主流芯片（即DDR4 1Gx8 3200MT/s）的平均現(xiàn)貨價格已從上
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2026年全球DRAM供應(yīng)仍將嚴(yán)重不足

  • 據(jù)韓媒Chosun Biz援引市調(diào)機(jī)構(gòu)Omdia數(shù)據(jù)，2026年三星電子的DRAM晶圓產(chǎn)量預(yù)計(jì)為793萬片，較2025年的759萬片增長約5%。SK海力士的DRAM產(chǎn)量則預(yù)計(jì)將從2025年的597萬片提升至2026年的648萬片，增幅約為8%。然而，由于技術(shù)升級至10納米第六代DRAM（1c）制程可能引發(fā)短期產(chǎn)能損失，實(shí)際增產(chǎn)幅度或低于預(yù)期。美光的年產(chǎn)量預(yù)計(jì)維持在約360萬片，與2025年持平。盡管三大DRAM廠商的產(chǎn)能均有所增加，但與市場需求相比仍存在顯著差距。韓國KB證券分析顯示，客戶端DRAM需求的
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華碩預(yù)告視頻展示了即將推出的AM5“Neo”主板——更新可能包括新的AIO接口、M.2升級以及NitroPath DRAM支持超高速DDR5

  • 華碩發(fā)布了一段18秒的預(yù)告視頻，展示了其即將推出的Neo主板，旨在與市場上最好的主板競爭。ROG Crosshair、ROG Strix、TUF Gaming和ProArt系列的新Neo版本將為AMD的AM5平臺帶來顯著的生活質(zhì)量升級，目前AM5平臺擁有一些最優(yōu)秀的CPU。硬件界又到了令人興奮的時代，品牌們準(zhǔn)備在CES 2026上發(fā)布最新創(chuàng)新產(chǎn)品。緊隨MSI和技嘉發(fā)布Max和X3D更新之后，華碩憑借備受期待的Neo系列登上了聚光燈下。雖然“Neo”代表新或近期，但這些即將推出的AMD主板很可能繼續(xù)基于AM
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據(jù)報(bào)道，AI將在2026年消耗全球DRAM晶圓容量的20%，HBM和GDDR7引領(lǐng)需求

  • 隨著人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的逐步擴(kuò)充，內(nèi)存供應(yīng)緊張，價格飆升。《商業(yè)時報(bào)》援引行業(yè)專家的話，預(yù)測云高速內(nèi)存消耗到2026年可能達(dá)到3艾字節(jié)（EB）。值得注意的是，考慮到高速內(nèi)存如HBM和GDDR7的“等效晶圓使用量”，報(bào)告警告稱人工智能實(shí)際上可能占全球DRAM供應(yīng)近20%。報(bào)告指出，3EB預(yù)計(jì)將由三個關(guān)鍵組成部分驅(qū)動。首先，跨主要平臺——谷歌（Gemini）、AWS（Bedrock）和OpenAI（ChatGPT）——的核心推理工作負(fù)載預(yù)計(jì)實(shí)時內(nèi)存需求將達(dá)到約750PB。考慮到實(shí)際部署所需的冗余和安全裕度，這一
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三星發(fā)布與InGaO合作的亞10納米DRAM突破，據(jù)報(bào)道關(guān)注0a/0b的采用

  • 三星電子于7月完成了6代10納米級工藝的1代1c DRAM開發(fā)后，現(xiàn)正推進(jìn)下一代DRAM技術(shù)。據(jù)The Elec報(bào)道，三星與三星先進(jìn)技術(shù)研究院（SAIT）發(fā)布了一種實(shí)現(xiàn)亞10納米DRAM的新方法，可能適用于0a和0b DRAM。正如韓國新聞2024年底報(bào)道，三星計(jì)劃于2025年發(fā)布第六代10納米1c型HBM4DRAM處理器，隨后于2026年推出第七代10納米1維DRAM，并計(jì)劃于2027年前推出首款亞10納米0安DRAM。《The Elec》援引的一位業(yè)內(nèi)消息人士指出，雖然該技術(shù)仍處于研究階段，且數(shù)年內(nèi)難
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三星CEO據(jù)報(bào)道將就緊張的移動DRAM供應(yīng)問題，罕見的參加CES會議

  • 在內(nèi)存價格急劇上漲的背景下，即使是三星也感受到了壓力，盡管三星內(nèi)部擁有強(qiáng)大容量。DealSite透露，三星電子DX部門CEO兼負(fù)責(zé)人盧泰文將在2026年1月6日至9日在拉斯維加斯舉行的CES 2026開幕日會面美光CEO Sanjay Mehrotra。正如報(bào)道所強(qiáng)調(diào)的，活動期間此類會議較為罕見，但消息人士稱三星請求此次會議是為了應(yīng)對移動DRAM供應(yīng)收緊的問題。據(jù)DealSite報(bào)道，討論將聚焦于即將推出的Galaxy S26的LPDDR5X，因?yàn)轱w漲的價格使得與三星DS部門和美光的合同尚未解決。正如Se
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SK海力士探索高帶寬存儲堆疊 NAND 和 DRAM

  • 在鞏固其在 HBM 領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位后，SK 海力士正在與 SanDisk 合作開發(fā)高帶寬 NAND 閃存 （HBF），該閃存通過 NAND 增強(qiáng) HBM，用于 AI 推理工作負(fù)載。與此同時，據(jù)報(bào)道，該公司正在探索更廣泛的內(nèi)存領(lǐng)域：高帶寬存儲 （HBS）。正如 ETnews 報(bào)道的那樣，哈佛商學(xué)院將移動 DRAM 和 NAND 相結(jié)合，以提高智能手機(jī)、平板電腦和其他移動設(shè)備的 AI 性能。報(bào)告援引消息人士解釋說，SK海力士正在將低功耗寬I/O DRAM與NAND堆疊在一起，以創(chuàng)建HBS，它可以堆疊多達(dá)16層
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研調(diào)上修本季DRAM漲幅 上看23%

  • 記憶體價格漲勢持續(xù)升溫，第四季DRAM市場可望迎來全面上修。 TrendForce最新調(diào)查指出，全球云端服務(wù)供應(yīng)商（CSP）積極擴(kuò)建數(shù)據(jù)中心，帶動服務(wù)器用DRAM合約價走強(qiáng)，供應(yīng)商同步調(diào)高報(bào)價意愿，使一般型DRAM價格預(yù)估漲幅由原先的8%~13%，上修至18%~23%。 惟目前合約價尚未完全開出，后續(xù)仍可能再次調(diào)升，反映出供需持續(xù)偏緊，市場氣氛轉(zhuǎn)趨樂觀。觀察近期CSP采購節(jié)奏，從原本保守轉(zhuǎn)為積極，加單需求擴(kuò)及多家原廠，尤其高容量、高頻率規(guī)格的服務(wù)器DRAM需求上升，已出現(xiàn)排擠效應(yīng)，推升主流產(chǎn)品報(bào)價穩(wěn)步墊高
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為什么存內(nèi)計(jì)算對邊緣AI如此重要

  • 在流行媒體中，“AI”通常意味著在昂貴、耗電的數(shù)據(jù)中心中運(yùn)行的大型語言模型。但是，對于許多應(yīng)用程序，在本地硬件上運(yùn)行的較小模型更適合。自動駕駛汽車需要實(shí)時響應(yīng)，沒有數(shù)據(jù)傳輸延遲。醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用通常依賴于無法與第三方共享的敏感數(shù)據(jù)。但是，盡管邊緣 AI 應(yīng)用程序可以更快、更安全，但它們的計(jì)算資源要有限得多。它們沒有 TB 內(nèi)存占用或有效無限的功率。對于數(shù)據(jù)中心來說，可能有些抽象的約束對邊緣人工智能施加了硬性限制。在 2025 年 IEEE 國際內(nèi)存研討會的一篇特邀論文和隨后的預(yù)印本中，ETH 計(jì)算機(jī)科學(xué)教授
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機(jī)存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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