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瑞銀示警:DRAM短缺逼近汽車業 2大品牌最危險

作者: 時間:2026-01-23 來源: 收藏

生成式人工智能(AI)浪潮席卷全球半導體產業,卻可能為供應鏈埋下新的不確定性。 最新發布的全球產業研究報告警告,受AI服務器需求暴增影響,產能正大幅向高帶寬記憶體(HBM)傾斜,導致級存儲器面臨價格上漲與供應短缺的雙重壓力,相關沖擊預計將自2026年第二季開始逐步浮現。

指出,全球三大供應商三星電子、SK海力士與美光,為追求更高的毛利率,已明確將產能重心轉向AI服務器所需的HBM產品,由于汽車級DDR內存與AI芯片共享有限的硅晶圓產能,HBM產能快速擴張,勢必排擠車用的供給空間。 報告顯示,截至目前DRAM價格已累計上漲超過100%,且漲勢預料將持續傳導至汽車級產品,進一步加劇供應吃緊的風險。

在成本壓力快速升溫下,汽車零組件供應商的獲利能力首當其沖。 透過財務模型測算,在基準情境下,假設DRAM價格上漲120%,且零組件供應商可向整車廠(OEM)回收80%的成本,2026年零組件供應商的EBIT(息稅前盈余)將下滑約5%至6%; 若進入更悲觀的極端情境,DRAM漲幅擴大至200%,且成本回收比例降至50%,EBIT跌幅恐高達24%,獲利縮水規模接近原本的一半。

瑞銀進一步指出,電子與ADAS(先進駕駛輔助系統)業務占比較高的零組件供應商,將面臨更高的曝險。 以歐美市場為例,Visteon與Aumovio(原大陸集團汽車業務)相關業務比重超過50%,被點名為最直接承壓的企業。

對整車廠而言,DRAM成本占整車售價的比重雖仍有限,但隨著智慧座艙與高階自動駕駛功能快速普及,單車DRAM含量已提升至25至150美元,高端車款甚至更高。 瑞銀指出,采用集中式計算架構的新勢力與高端品牌車廠,如特斯拉與Rivian,因對內存容量需求更高,未來面臨的成本波動風險亦相對突出。

報告認為,此次潛在危機的根本原因,在于全球半導體資源重新分配,與汽車產業技術轉換節奏之間出現錯配,一方面,AI服務器對HBM的需求自2025年起急速攀升; 另一方面,汽車產業正處于從DDR4、LPDDR4等舊世代技術,轉向DDR5的過渡期,但車用芯片的測試、驗證與導入流程往往需要兩年以上,導致2026至2027年間,舊技術產能逐步退出、新技術尚未全面到位,可能形成所謂的「技術斷層」。

瑞銀強調,現有庫存與長期采購合約僅能提供短期緩沖,長期解方仍有賴2028年后的新一代產品重新設計,從產業面來看,2026年全球DRAM產業收入預估將年增148.4%,達366億美元,顯示供需緊張態勢短期內恐難以緩解,汽車產業勢必得提前為下一波內存風險做好準備。



關鍵詞: 瑞銀 DRAM 汽車

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