三星電子于7月完成了6代10納米級工藝的1代1c DRAM開發(fā)后，現(xiàn)正推進下一代DRAM技術(shù)。據(jù)The Elec報道，三星與三星先進技術(shù)研究院（SAIT）發(fā)布了一種實現(xiàn)亞10納米DRAM的新方法，可能適用于0a和0b DRAM。

正如韓國新聞2024年底報道，三星計劃于2025年發(fā)布第六代10納米1c型HBM4DRAM處理器，隨后于2026年推出第七代10納米1維DRAM，并計劃于2027年前推出首款亞10納米0安DRAM。

《The Elec》援引的一位業(yè)內(nèi)消息人士指出，雖然該技術(shù)仍處于研究階段，且數(shù)年內(nèi)難以進入三星的商業(yè)DRAM，但預(yù)計將針對10納米以下的節(jié)點，如0a或0b DRAM。

InGaO發(fā)揮著關(guān)鍵作用

Elec指出，在舊金山舉行的IEEE國際電子器件會議（IEDM）上，三星發(fā)布了一款“高熱穩(wěn)定性非晶氧化物半導(dǎo)體晶體管”，設(shè)計用于亞10納米外圍單元（CoP）垂直通道DRAM。

報道解釋說，宣布的DRAM結(jié)構(gòu)采用了CoP設(shè)計，將內(nèi)存單元垂直堆疊在外圍電路之上。正如 The Elec 先前指出的，存儲單元下方的外圍晶體管因堆疊過程中產(chǎn)生的 550°C 高溫而受損，性能下降。然而，三星通過采用非晶銦-鎵氧化物（InGaO）來克服了這一問題。

據(jù)The Elec報道，三星在此次活動中展示了首款采用非晶InGaO的高熱穩(wěn)定性垂直溝道晶體管（VCT），具有100納米的通道長度，能夠承受高達550°C的高溫。 三星指出，該晶體管可以集成到單片的CoP DRAM架構(gòu)中。

報告進一步解釋，在氮氣環(huán)境中將晶體管加熱至550°C——這是標準的可靠性測試——該器件幾乎沒有性能損失。關(guān)鍵指示器稱為閾值電壓偏移，保持在0.1電子伏以下，意味著晶體管能像新一樣繼續(xù)工作。同樣，流經(jīng)該管的電流依然強勁，沒有損壞跡象，報告補充道。

三星通過報告稱，InGaO晶體管的耐熱能力源于其緊密結(jié)合的原子結(jié)構(gòu)，防止離子漂移并確保穩(wěn)定性能。