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dram 文章 最新資訊

云端CSPs將擴大邊緣AI發展，帶動2025年NB DRAM 平均搭載容量增幅至少達7%

  • 全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢觀察，2024年大型云端CSPs，如Microsoft、Google、Meta、AWS等廠商，將仍為采購高階主打訓練用AI server的主力客群，以作為LLM及AI建模基礎。待2024年CSPs逐步完成建置一定數量AI訓練用server基礎設施后，2025年將更積極從云端往邊緣AI拓展，包含發展較為小型LLM模型，以及建置邊緣AI server，促其企業客戶在制造、金融、醫療、商務等各領域應用落地。此外，因AI PC或NB在計算機設備基本架構組成與
  • 關鍵字： 云端  CSPs  邊緣AI  DRAM  TrendForce  

HBM供應吃緊催生DRAM漲價 美光股價飆漲

  • 內存大廠美光預計6月26日公布季報，自美光的高帶寬內存（HBM）開始供貨給輝達后，已化身為AI明星股，年初至今，美光股價大漲近七成，市值大增636.26億美元，至1,545.22億美元。 市場分析師預期，美光經營層將大談需求改善、行業供應緊張、價格進一步上揚，以及他們供應給輝達和其他AI芯片廠商的HBM，下一世代的發展，提出對后市正向的看法。由于AI應用的需求，人們對DRAM、HBM的興趣與日俱增，且內存市場通常存在「FOMO」（Fear of missing out）現象，意思是「害怕錯失機會」，在美光
  • 關鍵字： HBM  DRAM  美光  

美光后里廠火災 公司聲明營運未受任何影響

  • 中國臺灣美光內存后里廠20日下午5點34分發生火警，火勢快速撲滅，無人傷亡，美光昨深夜發出聲明指出，臺中廠火警廠區營運未受任何影響。 臺中市消防局昨日傍晚5時34分獲報，中國臺灣美光位在后里區三豐路的廠房發生火災，消防局抵達時廠區人員已將火勢撲滅，無人受傷，原因有待厘清。根據經濟日報報導，美光針對臺中廠火警一事發出聲明，經查證所有員工與承包商安全無虞，且廠區營運未受任何影響。美光是國際三大DRAM廠商，市占約19.2％，與前兩大三星及SK海力士合計市占達96％。美光高達65％的DRAM產品在中國臺灣生產，
  • 關鍵字： 美光  DRAM  

通用 DRAM 內存仍供大于求，消息稱三星、SK 海力士相關產線開工率維持 80~90%

  • IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業內人士的話稱，韓國兩大存儲巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內存產能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱，這一情況同主要企業已實現生產正常化的 NAND 閃存產業形成鮮明對比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實現 NAND 產線滿負荷運行。報道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規 DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場仍呈現供大于求的局面，是下游傳統服務器、智能手機和 PC 產業復蘇緩慢導致的
  • 關鍵字： DRAM  閃存  三星  海力士  

合約價勁漲護身 DRAM不怕淡季 Q1營收季增

  • 2024年第一季DRAM產業，受到主流產品合約價走揚、且漲幅較2023年第四季擴大，帶動營收較前一季度成長5.1％，達183.5億美元，推動多數業者營收呈季增趨勢。TrendForce指出，第一季三大原廠出貨皆季減，反映產業淡季效應，加上下游業者的庫存水平墊高，采購量明顯衰退。三大原廠延續著2023年第四季合約價上漲氛圍，再加上庫存仍處于健康水位，漲價意圖強烈。其中，中系手機銷售暢旺，帶動mobile DRAM的價格漲幅領先所有應用，而consumer DRAM的原廠庫存仍待去化，拖累價格漲幅居所有應用之
  • 關鍵字： 存儲器  DRAM  TrendForce  

合約價上漲抵消淡季效應，推升DRAM第一季營收季增5.1%

  • 根據全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢調查顯示，2024年第一季DRAM產業主流產品合約價走揚、且漲幅較2023年第四季擴大，帶動營收較前一季度成長5.1%，達183.5億美元，推動多數業者營收延續季增趨勢。出貨表現上，第一季三大原廠皆出現季減，反映產業淡季效應，加上下游業者的庫存水平已墊高，采購量明顯減弱。平均銷售單價方面，三大原廠延續著2023年第四季合約價上漲氛圍，再加上庫存仍處于健康水位，故漲價意愿強烈。其中，中系手機銷售暢旺，帶動Mobile DRAM的價格漲幅領先所有應用，而Co
  • 關鍵字： 淡季效應  DRAM  TrendForce  集邦咨詢  

南亞科技：首款 1C nm 制程 DRAM 內存產品 16Gb DDR5 明年初試產

  • IT之家 5 月 30 日消息，綜合臺媒《工商時報》《經濟日報》報道，南亞科技在昨日的年度股東常會上表示，其首款 1C nm 制程 DRAM 內存產品 16Gb DDR5 顆粒將于明年初進入試產階段。南亞科技目前已在進行 1B nm 制程的 DRAM 試產，涵蓋 8/4Gb DDR4 內存和 16Gb DDR5 內存。南亞科技表示其首批 DDR5 內存將在下半年少量試產，明年進一步提升產量。此外南亞科技還在 1B nm 節點規劃了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 內存、16
  • 關鍵字： 南亞科技  內存  DRAM  

美光計劃投資約300億元在日本新建DRAM廠

  • 據日媒報道，美光科技計劃投入6000億-8000億日圓（約合人民幣277-369億元）在日本廣島縣興建新廠，用于生產DRAM芯片。這座新廠房將于2026年初動工，并安裝極紫外光刻（EUV）設備。消息稱最快2027年底便可投入營運。報道稱，此前，日本政府已批準多達1920億日圓補貼，支持美光在廣島建廠并生產新一代芯片。去年，日本經濟產業省曾表示，將利用這筆經費協助美光科技生產芯片，這些芯片將是推動生成式AI、數據中心和自動駕駛技術發展的關鍵。
  • 關鍵字： 美光  DRAM  日本  EUV  

HBM火熱效應 DRAM下半年 可望供不應求

  • 三星、SK海力士及美光等國際內存巨擘，皆積極投入高帶寬內存（HBM）制程，法人表示，在產能排擠效應下，下半年DRAM產品恐供不應求，預期南亞科、威剛及十銓等業者受惠。據TrendForce研究，DRAM原廠提高先進制程投片，產能提升將集中今年下半年，預期1alpha nm（含）以上投片，至年底將占DRAM總投片比重約40％。由于HBM獲利表現佳，加上需求續增，生產排序最優先。以HBM最新發展進度來看，2024年HBM3e將是市場主流，集中在2024年下半年出貨。SK海力士依舊是主要供貨商，與美光均采1be
  • 關鍵字： HBM  DRAM  TrendForce  

三星和SK海力士計劃今年下半年將停產DDR3

  • 近兩年，DRAM市場已經開始從DDR4內存向DDR5內存過渡，此外在存儲器市場經歷低迷后，供應商普遍減少了DDR3內存的生產并降低了庫存水平。DDR3內存的市場需求量進一步減少，更多地被DDR4和DDR5內存所取代。據市場消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應DDR3內存，全力沖刺高帶寬內存（HBM）與主流DDR5規格內存。隨著三星和SK海力士停產DDR3內存，很可能帶動DDR3內存的價格上漲，預計漲幅最高可達20%。三星已經通知客戶將在本季度末停產DDR3；而SK海力士則在去年
  • 關鍵字： 三星  SK海力士  內存  DRAM  HBM  

SK 海力士、三星電子：整體 DRAM 生產線已超兩成用于 HBM 內存

  • IT之家 5 月 14 日消息，據韓媒 Hankyung 報道，兩大存儲巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動時表示，整體 DRAM 生產線中已有兩成用于 HBM 內存的生產。相較于通用 DRAM，HBM 內存坐擁更高單價，不過由于 TSV 工藝良率不佳等原因，對晶圓的消耗量是傳統內存的兩倍乃至三倍。內存企業唯有提升產線占比才能滿足不斷成長的 HBM 需求。正是在這種“產能占用”的背景下，三星電子代表預計，不僅 HBM 內存，通用 DRAM（如標準 DDR5）的價格年內也不會
  • 關鍵字： 海力士  三星  DRAM  

第二季DRAM合約價漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%

  • 據TrendForce集邦咨詢最新預估，第二季DRAM合約價季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價季漲幅同步上修至約15~20%，全線產品僅eMMC/UFS價格漲幅較小，約10%。403地震發生前，TrendForce集邦咨詢原先預估，第二季DRAM合約價季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當時從合約價先行指標的現貨價格就可看出，現貨價已出現連續走弱，上漲動能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機
  • 關鍵字： DRAM  NAND Flash  TrendForce  

2025年HBM價格調漲約5~10%，占DRAM總產值預估將逾三成

  • 根據TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷售單價較傳統型DRAM（Conventional DRAM）高出數倍，相較DDR5價差大約五倍，加上AI芯片相關產品迭代也促使HBM單機搭載容量擴大，推動2023~2025年間HBM之于DRAM產能及產值占比均大幅向上。產能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產能分別是2%及5%，至2025年占比預估將超過10%。產值方面，2024年起HBM之于DRAM總產值預估可逾20%，至2025年占比有機會逾三成。2024年HBM
  • 關鍵字： HBM  DRAM  TrendForce  

SK海力士計劃在清州M15X工廠新建DRAM生產基地

  • 自SK海力士官網獲悉，4月24日，SK海力士宣布，為應對AI半導體需求的急劇增長，計劃擴大AI基礎設施核心組件HBM等下一代DRAM的生產能力。SK海力士表示，若理事會批準該計劃，三星電子將在忠北清州M15X工廠建立新的DRAM生產基地，并投資5.3萬億韓元用于建設新工廠。該工廠計劃于4月底開始建設，目標是在2025年11月完工，并進行早期批量生產。隨著設備投資的逐步增加，新生產基地的長期總投資將超過20萬億韓元。（圖源：SK海力士官網）SK海力士總經理郭魯正(Kwak Noh-Jung)稱，M15X將成
  • 關鍵字： SK海力士  AI  DRAM  

存儲大廠技術之爭愈演愈烈

  • AI、大數據等應用催生海量存儲數據需求，也對存儲技術提出了更高要求，這一背景下，存儲大廠技術競爭愈演愈烈。閃存方面，大廠聚焦層數突破。近期，韓媒報道，三星電子預計將于本月晚些時候量產第九代V-NAND閃存，該公司已于2022年量產了236層第八代V-NAND閃存，即將量產的第九代V-NAND閃存將繼續使用雙閃存堆棧的結構，層數將達到290層。另據業界預測，三星未來第十代V-NAND層數有望達到430層，屆時三星將換用三堆棧結構。而更遙遠的未來，三星、鎧俠兩家廠商透露將發力1000層閃存。三星計劃2030年
  • 關鍵字： 存儲器  DRAM  TrendForce  
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態隨機存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。 動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]

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