2 月 2 日，英特爾宣布與軟銀子公司 SAIMEMORY 達成合作，共同研發 Z-Angle 內存（ZAM），其內存領域的野心再度引發關注。根據雙方發布的新聞稿，該項目將于 2026 年第一季度啟動，預計 2027 年推出原型產品，2030 年實現全面量產。

在此次合作中，英特爾將提供技術與創新支持，SAIMEMORY 則主導產品研發與商業化進程。《日本電子工程時報》援引軟銀發言人的表述稱，“ZAM” 中的 “Z” 代表 Z 軸，研發團隊正考慮采用垂直堆疊結構設計。報道還提到，軟銀計劃在 2027 財年完成原型開發前，投入約 30 億日元資金。

值得關注的是，華爾街見聞指出，這并非英特爾首次涉足內存領域。這家藍色巨人（Team Blue，英特爾昵稱）曾在 1970 年推出全球首款商業化成功的 DRAM 產品，巔峰時期占據全球近 90% 的市場份額，后因持續虧損于 1985 年退出該賽道。

如今，核心疑問浮出水面：是什么促使英特爾選擇回歸？其新一代 DRAM 鍵合技術（NGDB）與全新內存堆疊方案究竟有何亮點？

技術細節曝光

據英特爾介紹，SAIMEMORY 正在研發一種堆疊式 DRAM 架構，目標性能超越當前的高帶寬內存（HBM）標準。該技術旨在提升內存容量、降低功耗并增強封裝能力，解決人工智能（AI）系統規模化發展中的關鍵瓶頸問題。

這一研發背后的技術基礎之一，源自英特爾與桑迪亞國家實驗室（Sandia National Laboratories）的長期合作。因此，桑迪亞國家實驗室 1 月發布的最新進展，為我們揭開了英特爾新一代 DRAM 鍵合技術（NGDB）的神秘面紗。

桑迪亞實驗室解釋稱，當前的高帶寬內存（HBM）往往以犧牲容量等其他性能為代價換取帶寬提升；而 NGDB 技術則致力于打破這種性能權衡，填補 HBM 與傳統 DDR DRAM 之間的性能鴻溝，同時實現顯著更高的能效比。

英特爾發布的剖面圖顯示，NGDB 測試組件采用了非常規設計：該公司已制備 4 個 NGDB DRAM 測試組件用于評估，每個組件均以一層基底為基礎，上方垂直堆疊 8 層 DRAM 芯片。

桑迪亞實驗室表示，該項目不僅研發了全新的堆疊方案，還打造了新型 DRAM 架構。早期原型產品已驗證該組裝方式能夠突破現有內存容量限制，而最新原型則通過這種新型堆疊技術，實現了功能完整的 DRAM 運行。

“此次演示證實，NGDB 系列技術可整合應用，打造出適合大規模量產的高性能內存產品。” 桑迪亞國家實驗室技術人員核心成員格溫?沃斯奎倫（Gwen Voskuilen）表示。

英特爾的野心

華爾街見聞指出，若說與桑迪亞國家實驗室的合作奠定了技術基礎，那么與軟銀的聯手則是英特爾在 DRAM 賽道上邁出的關鍵一步，標志著其商業化路徑更加清晰。

據日經新聞報道，SAIMEMORY 計劃研發的內存產品，容量將達到現有 HBM 的 2-3 倍，功耗降低最高 50%，而成本則保持相當或更低水平。華爾街見聞補充道，通過垂直堆疊多片 DRAM 芯片，并借助英特爾的嵌入式多芯片互連橋接技術（EMIB）優化互連性能，該產品目標實現：內存容量較當前高端解決方案翻倍（單芯片最高可達 512GB）、功耗降低 40%-50%、量產成本控制在 HBM 的 60% 左右。

華爾街見聞分析稱，盡管挑戰仍存，但 SAIMEMORY 這種低功耗、差異化的技術路線，對英特爾而言具有切實潛力 —— 有望幫助其在邊緣計算和中小型 AI 服務器領域搶占競爭優勢，甚至重塑內存行業的技術發展路線。

在行業蓬勃發展與壓力日益加劇的雙重背景下（CPU 市場競爭白熱化、晶圓代工業務虧損、AI 芯片性能落后于競爭對手），華爾街見聞進一步指出，英特爾或許將此次合作視為重新定義增長軌跡、搶占 AI 內存浪潮先機的關鍵機遇。 

Z-Angle 內存（ZAM）項目核心信息表

（圖片來源：英特爾、桑迪亞國家實驗室）