據(jù)報(bào)道，英特爾與UMC正在探索更深層次的合作，以支持與人工智能相關(guān)的應(yīng)用。據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，消息人士稱英特爾計(jì)劃將其專有的“超級(jí)MIM”電容技術(shù)授權(quán)給UMC，該技術(shù)用于英特爾下一代埃級(jí)工藝，被視為先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)。

報(bào)告引用的消息人士稱，英特爾可能會(huì)將其Super MIM電容技術(shù)引入與UMC合作的12納米/14納米工藝平臺(tái)，并將該技術(shù)推廣到先進(jìn)的封裝相關(guān)應(yīng)用。

針對(duì)市場(chǎng)猜測(cè)，UMC表示目前與英特爾的合作仍聚焦于12納米平臺(tái)，但報(bào)告補(bǔ)充說(shuō)，公司并未排除未來(lái)擴(kuò)大合作范圍，涵蓋更廣泛的技術(shù)。

正如報(bào)告指出的，如果UMC能從英特爾獲得相關(guān)許可并成功采用英特爾的Super MIM電容技術(shù)，將為UMC提供關(guān)鍵的先進(jìn)電源模塊能力，從而進(jìn)入高附加值應(yīng)用領(lǐng)域，如人工智能加速器、高性能計(jì)算以及用于先進(jìn)封裝的功率層，這一發(fā)展對(duì)UMC整體技術(shù)平臺(tái)和客戶構(gòu)成具有戰(zhàn)略意義。

英特爾超級(jí)MIM動(dòng)力技術(shù)內(nèi)部介紹

英特爾的超級(jí)MIM是推動(dòng)公司邁向埃級(jí)工藝的關(guān)鍵技術(shù)。報(bào)告指出，該電容器技術(shù)解決了先進(jìn)節(jié)點(diǎn)中的功率噪聲和瞬態(tài)功率波動(dòng)問(wèn)題，被廣泛視為英特爾邁向下一代工藝技術(shù)的“秘密武器”。

隨著晶體管尺寸持續(xù)縮小，報(bào)告指出，芯片在高負(fù)載計(jì)算期間，瞬時(shí)電流需求會(huì)大幅上升。傳統(tǒng)的解耦電容因電容密度有限或漏電流過(guò)大而越來(lái)越難以支持埃級(jí)芯片的穩(wěn)定工作。

在此背景下，報(bào)告強(qiáng)調(diào)超級(jí)MIM能夠直接在片上提供瞬時(shí)電流支持，抑制電壓下降和功率噪聲，被視為決定18A等埃級(jí)工藝能否實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的關(guān)鍵電源基礎(chǔ)模塊之一。

在材料層面，報(bào)告補(bǔ)充說(shuō)英特爾的Super MIM電容器采用堆疊材料，包括鐵電鎘-氧化鋯（HZO）、鈦氧化物（TiO）和鈦酸鍶（STO），以顯著提升單位面積的電容密度并大幅減少泄漏，同時(shí)保持與現(xiàn)有后端（BEOL）工藝的兼容性。