如今科技領域似乎一切都圍繞AI展開，而事實也的確如此。在計算機內存市場，這一點體現得尤為明顯。為AI數據中心中GPU及其他加速芯片提供支持的DRAM需求極其旺盛、利潤空間巨大，導致原本用于其他領域的內存產能被分流，價格也隨之暴漲。據Counterpoint Research數據，本季度截至目前，DRAM價格已上漲80%～90%。

電子行業為何會陷入這一困境？當前局面是DRAM行業周期性繁榮與衰退疊加前所未有的AI硬件基礎設施建設浪潮共同導致的結果。

供需劇烈波動的核心

要理解這一事件的來龍去脈，就必須認識到造成供需劇烈波動的核心 —— 高帶寬內存（HBM）。HBM是DRAM行業借助3D芯片封裝技術，試圖突破摩爾定律放緩趨勢的產物。這項技術復雜的芯片會被安置在距離GPU或其他AI加速器約1毫米的范圍內，并通過多達2048個微米級接口相連。

內存帶寬是限制大語言模型運行速度的關鍵因素。HBM芯片通常部署在處理器兩側，與GPU封裝為一個整體，而與GPU如此緊密、高密度互聯的設計初衷，是為了打破內存墻。所謂內存墻，指的是運行大語言模型所需的每秒TB級數據在傳入GPU時，在能耗與延遲上存在的瓶頸。

據Data Center Map統計，目前全球有近2000座新建數據中心處于規劃或建設中。若全部建成，將在當前約9000座的全球總量基礎上提升20%。迄今為止，AI數據中心熱潮最大的贏家無疑是GPU廠商英偉達，其數據中心業務營收從2019年第四季度的僅約10億美元，飆升至2025年10月結束季度的510億美元。

在此期間，GPU不僅對DRAM容量需求持續攀升，對DRAM芯片數量的要求也越來越高。英偉達最新推出的B300芯片使用8顆HBM芯片，每顆均由12層DRAM裸芯片堆疊而成。

SemiAnalysis估算，HBM的成本通常是其他類型內存的三倍，占封裝后GPU總成本的50%及以上。在旺盛需求下，DRAM廠商營收中來自HBM的占比持續提升。在SK海力士、三星之后排名第三的美光表示，HBM及其他云端相關內存占其DRAM總營收的比例從2023年的17%升至2025年的近50%。

更重要的是，該如何走出困局？解決DRAM供應問題有兩條路徑：技術創新或新建晶圓廠。

DRAM未來供應與技術走向

隨著DRAM制程微縮愈發困難，行業轉向先進封裝，而這本質上是使用更多DRAM芯片。英特爾首席執行官陳立武在思科AI峰會上表示：“2028年之前，DRAM供應緊張局面難以緩解。”

美光、三星、SK海力士占據了內存與存儲市場絕大部分份額，三家均在推進新廠建設，但這些產能很難對平抑價格起到顯著作用。新建一座晶圓廠成本高達150億美元甚至更高，廠商對擴產極為謹慎，而一座工廠從建設到投產需要18個月甚至更久。

· 美光正在新加坡建設一座HBM晶圓廠，計劃2027年投產；同時，改造從臺灣力積電收購的廠房將于2027年下半年量產；另外，美光上月在美國紐約州奧農達加縣動工建設DRAM晶圓廠園區，2030年才能全面投產。

· 三星計劃2028年在韓國平澤新廠區投產。

· SK海力士在美國印第安納州西拉法葉市建設HBM與封裝廠，預計2028年底投產；在韓國清州建設的HBM工廠將于2027年完工。

由于新增產能數年之內無法形成有效供給，緩解供應壓力還需要依靠其他因素。新建工廠會帶來邊際改善，但更快的提升來自工藝經驗積累、更高效率的DRAM堆疊技術，以及內存供應商與AI芯片設計企業之間更緊密的協同。與此同時，多項在研技術可能讓HBM對硅片的消耗進一步增加。

那么，新廠投產后價格會回落嗎？答案或許是否定的。總體而言，經濟學家發現價格上漲快、下跌慢且不情愿。如今的DRAM市場也不太可能例外，尤其是在算力需求近乎無限的背景下。除非AI行業出現重大崩盤，否則新增產能與新技術需要數年時間才能讓供需重新回歸平衡。即便到那時，內存價格也可能依然居高不下。