- 64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎，預計將在未來18個月內成為市場主流...
Western Digital(WD)內存技術執行副總裁Siva Sivaram日前指出，64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎。
在最近接受《EE Times》的訪問中，Siva Sivaram將64層3D NAND定義為一種「開創性技術」(seminal technology)，可望應用于WD逾50種產品線。 他預計今年WD約有一半的產品線都將采用3D
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NAND 堆棧
- 三星電子 15 日宣布，最新 64 層 256GB V-NAND 閃存已進入量產，與此同時，三星還將擴展包含服務器、PC 與行動裝置的儲存解決方案。
64 層 V-NAND 閃存用稱為第四代 V-NAND 芯片，南韓 ITtimes.com 報導指出，三星為穩固領先優勢，打算于年底把第四代芯片占每月生產比重拉高至五成以上。
其實，三星今年 1 月已先為某關鍵客戶，打造第一顆內含 64 層 V-NAND 芯片的固態硬盤(SSD)，自此之后，三星持續朝行動與消費型儲存市場開發新應用，務求與 I
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三星 NAND
- 鴻海董事長郭臺銘昨(12)日證實，將籌組美、日、臺夢幻團隊，共同競標東芝半導體。 對日本出現擔心鴻海「中國因素」的評論，郭董炮火全開，左打美系私募基金，右批日本經濟產業省高層，并強調，鴻海如果順利得標，海外市場將優先考慮在美設內存芯片廠。
東芝半導體競標案進入倒數計時，預計本周公布結果。 競標者之一鴻海動作不斷，郭臺銘接連接受日經新聞、路透社專訪。 郭董強調，如果鴻海順利標下東芝半導體事業，希望未來能在海外建立內存工廠，地點將優先考慮美國。
郭臺銘補充，因為美國國內市場需求在當地還沒達到，
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東芝 NAND
- NAND閃存的內部架構:NAND閃存可以分為三種不同架構，即：單層單元SLC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術為基礎的NAND閃存架構，由英飛凌與Saifun合作開發，但該項架構技術并不成熟。采SLC架構是在每個Cell中存儲1個bit的信息，以達到其穩定、讀寫速度快等特點，Cell可擦寫次數為10萬次左右。作為SLC架構，其也有很大的缺點，就是面積容量相對比較小，并且由于技術限制，基本上很難再向前發展了。
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MLC 閃存 NAND 英特爾
- 公司內部派系斗爭問題，又因外部的2008年金融海嘯與2011年福島核災影響日本經濟及東芝業績，造成派系斗爭惡化，及為自保而偽造業績歪風興起，等到2015年事件爆發，發現該廠從2008會計年度(2008/4~2009/3)便有業績灌水的問題，事件逐一發不可收拾。
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東芝 NAND
- NAND Flash控制芯片與模塊廠群聯董事長潘健成日前估計，接下來將面臨史上最缺貨的第3季，而該公司也積極備戰，近日捧著5000多萬美元現金，大舉吃下某大廠釋出的貨源，為下半年建立更多庫存。
群聯在去年初NAND Flash市況尚未大熱時，建立的庫存水位一度超過三億美元，后來市場景氣于去年第3季開始往上，價格走升，也讓該公司因此大賺。
潘健成提到，今年大概只有5月有機會多收貨，所以該公司在前兩個禮拜以現金買了大約5000多萬美元的額外貨源，預計可供第3季使用。
群聯在今年4月時，手
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NAND
- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，第一季整體NAND Flash市況延續第四季持續受到缺貨影響，即使第一季度為傳統NAND Flash淡季，渠道顆粒合約價卻仍上揚約20-25%。在智能終端設備如智能手機與平板電腦內的行動式存儲價格也呈現雙漲的狀況下，2017年將是NAND Flash成果豐碩的一年。
DRAMeXchange資深研究經理陳玠瑋表示，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，進而轉進垂直堆棧制程(3D/Vertical-NAND)
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NAND SK海力士
- 全球領先的信息技術研究和顧問公司Gartner的研究顯示，2016年全球半導體收入總計3,435億美元，較2015年的3,349億美元提升2.6%。在企業并購潮的影響下，前二十五大半導體廠商總收入增加10.5%，表現遠優于整體產業增長率。 Gartner研究總監James Hines表示：“2016年半導體產業出現回彈。雖然其年初因受到庫存調整的影響而表現疲軟，但下半年需求增強，定價環境得到改善。助力全球半導體收入增長的因素包括多項電子設備部門產量的增加、NAND閃存售價的上揚及相對溫和的
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半導體 NAND
- “物聯網”是指連接到互聯網的傳感器，通過開放的專用連接、自由共享數據和允許非預期應用程序，以互聯網的方式行事，因此電腦可以了解周圍的世界，成為類似人類的神經系統 ”凱文·阿什頓說(這個術語的發明者)。
在我們的上一篇文章中，我們考慮了IoT的潛力——也被稱為“一切互聯網” ——在接下來的十年中，將推動NAND銷售，從而使Micron的利潤得以增加。 本文將對體系架構及其與內存
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物聯網 NAND
- 東芝(Toshiba Corp.)決定出售半導體事業，但競標者眾、過程冗長，如此一來，韓國廠商反倒會成為最大受惠者?
韓聯社 24 日報導，Shinhan Investment 研究員 Choi Do-yeon 發表研究報告指出，東芝的 3D NAND 快閃存儲器投資計劃勢必將因此延后，這會讓供給短缺更形惡化，也為三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK 海力士(SK hynix Inc.)制造更多擴產良機。
美國硬盤機制造巨擘 Western Digital(WD
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東芝 NAND
- 在即將到來的物聯網的世界里，NAND的應用會非常廣泛，作用也會愈發重要，出現的各種裝置和新興應用都會用到NAND。
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NAND 長江存儲
- 東芝半導體事業各路人馬搶親，包括鴻海集團等展現高度意愿，東芝是群聯大股東，對于東芝內存出售案，但長期和東芝半導體合作的群聯董事長潘健成分析，東芝不可能被單一企業或公司買下。 他推斷最后結果，將會由日本境內私募基金或現有股東拿下，仍會維持原有東芝控制權，再讓部分策略合作伙伴持有少數股權入股。
潘健成強調，東芝半導體和早期的爾必達破產不一樣，東芝半導體是東芝最賺錢的事業體，而且東芝的儲存型閃存(NAND Flash)也是日本最引以為傲的技術，引發東芝財務危機的是核電事業，因此切割半導體事業獨立新公司
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東芝 NAND
- 三星登上全球半導體龍頭，不惜砸重金投入研發，傳今年資本支出將大幅增加逾 10 兆韓圜。
新韓投資(Shinhan Investment Corp)日前發布報告預測，三星今年半導體資本支出將擴增至 24.5 兆韓圜(約 219.5 億美元)，較 2016 年成長 85.6%，且將超越 2015 年的 14.7 兆韓圜成為三星史上新高。
存儲器目前供不應求，也是三星今年布局的重點，預料將占據資本支出的一半左右。據新韓分析師預測，光是 NAND 快閃存儲器，三星就將砸下 12.05 兆韓圜(約
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三星 NAND
- DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過3DNAND Flash制程，無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導體內存領域延伸的一項重要技術。
3D NAND Flash依存儲元件儲存機制可分浮動閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結構技術又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
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摩爾定律 3D NAND
- 小時候并不知道為什么唐僧要取經,取的什么經?后來知道了,唐僧要的是所謂“大乘佛法”,簡單說就是普度眾生,救民于水火。既有這樣的佛法,孫悟空何不多翻幾個筋斗,快快取來就是,為什么非要肉體凡胎的唐僧不辭勞苦、跋山涉水呢?難道上天就沒有好生之德嗎?還要設置各種妖怪來搗亂,豈不是折騰人嗎?
上天當然會有好生之德,這沒有什么好懷疑的。至于為什么折騰唐僧,并不是上天要以此為樂,所謂天機不可泄漏,九九八十一難其實就是真經的一部分,對嗎?
其實現實生活也是如此。
前不久,美國
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晶圓 NAND
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