NAND閃存的內部架構:NAND閃存可以分為三種不同架構，即：單層單元SLC （Single Level Cell）；多層單元MLC（Multi Level Cell）；多位單元MBC（Multi Bit Cell）。其中，MBC以NROM技術為基礎的NAND閃存架構，由英飛凌與Saifun合作開發，但該項架構技術并不成熟。

采SLC架構是在每個Cell中存儲1個bit的信息，以達到其穩定、讀寫速度快等特點，Cell可擦寫次數為10萬次左右。作為SLC架構，其也有很大的缺點，就是面積容量相對比較小，并且由于技術限制，基本上很難再向前發展了。

1997年，MLC架構的NAND閃存被英特爾率先研發出來，其原理是將2個或2個以上bit以上的信息寫入一個浮動柵，然后利用不同電位的電荷，透過內存儲存格的電壓控制精準讀寫。由于其成本低，容量大，自問世以來得到了包括英特爾在內的多家閃存大廠的支持，其中東芝公司更是看好MLC技術，并大力發展。但是MLC架構也同樣有其缺點，首先是運行情況不及SLC架構來的穩定；而且相對讀寫速率也較SLC慢；其次MLC的可寫入次數僅為1萬次左右。因此，MLC架構的NAND芯片一度被認為是低質低價的閃存芯片。但是由于其容量上的先天優勢，MLC技術也在不斷改進和發展。

SLC和MLC結構和工作原理示意圖 本文引用地址：http://cqxgywz.com/article/201706/353427.htm

兩個MCL Block的NAND FLASH

因為其低成本及容量高的關系，該類型閃存已經主宰了我們身邊的眾多存儲媒介。由于目前移動設備的不斷增長，大容量高速非易失性存儲設備成為市場需求的目標。