- Wccftech消息，三星解散自研CPU團隊，未來將會使用ARM架構。
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三星 CPU ARM
- 三星在開發者大會上披露了多款未來新產品，Galaxy Book S筆記本無疑是非常特殊的一個，它將配備Intel Lakefiled 3D封裝處理器，并集成Intel 4G/LTE基帶，支持全天候連接。Lakefiled處理器早在今年初的ES 2019大展上就已宣布，首次采用全新的3D Foveros立體封裝，內部集成10nm工藝的計算Die、14nm工藝的基礎Die兩個裸片。它同時提供一個高性能的Sunny Cove/Ice Lake CPU核心、四個高能效的Tremont CPU核心(均為10nm)和
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- 臺積電在7納米、5納米制程完封三星后，目前更加快3納米研發，以延續領先地位，不讓對手三星有先縫插針搶單的機會，據電子時報報導，臺積電3納米傳出提前啟動，位于南科30公頃用地，可望提前4個月、預計于今年底即可完成交地，擺明就是沖著三星而來。
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- 最近一年來，DDR4內存芯片持續降價，如今8GB DDR4單條內存也不復三年前接近千元的售價之勇，只要200多塊就可以搞定。很多玩家對DDR4內存也沒感覺了，期待早點用上DDR5內存，不過DDR5內存的進展沒有想象的那么快，2020年各大存儲芯片廠商才會量產DDR5內存，兩三年后才能普及。主導內存標準制定的JEDEC規范組織雖然之前宣布2018年正式發布DDR5標準，但實際上并沒有，最終規范要到2020年才能完成，其目標是將內存帶寬在DDR4基礎上翻倍，速率3200Mbps起，最高可達6400Mbps，電
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三星 內存
- 據國外媒體報道，現代汽車、三星電子和LG電子已經躋身全球擁有自動駕駛技術相關專利最多的十家企業之列。
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- 據sammobile報道，三星公司在加利福尼亞州圣何塞舉行的2019年“三星技術活動”上正式推出了Exynos 990旗艦處理器。三星表示Exynos 990處理器和Exynos Modem 5123芯片將于今年年底進入批量生產。
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- 7nm工藝的產品已經遍地開花，Intel的10nm處理器也終于在市場登陸，不過，對于晶圓巨頭們來說，制程之戰卻越發膠著。在日前一場技術交流活動中，三星重新修訂了未來節點工藝的細節。三星稱，EUV后，他們將在3nm節點首發GAA MCFET（多橋通道FET）工藝。由于FinFET的限制，預計在5nm節點之后會被取代。實際上，5nm在三星手中，也僅僅是7nm LPP的改良，可視為導入第二代EUV的一代。7nm LPP向后有三個迭代版本，分別是6nm LPP、5nm LPE和4nm LPE。相較于年初的路線圖，
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- 在半導體先進制程上的進爭，目前僅剩下臺積電、三星、以及英特爾。不過，因為英特爾以自己公司的產品生產為主，因此，臺積電與三星的競爭幾乎成為半導體界中熱門的話題。
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- Strategy Analytics手機元件技術研究服務最新發布的研究報告《2019年Q2基帶市場份額追蹤：高通和三星爭奪5G基帶市場領導權》指出，2019年Q2全球蜂窩基帶處理器市場收益年同比下降4%，為50億美元。Strategy Analytics的報告指出，2019年Q2全球蜂窩基帶處理器市場收益份額位居前五名的為：高通、海思半導體、聯發科、三星LSI和英特爾。2019年Q2高通以43%的收益份額保持全球基帶市場的領導地位，海思半導體以15%的收益份額排名第二，聯發科以14%緊隨其后。·
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- 日前，據外媒報道，三星SDI對外宣布，公司計劃投入3900億匈牙利福林（約合人民幣92億元），用于擴建匈牙利首都布達佩斯市郊的電動車電池工廠。據悉，這筆投資將創建約1200個工作崗位，工廠建成后年產能將滿足5萬輛電動車的電池配置需求。
根據此前報道，匈牙利電池工廠的銷售范圍主要面向當地及歐洲各國，三星SDI于2016年投入了1000億匈牙利福林（約合人民幣24億元）在匈牙利建立電動車電池工廠。截至目前，公司在匈牙利的總投資額已經達到10億歐元（約合人民幣78億元），未來還將繼續擴大投資，使匈牙利電池工廠
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- 據外媒sammobile消息，三星正開發Galaxy Note10 Lite版系列手機。該款手機有望比Galaxy Note 10和Galaxy Note 10+更便宜。這款手機型號已經確認，為“SM-N770F”，將有黑色和紅色兩種配色，將提供128 GB的內置內存，此外沒有關于規格的信息。三星正開發Galaxy Note10 Lite版系列手機就產品理念而言，Galaxy Note10 Lite比Galaxy Note 10（SM-N970）更接近Galaxy Note 3 Neo（SM-N750&n
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- 半導體行業一直是科技行業的重頭，尤其是今年開始，半導體行業的重要性愈發顯得突出，隨著5G物聯網的正式普及，又會帶動新的一波增長趨勢。近日，根據可靠消息，半導體行業巨頭三星正考慮對其在中國西安興建的二期半導體工廠進行額外投資，據透露，三星計劃明年將存儲器芯片設施的資本支出小幅增加至65億美元。有消息稱，三星西安二期工廠已安裝部分設備并開始試運行，以檢查量產前的情況，預計將在2020年2月開始批量生產。2020年5G手機將掀起一波換機需求，而中國是重要的市場，同時對大容量NAND Flash需求也會增加，在貿
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- 2019年國產內存實現了0的突破，合肥長鑫前不久宣布量產10nm級DDR4內存，核心容量8Gb。除此之外，另外一家存儲芯片公司兆易創新也宣布研發內存，10.1日該公司宣布融資43億元，主要用于研發1Xnm工藝的內存芯片。根據兆易創新的公告，本次非公開發行A股股票的發行對象為不超過10名特定投資者，發行的股票數量不超過本次發行前公司股份總數的20%，即不超過64,224,315股（含本數）。預案顯示，兆易創新本次發行募集資金總額（含發行費用）不超過人民幣432,402.36萬元（含本數），扣除發行費用后的募
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- 三星電子宣1布率先在業內開發出12層3D-TSV(硅穿孔)技術。隨著集成電路規模的擴大,如何在盡可能小的面積內塞入更多晶體管成為挑戰,其中多芯片堆疊封裝被認為是希望之星。三星稱,他們得以將12片DRAM芯片通過60000個TSV孔連接,每一層的厚度僅有頭發絲的1/20。總的封裝厚度為720μm,與當前8層堆疊的HBM2存儲芯片相同,體現了極大的技術進步。這意味著,客戶不需要改動內部設計就可以獲得更大容量的芯片。同時,3D堆疊也有助于縮短數據傳輸的時間。三星透露,基于12層3D TSV技術的HBM存儲芯片將
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