三星電子日前發表了“暢想世界、創新未來”,同時制定了2020年銷售額4000億美元,力爭成為最大的IT企業、全球10大企業、品牌價值全球前5、最受尊敬企業全球前10、綠色環保前列企業等目標。
該目標是在本月初三星電子成立40周年的紀念活動上發表的。三星電子CEO李潤雨在致詞中表示:“在公司成立40周年之際,讓我們向成為百年超一流企業的新目標挑戰!”三星電子為實現 vision2020,制定了三大戰略方向,分別為:實現新技術先導、新市場創出、新生活方
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三星 電子
近日,有某匿名廠商指控蘋果在NAND閃存市場上“欺行霸市”,威逼閃存廠商。該廠商指蘋果經常向韓系三星,海力士等廠商超額訂貨。《韓國時報》還報道稱蘋果經常采取等待閃存由于供過于求而出現價格下降時,才采購少量閃存的采購策略,這很容易導致閃存廠商的庫存再次出現積壓現象。
由于海力士與三星兩家廠商的閃存業務對蘋果依賴甚大,因此他們對蘋果的這種策略可謂敢怒不敢言,只好被迫接受蘋果將簽訂的長期訂貨協約價下調4%。這家未具名廠商的高管指這種行為“極為不合理”。
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三星 NAND
三星近日宣布將開始量產兩款30nm制程NAND閃存芯片產品。其中一種閃存產品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術,據三星公司宣稱,這種產品的讀取帶寬是傳統閃存芯片的3倍左右,單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數據傳輸峰值帶寬可達133Mbps,而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。
即便將這種芯片應用到閃存卡中,也能夠保持60Mbps的持續讀取速率,同樣比傳統閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產品既適合智能手機,便攜多媒體播放器等產品,也同樣適用于SSD硬盤等設備。
另外一款三
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三星 30nm NAND
新聞事件:
三星表示無意購并英飛凌
市場上流傳的購并傳聞并不屬實
全球最大存儲器制造商三星電子(Samsung Electronics)發言人James Chung表示,三星無意購并英飛凌(Infineon),市場上流傳的購并傳聞并不屬實;此外,英飛凌表示不愿針對市場臆測發表評論。
日前市場傳出英飛凌將遭三星購并的消息,造成英飛凌股價上揚,然三星迅速出面否認購并的可能性。
英飛凌為德國半導體大廠,日前遭遇財務困難以2.43億歐元(約3.65億美元)將有線通訊事業賣給私募基
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三星 存儲器
經歷上一波DRAM產業不景氣,臺系DRAM廠傷得很重,好不容易等到價格反彈到現金成本之上,開始全力擴產找回過去失落的市占率,惟即使目前臺系DRAM廠再努力,也只能用落后的制程來追趕,傳出三星電子 (Samsung Electronics)采用40奈米制程的DDR3芯片已開始大量投產,領先臺廠2個世代之多,臺系DRAM廠在追趕的進度上,再度顯得相當吃力。
就像過去每次的景氣循環一樣,當走出谷底的初期,國際大廠總是早一步獲利,臺廠緩步跟隨在后,這次也不例外,臺廠再度過年初的財務危機之后,隨著DRAM
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Samsung DRAM
根據韓聯社(Yonhap)報導,韓國政府宣布,已與半導體廠三星電子(Samsung Electronics)以及海力士(Hynix)共同合作,進行磁性隨機存儲器(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory;MRAM)的研發專案,以維持韓國在半導體產業的領先地位。
韓國知識經濟部半導體與面板部門首長 Park Tae-sung表示,一旦STT-MRAM研發完成,韓國于2015年將可掌握大約45%的30奈米制程存儲器芯片市場,并預估該市場于2
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Samsung 芯片制造 MRAM
集邦科技WitsView光電事業處經理邱宇彬25日在LED Forum 2009中,針對NB、Monitor與TV等LED背光趨勢指出,LED NB已是無法回頭的路,預估2013年滲透率達100%,不過LED Monitor相對受限,預估2011年才能進入起飛的一年,而LED TV滲透率明年將大幅成長80%來到13.2%。
邱宇彬指出,LED在NB背光的滲透率自2008年的9.9%,大幅躍增至2009年的60.5%,為成長最具爆發性的一年,而LED NB已是“無法回頭的路&rdquo
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Samsung LED背光 NB 光學膜
11月25日消息,韓國三星電子周三表示,對德國芯片廠商英飛凌沒興趣,關于有意與英飛凌討論并購一事也不正確。
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三星 芯片 英飛凌
全球半導體產業2009年幾乎沒有什么值得高興的事情,營業收入預計下降12.4%,且10大供應商中只有一家實現增長。但是,飽受打擊的芯片制造商還有一點可聊以自慰:情況沒有變得更糟糕。
“2009年營業收入比2008年銳減320多億美元,它將作為全球半導體行業史上最糟糕的年份之一留在人們的記憶之中,”iSuppli公司的高級副總裁Dale Ford表示,“但iSuppli公司下滑12.4%的初步估計,遠遠好于2009年初預期的暴跌逾20%。”
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三星 半導體
市場研究機構水清木華日前發布"2009年手機內存行業研究報告"指出,NOR閃存在512Mb是個門檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時,NOR閃存的應用領域單一,應用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優勢越明顯,應用領域更廣泛,應用廠家也多.手機市場變化迅速,現在每一款手機的生命周期通常都小于5年,NOR最強大的優勢"長壽"也不復存在.盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領域的只有Spansion.而NAND領域,三
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三星 NAND NOR RAM
三星電子(Samsung Electronics)加速制程微縮,積極導入40納米制程,第4季已開始小幅試產DDR3,預計2010年下半40納米將成為主流制程,成本結構再度領先競爭同業,而美光 (Micron)陣營50納米制程2010年大量產出,爾必達(Elpida)也將導入Extra 65納米制程,之后跳40納米制程,2010年全球DRAM產業成本進一步下滑。
三星目前56納米制程DRAM產能比重超過一半,并已開始小量采用新一代的40納米制程生產DDR3芯片,成本結構再度領先同業,市調機構預估,
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三星 40納米 DRAM
根據彭博報導,全球最大液晶面板廠韓國三星電子(Samsung Electronics)計劃以10兆韓元 (折合87億美元),投入韓國Tangjung廠,以擴大面板生產。
三星發言人James Chung今天接受電話訪問,證實東亞日報相關報導。他指出,三星將于2011年至2015年進行投資,藉此擴大液晶顯示器(LCD)生產。
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三星 液晶面板
三星近日斥資13億美元,以獲得未來15年使用高通在CDMA、WCDMA和OFDMA方面專利的權利。
三星在提交給首爾證券交易所的聲明中稱,三星通過支付預付款來獲得使用高通在無線技術包括CDMA方面技術的許可,此外三星還將授權高通使用其在移動技術方面57%的專利,技術交叉許可協議中包括使用在手持設備和基站的4G無線技術。
由于三星和高通剛剛修訂了兩家公司特許權使用費的相關條款,所以三星本次支付的專利授權使用費較以往大大降低。據悉,根據三星與高通協議,三星將支付13億美元來獲得使用高通在CDM
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三星 CDMA OFDMA 移動技術
韓國三星公司最近顯著加大了邏輯芯片制造技術的研發力度,該公司最近成立了新的半導體研發中心,該中心將與三星現有的內存芯片制程技術研發團隊一起合作, 進行新半導體材料,晶體管結構以及高性能低功耗半導體技術的研發。另一方面,三星旗下的芯片廠除了正在積極準備45nm制程芯片的量產,同時作為IBM技 術聯盟的一員,也在積極研發下一代32nm/28nm制程技術.
三星表示,新研發中心與現有的內存芯片制程技術研發團隊的強強組合,將極大推動三星半導體制程技術的發展速度,有助于提升三星Hig-K,3D晶體管以及極
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三星 內存芯片
三星公司今天宣布,該公司已經成功開發出了全球最薄的Multi-die堆疊封裝技術,將8顆閃存晶片(Die)層疊封裝在一顆芯片內,厚度僅為0.6mm,比目前常見的8層封裝技術厚度降低一半。三星的這項技術最初是為32GB閃存顆粒設計的,將8顆30nm工藝32Gb NAND閃存核心層疊封裝在一顆芯片內,每層晶片的實際厚度僅為15微米,最終封裝完成的芯片才實現了0.6mm的厚度。據稱這樣的超薄大容量閃存芯片可 以讓手機和移動設備設計者在存儲模塊上節省40%的空間和重量。
三星稱,這項層疊封裝新技術的關鍵
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三星 封裝 Multi-die
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