- 三星表示,PCM(相變內存)所具有的體積小及節電優勢可能讓這種內存替代現有的移動存儲形式.
多年來,半導體廠商一直在致力研究PCM內存,不過,它一直處于試驗階段.PCM內存當中包含有類似玻璃的材料,當其中的原子重新排列,它的狀態就會發生改變,晶體的變化對應計算上的0,1狀態,從而可以用于數據存儲.
一直以來,包括英特爾和英飛凌在內的很多公司都在從PCM的研發,他們試圖將這種存儲器的體積減小,增存儲加速度與容量.支持PCM的人士認為,PCM最終可能取代NAND和NOR閃存.
三星半導體
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三星 PCM 34納米 10納米 12納米
- 三星電子(Samsung Electronics)2009年隨著新經營團隊上任，營運策略出現不少重大轉變，將影響存儲器產業生態，三星日前決定全面停止對臺銷售DRAM芯片，一律只銷售DRAM模塊。存儲器廠表示，三星策略明顯側重OEM市場，減少與現貨客戶合作，就連NAND Flash芯片供貨策略，亦同樣以消費性電子大廠為優先，尤其近期PC廠對于DRAM模塊需求強勁，三星供應臺灣DRAM模塊數量大減，市場日前甚至喊出 1條DDR2模塊40美元天價。
存儲器業者指出，三星2009年在全球供貨策略出現許多
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Samsung DRAM NAND
- 三星電子和海力士半導體2010年芯片項目將分別投資3萬億韓圓和2萬億韓圓，以應對需求攀升。
綜合外電9月28日報道，因芯片需求不斷上升，三星電子(Samsung Electronics Co.)和海力士半導體(Hynix Semiconductor Inc.)預計將于2010年在半導體生產設施方面投資約5萬億韓圓(合42億美元)。
上述兩家公司是全球收入排名前兩位的電腦內存生產商。
《Electronic Times》28日援引行業知情人士的話報道稱，預計三星電子和海力士半導體201
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三星 芯片
- 全球最大內存芯片制造商三星電子(Samsung Electronics)近日表示，盡管半導體業已由2年的低迷谷底重振，公司對前景仍抱持謹慎態度。
三星電子半導體部門總裁權五鉉(Kwon Oh-hyun)在中國臺灣臺北舉辦的移動解決方案年度論壇上表示，由于政府鼎力相助，此行業現發展情況優于公司當初預期。然而他指出：“盡管如此，我們抱持的觀點仍偏向謹慎，預估歐美感恩節假期時，將是銷售情況的轉折點。”
感恩節假期在美國落在11月，加拿大則為10月。
權五鉉另表示，目
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三星 內存芯片 LCD
- 電視迷已各就各位，因為索尼、三星和Vizio 等主要OEM廠商正在推出一種全新的網上沖浪形式，即互聯網驅動電視(IETV)。14年前人們就提出了WebTV概念，但這種產品和服務從未廣泛普及，因此有些人可能會想IETV是否只是翻版WebTV。但是，上世紀90年代中期的技術情況，與2009年最先進的數字電視(DTV)調制解調器和寬帶服務有著明顯不同。VDSL和光纖到戶正在被越來越多的消費者所采用，可提供高達30Mbit/sec 的下載速度，比第一代WebTV支持的V.34調制解調器速度快三個數量級。再加上
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三星 DTV IETV
- 據業內線報透露，臺灣內存模組廠商威剛科技日前成功從三星公司挖得一位資深市場部高管，該人士將在威剛科技暫任顧問職位。另據稱這位前三星市場部高管將來很可能會當任威剛科技的CEO或總裁職位。
威剛科技拒絕就此發表任何評論意見。
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三星 內存
- 全球最大內存芯片制造商三星電子(Samsung Electronics)近日表示，盡管半導體業已由2年的低迷谷底重振，公司對前景仍抱持謹慎態度。
三星電子半導體部門總裁權五鉉(Kwon Oh-hyun)在中國臺灣臺北舉辦的移動解決方案年度論壇上表示，由于政府鼎力相助，此行業現發展情況優于公司當初預期。然而他指出：“盡管如此，我們抱持的觀點仍偏向謹慎，預估歐美感恩節假期時，將是銷售情況的轉折點。”
感恩節假期在美國落在11月，加拿大則為10月。
權五鉉另表示，目
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Samsung 內存芯片 DRAM
- 三星電子為了滿足高端計算機的日益增長需求，計劃再新建存儲器生產線，這是近三年來首次。
產業觀察家認為三星的決定反映對于全球存儲器市場的繼續看好。同時它決定全部退出過時的8英寸生產線。
三星的新生產線將于2010年下半年開始動工，而且據稱將是“終極fab”，可理解為無論技術的先進性及生產效率都是世界上的最高水平。
三星已經停產于Gyeonggi省Hwaseong的被稱作line 10的8英寸生產線。
目前三星在Hwaseong運行共有4條存儲器生產線，如L
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三星 存儲器
- 三星公司半導體事業部總裁Oh-Hyun Kwon透露，三星公司正在逐步增加其DDR3內存芯片的產能，因此預計最近市場上出現的內存芯片供應緊張的局面很快便會有所緩解。據Kwon表示，最近市場對DDR3內存芯片的需求漲勢很旺，甚至超過了三星的預期，為了滿足市場的需求，三星準備增大DDR3芯片的產能，另外Kwon還宣稱三星目前已經在使用40nm制程技術生產內存芯片產品，而明年40nm制程則將成為三星的主力制程。
另外Kwon還表示三星將主要通過制程技術升級等技術升級手段來達到增加產能的目的，他并稱建造
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三星 內存芯片 DDR3
- 三星公司最近發布了兩款運行頻率達1GHz的ARM CORTEX-A8處理器，其中S5PC110型號主要面向智能手機等手持通信產品，而S5PV210則主要面向上網本產品，兩款產品均內含 32/32KB數據/指令一級緩存，512KB二級緩存。均基于三星的45nmLP低功耗制程技術。
三星高管Kwang Hyun Kim表示接近PC產品的高性能和極低的功耗水平正逐漸成為高檔智能手機產品的主流級需求。而S5PC110和S5PV210則正好能滿足這樣的需求，45nm LP制程和內部采用的多種節能技術則
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三星 CORTEX S5PV210 處理器
- 韓國媒體報導，9月22日三星電子(Samsung Electronics)市值首度超越全球半導體龍頭英特爾(Intel)。
韓國證交所指出，22日三星電子市值達1,102.4億美元，超越當日英特爾市值的1,093.8億美元，預料日后兩者市值的龍虎之爭將更加激烈。
據悉，2008年9月金融危機爆發前之時，英特爾、三星電子的市值分別為1,269億美元、761億美元，兩者間的落差達508億美元。
另一方面，三星電子22日的股價達82.5萬韓元(約686.5美元)，較前1日高出3.38%，創
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三星 存儲器
- 據報道，三星芯片部總裁Oh-Hyun Kwon近日在臺北舉行的三星年度移動解決方案論壇上表示，三星正在提高DDR3芯片產量，以緩解目前市場上DDR3芯片供應短缺現狀。
Oh-Hyun Kwon指出，DDR3芯片的需求增長量超過了先前的預計，導致了DDR3供應短缺。不過三星目前已經加大了DDR3芯片生產量，以滿足市場的增長需求，40nm工藝將成為他們明年芯片生產的主要處理技術。
Oh-Hyun Kwon認為，提高產量的方法并不只是多建幾家工廠，技術升級將是三星以后提高芯片產量的主要途徑。
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三星 40nm DRAM DDR3
- 據韓國《朝鮮日報》報道，三星電子正在因蘋果()的iPhone而喜憂參半。蘋果公司于2007年推出iPhone，至今已售出2000萬部以上。三星電子一直在為iPhone供應中央處理器(CPU)和存儲芯片——閃存存儲器。
美國市場調查企業iSuppli于9月21日表示，第二季度，三星電子在智能手機等便攜式產品CPU市場上的份額達到15.9%，排名升至世界第二，僅次于美國德州儀器(TXN)。得益于iPhone的高人氣，為其提供核心零配件的三星電子也受益匪淺。尤其是三星的CPU占
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三星 閃存存儲器 iPhone
- 據國外媒體報道，三星電子芯片部門總裁權五鉉(Oh-Hyun Kwon)周二表示，全球芯片需求形勢好于公司原來預期，因此三星電子正在提高芯片產量以滿足市場需求。
權五鉉將需求提升歸功于企業重建庫存以及政府的經濟刺激政策。
在臺北的新聞發布會上，權五鉉舉例道個人電腦用的DDR3芯片的需求就非常強勁。三星電子正在臺北舉行一個關于手機行業的論壇。
他表示，三星正在提高DDR3芯片的產量，預計將有助于結束市場供給短缺的現象。
權五鉉表示，此前由于制造商產能過度擴張，DRAM(動態隨機存取
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三星 DRAM DDR3 液晶面板 記憶體芯片
- 三星電子宣布已開始512M相變隨機存儲器的量產，目標應用于手機等電池驅動產品。
如果三星真能快速實現量產，那其相變存儲器進程將超過Intel和STMicroelectronics的合資公司Numonyx。
相變存儲器具有良好的性能，如高速、高密度、低功耗等。但開發時間非常廠，三星首次宣布512M原型器件是在2006年9月。
三星稱相變存儲器可使電子器件的電池使用時間提高20%。
三星并未透露是在哪一個工廠生產相變存儲器。
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三星 存儲器
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