- 3月3日消息，日媒報道，當地時間3月1日14時，位于日本宮崎縣延岡市水尻町的旭化成集團“Kayak Japan”東海工廠突然發生爆炸和火災。目前已確認，事故造成至少一人受傷、一人失蹤。據旭化成延岡分公司透露，該工廠主要制造炸隧道、礦山等工程、國防用的火藥材料，爆炸發生實驗設施內，具體愿意還在調查中。旭化成（Asahi
Kasei）成立于1922年，總部位于日本東京，是日本排名前三位的綜合性化工企業集團，集團下設化學、建筑、電子、醫療四大業務板塊，年銷售額約合1200億元人民幣。目前旭化成是世界最大
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日本 光刻膠
- 什么是光刻膠？為什么它在半導體領域如此之重要？光刻膠又叫光致抗蝕劑，制造一塊芯片往往要對硅片進行數十次光刻，除了用到光刻機，還要添加光刻膠作為抗腐蝕涂層。這是一種高頻剛需的材料，光刻膠生產技術較為復雜，品種規格較多，在電子工業集成電路的制造中，對所使用光刻膠有嚴格的要求。說到材料就進入了今天的主題，我們不得不接受一個殘酷的現實，中國大陸不僅造不出光刻機、光刻膠領域也被卡脖子了。今年五月份，日本對中國光刻膠提出了斷供，直接導致國內多家晶圓廠將會面臨大缺貨的處境，按照工藝的先進程度，光刻膠依次分為G線、I線、
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光刻膠
- 最近，關于日本光刻膠或斷供部分國內芯片企業的消息，不時地傳出。原因在于日本的光刻膠產能沒有提升，且全球第五大光刻膠生產企業信越化學（日本企業）KrF光刻膠福島工廠關閉，產能受限，但全球芯片的產能在不斷的提升，于是光刻膠也開始供不應求了。 相應的，這些光刻膠廠商肯定優先供應大客戶，中國的這些小客戶自然優先級排在后面，所以也就有可能面臨斷供的風險。 很多人表示，斷供能夠逼著我們的光刻膠前進，話是這樣沒錯，但說實話，目前國內光刻膠技術與日本或者說國際領先水平差太遠，一旦斷供，國產頂不上，影響還是很大的。
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- 2019年5月份時，美國將華為列入到所謂的實體名單，之后在2020年，又對華為進行了兩次無理的打壓，使得華為在芯片方面難以得到供應，甚至連芯片代工也無法實現。正是因此，華為在2020年11月份，將榮耀整體出售，而華為的手機業務也受到很大的影響，因為芯片供應短缺，使得華為的手機市場份額，已經不再世界前五。不過我們看到，華為已經找到了新的賽道，那就是智能電動汽車領域，華為給自己的定位，是成為該領域的增量部件提供商，這與手機業務的市場策略很不一樣。在智能手機上，華為的角色是一家整機廠商，其定位是產業鏈的下游；而
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光刻機 光刻膠 南大光電
- 雖然將會有更多用于EUV光刻的光刻膠制造商。但是目前這個市場是日本公司壟斷的。目前只有兩家芯片制造商掌握了使用EUV極紫外線輻射光刻的半導體光刻技術，但是毫無疑問，這就是光刻技術的未來。與任何未來一樣，它為一些光刻材料市場開拓者提供了在新市場中建立自己的機會。尤其是目前由兩家日本公司生產使用EUV光刻機所使用的技術處理材料，而其中一家是著名的Fujifilm富士膠片公司。富士膠片控股公司和住友化學將在2021年開始為下一代芯片提供光刻材料，這可能有助于減小智能手機和其他設備的芯片尺寸，并使它們更加節能。這
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- 光刻膠是利用光化學反應經光刻工藝將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上的圖形轉移媒介。作用原理是利用紫外光、準分子激光、電子束、離子束、X
射線等光源的照射或輻射,使其溶解度發生變化的耐蝕刻薄膜材料。光刻膠主要用于集成電路和半導體分立器件的微細加工，同時在平板顯示、LED、倒扣封裝、磁頭及精密傳感器等制作過程中也有著廣泛的應用。光刻膠又稱光致抗蝕劑，由主要成分和溶劑構成，當前光刻膠主要使用的溶劑為丙二醇甲醚醋酸酯（PMA），占光刻膠含量約為80%-90%。主要成分包括樹脂、單體、光引發劑及添
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- 無法制造純國產的高端芯片，是國人心中隱隱的痛！目前來說，阻礙國產高端芯片的最大瓶頸就是極紫外光刻機。但是，即使有了極紫外光刻機，也需要光刻膠和掩膜版來進行配套才行。一、光刻機不是直接刻蝕芯片正如上一個關于光刻機的視頻所說，芯片生產用的光刻機，只是起到曝光的作用，并不進行刻蝕。要想用光刻機進行直接刻蝕，必然面臨以下幾個難題。首先，要把激光功率做到足夠大，需要把硅或一些金屬氧化物直接氣化剝離。目前來說，波長越短的激光光源制造越困難，實現大功率越難，現有的紫外、極紫外光源難以產生足夠強的激光。尤其是極紫外光源，
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- 作為半導體卡脖子的技術之一,很多人只知道光刻機,卻不知道光刻膠的重要性,這個市場也是被日本及美國公司壟斷,TOP5廠商占了全球85%的份額。國產光刻膠此前只能用于低端工藝生產線中,能做到G 線(436nm)、I 線 (365nm)水平,目前主要在用的ArF光刻膠還是靠進口,EUV光刻膠目前還沒有公司能生產,基本上都控制在日本公司手中。不過EUV光刻膠也不是急需的,因為國內目前還沒有EUV工藝量產,193nm的ArF光刻膠更加重要,目前國內有多家公司正在攻關中,這種光刻膠可以用于28nm
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- 近年來,雖然中國在芯片設計領域有了突飛猛進的發展,涌現出了一批以華為海思為代表的優秀的芯片設計企業,但是在芯片制造領域,中國與國外仍有著不小的差距。不僅在半導體制程工藝上落后國外最先進工藝近三代,特別是在芯片制造所需的關鍵原材料方面,與美日歐等國差距更是巨大。即便強大如韓國三星這樣的巨頭,在去年7月,日本宣布限制光刻膠、氟化聚酰亞胺和高純度氟化氫等關鍵原材料對韓國的出口之后,也是被死死的“卡住了脖子”,急得如熱鍋上的螞蟻,卻又無可奈何。最后還是日本政府解除了部分限制之后,才得以化解了危機。而在美國制裁中興
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- 2019年7月初，日韓突然陷入制裁爭端，日本宣布限制對韓出口三種關鍵的半導體材料，分別是電視和手機OLED面板上使用的氟聚酰亞胺(Fluorine Polyimide)、半導體制造中的核心材料光刻膠(Photoresist)和高純度氟化氫(Eatching Gas)。日本方面敢這么做當然是有底氣的，基本壟斷著全球的氟聚酰亞胺、氟化氫材料市場，分別占全球份額的90％、70％之多，韓國企業更是嚴重依賴日本供應，禁售直接帶來了毀滅性的打擊。據外媒最新報道，日本經濟產業省已經部分解除了對韓國出口光刻膠的限制。今后
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- ?臺積電爆發光刻膠規格不符事件導致大量報廢晶圓，牽動公司內部兩部門的人事異動，包括這次事件爆發地的 14 廠廠長已換將。
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- 新式半導體光刻技術中，極紫外光刻(EUV)被認為是最有前途的方法之一，不過其實現難度也相當高，從上世紀八十年代 ...
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- 根據SEMI于SEMICON West上最新的數據報道，由于IC出貨量的持續增加，導致半導體材料用量己經回到近08年水平，但是預期2011年的增速減緩。
2010年總的半導體前道材料(fab Materials)將由09年的178.5億美元(與08年相比下降26，2%)提高到217.1億美元，但仍未超過2008年241.9億美元水平 。這是由SEMI分析師Dan Tracy在7月12日下午的年會上公布的數據。
在2010年中增長最快是硅片(32%up，達94.1億美元)，緊接著是光刻膠(2
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- TFT-LCD產業是當今產業界幾個高成長產業之一。近10年來，日本、韓國及我國臺灣等國家和地區，已經為它投資了上千億美元，形成地域相當集中、規模相當巨大的產業集群。
我國光刻膠用量逐年增加
中國液晶產業始于1980年，起步并不晚。但是我們長期限于TN、STN-LCD。在2003年后才真正開始大規模建設TFT-LCD生產線，目前已經量產的廠家主要是京東方、上廣電、龍騰和深超光電4家，產能約占全球總產能的4%。
目前我國在建和待建的大尺寸TFT-LCD生產線共有8條，其中，京東方除了規劃
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- 光刻膠是集成電路中實現芯片圖形轉移的關鍵基礎化學材料，在光刻膠的高端領域，技術一直為美國、日本廠商等所壟斷;近年來，本土光刻膠供應商開始涉足高檔光刻膠的研發與生產，蘇州華飛微電子材料有限公司就是其中一家。
據華飛微電子總工程師兼代總經理冉瑞成介紹，目前華飛主要產品系列為248nm成膜樹脂及光刻膠，同時重點研發193nm成膜樹脂及光刻膠和高檔專用UV成膜樹脂及光刻膠。
冉瑞成表示，248nm深紫外(DUV)光刻膠用于8-12英寸超大規模集成電路制造的關鍵功能材料，目前的供應商基本來自美國、日
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光刻膠介紹
光刻膠-正文 又稱光致抗蝕劑，由感光樹脂、增感劑（見光譜增感染料）和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。感光樹脂經光照后，在曝光區能很快地發生光固化反應，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發生明顯變化。經適當的溶劑處理，溶去可溶性部分，得到所需圖像（見圖）。光刻膠廣泛用于印刷電路和集成電路的制造以及印刷制版等過程。光刻膠的技術復雜，品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理， [
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