- 10 月 30 日消息，芝奇國際今日宣布再度刷新內存頻率超頻世界紀錄，由華碩 ROG 極限超頻者 SAFEDISK 上傳的成績，通過液態氮極限超頻技術，創下 DDR5-12112 的超頻紀錄。該紀錄使用的是芝奇 Trident Z5 旗艦系列 DDR5 內存，搭配最新英特爾酷睿 Ultra 9 285K 處理器及華碩 ROG MAXIMUS Z890 APEX 主板。IT之家附圖如下：此成績已上傳至 HWBOT 及 CPU-Z，超越了 10 月 25 日微星 MEG Z890 UNIFY-X
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芝奇 內存 DDR5
- 10 月 17 日消息，據韓媒 ZDNET Korea 當地時間昨日報道，SK 海力士正縮減 CIS （注：即 CMOS 圖像傳感器）等次要業務規模，全力聚焦高利潤產品 HBM 以及 CXL 內存、PIM、AI SSD 等新興增長點。SK 海力士今年減少了對 CIS 業務的研發投資，同時月產能已低于 7000 片 12 英寸晶圓，不足去年一半水平。而這背后是 2023 年 CIS 市場三大巨頭索尼、三星、豪威共占據 3/4 市場份額，SK 海力士僅以 4% 排在第六位，遠遠落后于競爭對手。同時，SK 海力
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SK 海力士 CIS HBM 內存
- IT之家 9 月 9 日消息，TrendForce 集邦咨詢今天下午發布報告指出，由于服務器終端庫存調整接近尾聲，加上 AI 推動了大容量存儲產品需求，今年第二季度 NAND Flash（閃存）價格持續上漲。但由于 PC 和智能手機廠商庫存偏高，導致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環比下降 1%，平均銷售單價上漲了 15%，總營收達 167.96 億美元（IT之家備注：當前約 1193.37 億元人民幣），較前一季實現環比增長 14.2%。各廠商營收情況如下：三星：第二季時積極回應客戶對
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內存 NAND Flash
- IT之家 9 月 4 日消息，據韓媒 ZDNET Korea 報道，三星電子 MX 部門 8 月向 DS 部門表達了對面向 Galaxy S25 系列手機的 1b nm （IT之家注：即 12nm 級） LPDDR 內存樣品供應延誤的擔憂。三星電子于 2023 年 5 月啟動 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內存量產，后又在當年 9 月發布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在內部推進 1b nm LPDDR 移動內存產品的開發工作。然而該韓媒此前就在今年 6 月
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三星 內存 DDR5
- 根據TrendForce最新調查，消費型電子需求未如預期回溫，中國大陸地區的智能型手機，出現整機庫存過高的情形，筆電也因為消費者期待AI PC新產品而延遲購買，市場持續萎縮。此一現象，導致以消費型產品為主的內存現貨價走弱，第二季價格較第一季下跌超過30％。盡管現貨價至8月份仍與合約價脫鉤，但也暗示合約價可能的未來走向。TrendForce表示，2024年第二季模塊廠在消費類NAND Flash零售通路的出貨量，已大幅年減40％，反映出全球消費性內存市場正遭遇嚴峻挑戰。內存產業雖一向受周期因素影響，但202
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TrendForce 內存 DRAM
- IT之家 8 月 20 日消息，據韓媒 MK 報道，SK 海力士負責 HBM 內存業務的副總裁 Ryu Seong-soo 當地時間昨日在 SK 集團 2024 年度利川論壇上表示，M7 科技巨頭都表達了希望 SK 海力士為其開發定制 HBM 產品的意向。IT之家注：M7 即 Magnificent 7，指美股七大科技巨頭蘋果、微軟、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英偉達、亞馬遜以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不斷工作，與 M7 企業進行電話溝通，并為滿足這些企業的需
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海力士 HBM 內存
- IT之家 8 月 13 日消息，據 IDC 北京時間本月 7 日報告，三大內存原廠三星電子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半導體 IDM（IT之家注：整合組件制造）企業營收榜單第 1、3、4 位，第二位則是英特爾?！?圖源 IDC報告表示，數據中心對 AI 訓練與推理的需求飆升，其中對 HBM 內存的需求提升尤為明顯。HBM 自身的高價和對通用 DRAM 產能的壓縮也推動 DRAM 平均價格上升，使總體內存市場營收大幅成長。此外終端設備市場回穩，AI PC、智能手機逐步發售，同樣提升
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- 8 月 9 日消息，小鵬汽車今日官宣，小鵬 MONA M03 首批量產車下線，全系標配高通 8155 芯片和 16GB 內存。博主@孫少軍09 稱，小鵬 MONA M03的門店展車已經提前到店，開票價 15 萬多，所以起步價只會在 14 萬以下。博主還提到，對于小鵬自己，最麻煩的永遠不是產品本身，而是前幾次上市交不出來（車）的“無語”。所以小鵬這次一定要強調量產下線，這個比其他的都重要。據此前報道，小鵬 MONA M03 已出現在工信部的新車申報名單中，車身尺寸 4780 x 1896 x 1445mm，
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小鵬 MONA M03 高通 8155 芯片 內存
- 全球領先的硅智財供貨商M31宣布與高塔半導體（Tower Semiconductor）達成重要合作里程碑。雙方連手成功開發出65納米制程的SRAM（靜態隨機存取內存）和ROM（只讀存儲器）IP產品，并已將設計模塊交付客戶端完成驗證，為半導體產業帶來全新的先進內存解決方案。M31與高塔半導體共同優化的設計架構，巧妙結合低功耗組件Analog FET（模擬場效晶體管），不僅能夠完美滿足當前SoC芯片對低功耗的嚴格要求，更為未來物聯網（IoT）、智能型穿戴裝置、車聯網（V2X）以及人工智能（AI）等新興應用領域
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M31 高塔半導體 65納米 內存
- IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開發，計劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產準備，2026 年二季度正式啟動大規模生產。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱這一顆粒計劃于 2025 上半年實現量產?！?SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說法，SK 海力士未來兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業界平均水平。IT之家注：從代際發布間隔
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- IT之家 7 月 29 日消息，綜合外媒《韓國經濟日報》（Hankyung）與 Blocks & Files 報道，SK 海力士考慮推動 NAND 閃存與固態硬盤子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購英特爾 NAND 與 SSD 業務，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購第一階段后成立的獨立美國子公司。▲ Solidigm D5-P5336，E1.L 規格，61.44TB由于內外部因素的共同影響，Sol
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- HBM4是目前發布的HBM3標準的進化版，旨在進一步提高數據處理速率，同時保持基本特性，例如更高的帶寬、更低功耗和更大的每個芯片和/或堆棧容量 —— 這些對于需要高效處理大數據集和復雜計算的應用至關重要，包括生成人工智能（AI）、高性能計算、高端顯卡和服務器。
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- 全面現貨供應、提供快速交付的全球電子元器件和自動化產品分銷商DigiKey今天宣布與Kingston Technology（金士頓）合作，向全球分銷其內存產品和存儲解決方案。作為全球最大的獨立存儲器產品制造商之一，Kingston面向各種規模的工業和嵌入式OEM客戶，提供包括eMMC、eMCP、ePoP、UFS和DRAM組件在內的各種存儲產品。該公司還提供一系列專為系統設計師和制造者打造的工業級 SATA 和 NVMe 固態硬盤 (SSD)。DigiKey與Kingston Technology合作，提供
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- IT之家 7 月 22 日消息，據外媒 Tomshardware 報道，中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲，日前再次將美光告上法院，在美國加州北區指控美光侵犯了長江存儲的 11 項專利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產品。長江存儲還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權的存儲產品，并支付專利使用費。長江存儲指控稱，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
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- 據《ZDNet Korea》報道，三星電子存儲部門新業務規劃團隊董事總經理Choi Jang-seok近日表示，即將推出的內存模塊被指定為CMM-D2.0，將符合CXL2.0協議。這些模塊將利用使用第二代20-10nm工藝技術生產的DRAM內存顆粒。除了CMM-D模塊，三星還在開發一系列CXL存儲產品。其中包括集成多個CMM-D模塊的CMM-B內存盒模塊，以及將DRAM內存與NAND閃存顆粒相結合的CMM-H混合存儲模塊。Choi Jang-seok強調，隨著CXL3.1技術的采用，CXL內存資源可以在多
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內存介紹
【內存簡介】
在計算機的組成結構中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數據的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內存儲器（簡稱內存，港臺稱之為記憶體）。
內存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統、打字軟件、游戲軟件等， [
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