- 圖片來源：Lam Research隨著互補金屬氧化物半導體（CMOS）面積從一個節點縮小到另一個節點50%，互連臨界尺寸（CD）和間距（或間距）需求非常緊張。在N3節點，金屬間距尺寸必須在18納米或以下，主要的互連挑戰之一是確保足夠的工藝裕度以應對CD和邊緣布置誤差（EPE）。實現未來技術節點的CD光柵需要多圖案化方法，如自對齊雙/四/八重圖案（SADP/SAQP/SAOP）和多重光刻蝕（LE）圖案，結合193i光刻甚至極紫外光刻。SEMulator3D虛擬制造技術，作為Semiverse Solutio
- 關鍵字：
BEOL 圖案化 半導體
圖案化介紹
您好，目前還沒有人創建詞條圖案化!
歡迎您創建該詞條，闡述對圖案化的理解，并與今后在此搜索圖案化的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
