- 圖片來源：Lam Research隨著互補金屬氧化物半導體（CMOS）面積從一個節點縮小到另一個節點50%，互連臨界尺寸（CD）和間距（或間距）需求非常緊張。在N3節點，金屬間距尺寸必須在18納米或以下，主要的互連挑戰之一是確保足夠的工藝裕度以應對CD和邊緣布置誤差（EPE）。實現未來技術節點的CD光柵需要多圖案化方法，如自對齊雙/四/八重圖案（SADP/SAQP/SAOP）和多重光刻蝕（LE）圖案，結合193i光刻甚至極紫外光刻。SEMulator3D虛擬制造技術，作為Semiverse Solutio
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BEOL 圖案化 半導體
- 3 月 11 日消息，據 ZDNet Korea 今日報道，三星電子 11 日的業務報告稱，三星電子第四代 4 納米工藝（SF4X）已于去年 11 月開始量產。由于該工藝專注于人工智能等高性能計算（HPC）領域，預計將在三星代工業務的復蘇中發揮關鍵作用。三星第一代 4 納米于 2021 年量產。圖源：三星電子據了解，與前幾代相比，三星的第四代 4 納米芯片采用了先進的后端連線（BEOL）技術，能夠顯著提升芯片的整體性能，同時降低制造成本。此外，該芯片還配備了高速晶體管，還支持 2.5D 和 3D 等下一代
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三星 量產 第四代 4 納米 芯片 臺積電 SF4X 人工智能 高性能計算 HPC BEOL
- 巴斯夫與歐洲領先的獨立納米技術研究機構比利時弗拉芒校際微電子研究中心(IMEC)今天宣布繼續拓展聯合研發項目。作為進一步合作的領域之一，雙方計劃研發工藝化學品，這將提高半導體生產中的清洗化學品的性能。研究工作的另一個重點是降低生產工藝復雜性及減少生產步驟。
聯合研發下一階段將專注于選擇性清洗技術，這一技術將推動以22納米技術為基礎的新一代芯片的開發。這些解決方案將用于集成電路生產的第一個部分，即“前段制程”(FEOL)，此時個別組件(如晶體管)將被固定在半導體上。重要的是
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IMEC 22納米 FEOL BEOL
beol介紹
BEOL就是制程的后道，形成Device的鏈接組合并引出PAD
對于beol(后線)的清洗，除了顆粒問題和金屬離子的問題，通常的問題是陰離子、多晶硅柵的完整性、接觸電阻、過孔的清潔程度、有機物以及在金屬布線中總的短路和開路的數量。
非hf-結尾的工藝。其它的類型是以hf去除工藝收尾的清洗。非hf-結尾的表面是親水性的，可以被烘干而不留任何水印，同時還會生成（在清洗過程中形 [
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