全球頂級研究人員匯聚三藩市，參加IEEE國際電子元件會議(IEDM)。斯坦福大學團隊在會議上發表的一篇論文，正是這種洞察細節精神的體現。
由IBM電子工程師出身的黃漢森教授(H.S.PhilipWong)指導該團隊，在深入研究一種新型資料儲存技術。對于智慧手機和其他移動設備而言，高效節能是至關重要的，因此此種資料存儲技術將是這些設備的理想選擇。
這種新技術產品稱為電阻式存儲器，縮寫為RRAM。電阻式存儲器基于一種新型半導體材料，此種半導體材料能夠以阻止或允許通過電子流的方式，形成狀態值&l
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引起全球集成電路產業重大關注的國家存儲器基地項目，2016年12月30日正式開工。立志打造中國集成電路產業航母的紫光集團入股長江存儲，執掌項目建設，亦引人注目。
2016年12月30日，紫光集團董事長兼長江存儲董事長趙偉國接受長江日報記者采訪時表示，參與建設國家存儲器基地，對于紫光集團來說，責任和壓力很大，這是事關國家戰略、“使命必達”的戰役，也是真刀真槍的全球市場競爭。
談項目：這是“中國存儲器航母”起航
“國家存儲器基地
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傾大陸國家之力的中國長江存儲存儲器基地正式于2016年12月30日開工，而此項目前身為武漢新芯存儲器基地，在歷經中國紫光與武漢新芯合體后，重新找地建新廠，強調要打造全球單座潔凈室面積最大的3DNANDFlash新廠。
紫光集團于2016年12月30日在大陸武漢東湖高新區舉移動土典禮，宣布中國國家存儲器基地正式開工，該建設項目聯合紫光集團、國家集成電路產業地方基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投等共同出資，項目總投資金額達240億美元。
紫光集團暨長江存儲董事長趙偉國趙偉國典禮中強調，
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今日，由紫光集團聯合國家集成電路產業基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資240億美元建設的國家存儲器基地項目正式動工，預計 2018年建成投產，2020年完成整個項目，初期計劃以先進的3D NAND為策略產品。
據悉，此次動工建設的存儲器基地位于武漢東湖高新區的武漢未來科技城，規劃建設3座3D NAND 生產工廠，1座總部研發大樓和其他若干配套設施，總占地面積1968畝，預計到2020年可形成月產能30萬片的規模，年產值將超過100億美元，到2030年可提升到每月100萬
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聯華電子與嵌入式非揮發性存儲器解決方案廠商Cypress今(14日)共同宣布，在聯電制造的專有40奈米嵌入式電荷擷取(eCT)快閃存儲器的微電腦控制器(MCU)已量產出貨。 此次量產展現Cypress快閃存儲器技術結合聯電40奈米低功耗(40LP)邏輯制程的多年合作結果。 40奈米eCT 快閃存儲器的尺寸僅為0.053μm2，比最接近之競爭對手的尺寸約小25%。 eCT快閃存儲器可滿足最嚴苛的高性能應用設計的兩個關鍵特性，即8 nsec的隨機存取速率和
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微控制器(MCU)在從電機控制，到信息娛樂系統和車身控制等越來越寬泛的汽車應用中提供至關重要的性能。隨著價格的下降和整固的增加，微控制器正變得越來越普及，這意味著MCU被越來越多地視為商品。盡管存在這種商品化趨勢，汽車系統設計工程師仍然認為不同的控制器會有很大的差異，包括各種級別的集成度和功率要求。選擇MCU通常可以縮減材料成本(BOM)，從而有效地降低電子控制單元(ECU)本身的價格。 選擇汽車MCU時，設計工程師可以考慮以下10個重要因素，實現成本壓力與應用所需的特定性能特色之間的平衡。 1.
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根據ICInsights報道，在經歷了2013年與2014年連續兩年20%以上增長的好年景以后，2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應商合并、產能控制還是新型應用頻出等過去認為是利好的事情，都沒有拯救2015年的存儲器市場。個人電腦市場的低迷導致存儲器庫存過多，從而在2015年下半年出現了價格暴跌，2015年存儲器銷售額最終為780億美元，同比下降了3%。
這種頹勢延續到了2016年上半年，但從2016年下半年開始情況發生了變化，存儲器價格開始變得異常堅挺，而且持續到了2016結束。但由于
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SK海力士最先進72層3D NAND存儲器傳明年開始量產，韓聯社周一引述知情人事消息報導指出，SK海力士計劃于2017上半年完成芯片設計，位在利川(Icheon)的M14廠將可在下半年開始生產。
若按計劃進行，SK海力士將成為全球第一個量產72層3D NAND的存儲器廠。為因應市場需求增溫，SK海力士上周已宣布將在韓國與中國兩地，投資3.15兆韓圜來增加DRAM與NAND存儲器產能。
隨著微縮制程遭遇瓶頸，業者紛紛改以3D垂直方式堆疊存儲器做突破，但工藝技術各不相同。目前技術領先的三星已于
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隨著電子技術和信息化社會的發展，作為嵌入式系統和計算機的輸出設備之一的微型打印機被廣泛應用于生活當中。 基于世強代理的瑞薩 RZ/A1的微型打印模塊系統主要包括MCU、字庫芯片、熱敏機芯(加熱控制、溫度檢測、滾筒檢測、缺紙檢測、步進電機驅動)、串行接口電路等。 圖：基于世強代理的瑞薩RZ/A1的微型打模塊系統框圖 瑞薩RZ/A1系列微處理器是以ARM Cortex-A9 CPU為內核，該CPU的時鐘頻率為400 MHz，DMIPS3為1000，擁有全球容量
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Cortex-M0處理器為32位處理器，所以具有最大4G的尋址空間。在體系結構上，存儲器空間被劃分位一系列的區域，每個區域都有推薦的用途，以提高不同設備間的可移植性。 M0處理器內置了各種不見，例如NVIC和一些調試部件，它們都被映射到系統空間的固定地址上。因此所有基于M0的設備在中斷控制和調試方面，都由相同的編程模式。這種處理有利于軟件移植，也方便調試工具提供商位M0的微控制器和片上系統SOC提供開發調試方案。 Cortex-M0支持大端和小端操作，使用相應的配置即可選擇，但已經成型
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硬盤大廠爭相與Flash廠商結盟，全球存儲器產業鏈供貨、版圖又將迎來什么樣的變化?
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十年時間匆匆而過，全球半導體業發生大的改變，產業己趨越來越成熟，增長己顯乏力。
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在經歷了2013年與2014年連續兩年20%以上增長的好年景以后，2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應商合并、產能控制還是新型應用頻出等過去認為是利好的事情，都沒有拯救2015年的存儲器市場。個人電腦市場的低迷導致存儲器庫存過多，從而在2015年下半年出現了價格暴跌，2015年存儲器銷售額最終為780億美元，同比下降了3%。
這種頹勢延續到了2016年上半年，但從2016年下半年開始情況發生了變化，存儲器價格開始變得異常堅挺，而且持續到了2016結束。但由于上半年跌價太狠，IC Insi
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科學家們經常會發現尚未完全理解其中因果的事物令人興趣盎然，但是對于工程師而言，此種未知奧秘卻是夢魘。工程師的工作是將基礎知識轉化為實用技術，這意味著需要洞察細節。 12月5日，全球頂級研究人員匯聚舊金山，參加IEEE國際電子組件會議(IEDM)。斯坦福大學團隊在會議上發表的一篇論文，正是這種洞察細節精神的體現。 由IBM電子工程師出身的黃漢森教授(H. S. Philip Wong)領導的該團隊，在深入研究一種新型數據存儲技術。對于智能手機和其他移動設備而言，高效節能
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NAND Flash固態硬碟(SSD)襲卷了過去10年的儲存技術產業，而非揮發性存儲器(NVM)消除了DRAM與儲存硬碟間的差異，勢必掀起一波更大的革命。由微軟(Microsoft)與英特爾(Intel)所組成的Wintel聯盟，即將卷土重來，成為這波革命背后最主要的推手。 ZDNet報導指出，Flash SSD速度雖較傳統旋轉磁碟裝置快上許多，但兩者的I/O堆疊其實沒有太大的差異，因此Flash SSD在執行數據寫入時，仍有延遲、錯誤等缺點。反觀NVM除了速度更快之外，其存儲器還擁有持久型儲存的功能
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存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
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