- 縱觀目前低容量并行接口的非易失存儲器市場，EEPROM、FRAM、SRAM+BAKBAT方式等占據了市場主流，其中EEPROM的供應廠家很多，其中以ATMEL，ST等廠家占主導地
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非易失性 存儲器 緊急數據
- 世界領先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)發布W系列 F-RAM存儲器，W系列器件帶有串口I2C
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F-RAM 存儲器 Ramtron FM24W256
- 在演算法交易領域的最新進展是導入一些更低延遲的解決方案，其中最佳的方式是使用FPGA搭建的客制硬體。這些FPGA硬體可說是硬編碼ASIC的極致性能和CP
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高性能 FPGA 平臺 存儲器
- DRAMeXchange表示，由于DRAM產業寡占市場格局確立，加上各大DRAM供應商按照原先規劃減少標準型存儲器部位影響下，主流模塊4GB均價在第2季上揚16%，由23.5
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存儲器 DRAM 三星
- 全可編程技術和器件的全球領先企業賽靈思公司 (Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX))今天宣布擴展其16nm UltraScale+™ 產品路線圖，面向數據中心新增加速強化技術
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處理器 存儲器 計算
- 嵌入式系統解決方案領域的領導者賽普拉斯半導體公司(納斯達克股票交易代
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存儲器 分辨率 控制器
- 行業專家認為，對于一個典型的大型數據中心而言，其50億美元成本的80%左右會用在設備的機械和電子基礎設施上。對于數據中心服務器，高功率密度的
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存儲器 子系統效率 DRAM
- 標準和規格一直是確保記憶體正常運作于更廣泛系統中的關鍵，但隨著技術進展以及記憶體與儲存產業開始整并，改變了供應商及其客戶之間的合作關系...
美光科技(Micron Technology)在今年初于德州奧斯汀成立美光儲存解決方案中心(Micron Storage Solutions Center：MSSC)，一部份的原因就來自于這種新合作模式的帶動。美光科技儲存軟體工程副總裁Steve Moyer指出，其引爆點就是業界開始轉型至非揮發性記憶體技術以及快閃記憶體成為新興的儲存技術。
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存儲器
- 受到第三季進入旺季需求帶動，存儲器、面板等關鍵零組件皆終止長期價格頹勢。TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，存儲器在筆電需求回溫、智能手機延續強勁成長態勢與服務器需求增溫帶動下，DRAM與NAND Flash第四季價格預計將同步上揚，特別是DRAM合約價第四季估將再漲逾一成。
供應持續吃緊，DRAM市場至2017年維持健康供需狀態
由于今年中國品牌智能手機表現超乎預期，服務器出貨也受惠于中國大陸數據中心需求增溫，下半年臺系服務器代工廠
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存儲器 DRAM
- 軟、硬件共同設計趨勢正在席卷整個IT部門，不論是資料分析或是機器學習，每種工作項目的分工都 將更為精細，硬件廠商也開始針對軟體設計新的產品。為了維系資料中心的市場霸主地位，英特爾(Intel)瞄準機器學習的特殊需求，將推出代號為 Knights Mill的多核心處理器。
據The Next Platform報導，英特爾現有的Knights Landing Xeon Phi芯片可提供雙精度(Double Precision)3.46 teraflop及單精度(Single Precision)6.
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英特爾 存儲器
- IDC昨天公布，2016年第2季由于液晶顯示屏幕、處理器、存儲器等關鍵零組件短缺，全球智能手機產業制造量較首季僅成長4.8%。且因關鍵零組件短缺，造成排名的洗牌效應。
IDC全球硬件組裝研究團隊研究經理高鴻翔指出，在蘋果、索尼、微軟等國際大廠出貨量滑落影響下，2016年第2季全球智能手機組裝產業競爭，呈現大陸廠商比重持續提升(44.1%上升至46.4%)、臺灣廠商比重滑落(23.4%跌至19.7%)的態勢。
由于液晶顯示屏幕、處理器、存儲器等關鍵零組件短缺，形成歐、美、日與大陸一線廠商以原
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處理器 存儲器
- 東京-東芝公司今天宣布最新一代BiCS FLASHTM三維(3D)閃存存儲器，采用了堆棧式單元結構[1]。該款64層工藝的存儲器于今天成為了世界首款[2]樣品出貨的產品。新型存儲器采用3-bit-per-cell(1個存儲器儲存單元可存放3比特的數據)技術，實現了256Gbit(32GB)的容量。這種進步印證了東芝專有架構的潛力。東芝將不斷精進BiCS FLASHTM制造工藝，其發展藍圖中的下一個里程碑將是同樣采用64層堆棧的512Gbit(64GB)容量存儲器。
這款新型存儲器沿襲48層BiC
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東芝 存儲器
- 在全球持續突破存儲器運行速度的努力進程中，全球各研究人員均對于“相變化存儲器”(Phase Change Memory;PCM)領域的研究感興趣，并投入大量時間從事研發，最新則是美國史丹佛大學(Stanford University)的研究做出了新突破，據稱可讓PCM的運行速度較傳統DRAM快上逾1,000倍以上。
據Techspot網站報導，所謂的相變化存儲器運作原理，是指在低阻抗的結晶態及高阻抗的非結晶態兩種物理狀態下進行移動，雖然此技術在現今全球儲存技術領域中已展現
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存儲器 DRAM
- 略有變化，卻并不意外。隨著2016中國企業500強榜單的發布，人們看到，國家電網以20713.49億元的營業收入首次排名中國企業500強榜首， 中國石油(7.420, 0.02, 0.27%)、中國石化(4.950, 0.00, 0.00%)、工商銀行(4.490, -0.01, -0.22%)等緊隨其后。
“剛才我們也在討論，中國500強越來越大，每年中國進入世界500強的企業在增加，但是大部分是央企， 是資源壟斷型、市場壟斷型企業，我們真正擁有自己關鍵技術的企業寥寥無幾，像華為這
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京東方 存儲器
存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
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