- 英特爾(Intel)進攻存儲器，將斥資改造大連廠，外界對此議論紛紛，擔心美光將受威脅，NAND flash恐會供過于求，不過有分析師認為，英特爾此舉是是為了自保，產量不會大到沖擊市場。
巴倫(Barronˋs)財經網站23日報導，富國銀行(Wells Fargo)分析師David Wong表示，英特爾和美光(Micron)合力發展的新存儲器技術“3D Xpoint”將是大連廠的生產重心，英特爾可從中獲利，但不會成為NAND flash的主要生產商，預料存儲器僅占該公司整體
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Intel 存儲器
- 98%的存儲系統采用國外產品，同時，高端存儲系統的核心技術大都被國外存儲廠商壟斷，這給國家信息安全帶來了較大的安全隱患，突破國外廠商的壟斷，研發出擁有自主知識產權的高端存儲技術已迫在眉睫。
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存儲器
- 首次實現了非易失性光存儲器，革命性的技術帶來存儲領域的新世界。
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存儲器
- 雖然大陸景氣疲軟，2015年韓國存儲器廠的業績展望相對明朗。然大陸智能型手機需求縮減，2016年移動DRAM價格可能下滑，2016年前景反而不透明。
據ET News報導，全球排名前一、二名的DRAM制造廠三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)下半年業績可能會與當初預期相近，或小幅提升。近來大陸景氣迅速萎縮，但對下半年暫時不會有太大影響。
三星下半年IT及移動裝置(IM)事業部業績可能下滑，但半導體事業暨裝置解決方案(DS)事業部的存儲器和系統晶
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存儲器 DRAM
- 受到全球經濟狀況疲弱，且匯率波動劇烈影響，企業用伺服器品牌出貨呈現停滯、甚至衰退情況，加上整體DRAM需求不彰，導致伺服器用記憶體價格持續滑落。根據TrendForce旗下記憶儲存事業處DRAMeXchange最新報價顯示，DDR4 R-DIMM均價截至8月底為止，跌幅高達15%，而低價預期最快將于第三季底與DDR3達到平價，可望增加伺服器升級至英特爾(Intel) Grantley平臺的需求。
DRAMeXchange分析師劉家羽表示，受惠于DDR4跌價促進的平臺升級需求，近期幾家前端晶片供應
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服務器 存儲器
- 經過幾十年的發展，電子產業幾乎已成為一個線性系統，并被摩爾定律(Moore‘sLaw)左右。然而隨著摩爾定律逐漸出現松動，越來越多新技術開始浮上臺面。這些技術不僅僅是既有技術的改進，而是全面的變革。電子產業可望借由這些新技術轉型成為非線性系統，推翻多年來電子產業所定立的主張。
存儲器技術近年的發展，可能就此改變存儲器與處理技術在1940年代便已確立的關系。連續存儲器配置的效率盡管不斷受到挑戰，但系統的惰性使得這種配置幾十年來維持不變。
即使在對稱多處理系統中，存儲器的配置仍多是
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存儲器 SRAM
- 特權同學對存儲器的認識也許還很膚淺，但是不要緊，學習靠積累，靠總結。希望在大話存儲器的一些文章里總結歸納一些和存儲器相關的知識，也希望能夠理出一條清晰的思路，讓大家也讓我自己對存儲器有更深入的認識何了解。
提到存儲器相信沒有人會陌生，也許你的第一反應會是PC機的內存條、硬盤，如果你是個電子行業的學生或者從業者，你也許還會想到FLASH、SRAM、SDRAM、EEPROM等等。的確，信息時代的存儲器可謂無處不在，也正是因為有了存儲器，才讓計算機(特權同學認為這個計算機的概念不僅僅是電腦，嵌入式的任
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- 三星宣布將以旗下第三代V-NAND技術打造容量更大、體積更小的256-gigabit (32GB)3D快閃記憶體模組，藉此讓手機儲存元件、PC用SSD容量可大幅提升。同時，藉由新技術投入將可提升約40%產能，并且將能以此提供價格更具實惠的快閃記憶體模組，預計最快在今年下半年間至明年初即可應用在實際市售產品。
根據三星公布消息，確定將在今年下半年內投入第三代V-NAND技術，藉此打造容量更大、體積更小的256-gigabit (32GB)3D快閃記憶體模組，進而提升手機
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三星 存儲器
- 英特爾和美光科技于2015年7月28日發布了“3D XPoint技術”，英特爾稱其為“自1989年NAND閃存問世以來，內存技術時隔25年多取得的新突破”。兩家公司還利用該技術開發出了NAND閃存中比較普遍的容量為128GB的芯片。
設想應用于需要快速處理大量數據的領域。例如采用8K超高精細影像的游戲、面部識別及語音識別等圖案匹配、基因分析等。
兩家公司將于2015年底向特定客戶供應樣品，2016年正式開始銷售。
訪問時間與DRAM相當
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- PC產業衰退以及市場對DRAM的需求趨緩，半導體產業銷售額將因為PC與智慧型手機需求衰弱，而呈現為期兩年的低潮。
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- 英特爾2015年第二季度(4～6月)的財報顯示，其銷售額為同比減少5%的131.95億美元，營業利潤為同比減少25%的28.96億美元。該公司CEO布萊恩·柯贊尼奇(Brian Krzanich)就本季度的業績表示，“營業利潤的70%來自數據中心、存儲器和IoT，彌補了形勢嚴峻的個人電腦領域的業務。顯示出了本公司業務構成的變化”。
從業務部門來看，客戶端計算業務的銷售額為同比減少14%的75.37億美元，營業利潤為同比減少38%的16.02億美元。面向平板電
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英特爾 存儲器 IoT
- 過去幾個月來，TechInsights的拆解團隊一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。
海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術堆疊了四個DRAM晶片以及一個邏輯晶片，一片一片地堆疊起來，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實現晶片至晶片間連接。
圖1：HBM模組橫截面示意圖
(來
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海力士 存儲器
- 過去幾個月來，TechInsights的拆解團隊一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。
海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術堆疊了四個DRAM晶片以及一個邏輯晶片，一片一片地堆疊起來，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實現晶片至晶片間連接。
圖1顯示四個DRAM晶片與一個邏輯晶片堆疊并固定至中介層晶片。該中介
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海力士 存儲器
- 1. DMA訪問存儲器的性能
EDMA3架構支持很多功能，可以實現高效的并行數據傳輸。本節討論影響它性能的很多因素，如存儲器類型，地址偏移等。
1.1 DMA傳輸的額外開銷
一般的傳輸時延被定義為EDMA被觸發到真正的數據傳輸開始的時間。由于數據傳輸開始的時間無法用簡單的方法測量，所以我們用最小數據單元的傳輸完成時間來代表DMA傳輸的時延或額外開銷。根據不同源/目的地址的組合，這個值會有所不同。表4列出了在1GHz C6678 EVM(64-bit 1333MTS DDR)上測得的從
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TMS320C6678，存儲器
- 摘要
TMS320C6678 有8 個C66x核，典型速度是1GHz，每個核有 32KB L1D SRAM，32KB L1P SRAM和512KB LL2 SRAM;所有 DSP核共享4MB SL2 SRAM。一個64-bit 1333MTS DDR3 SDRAM接口可以支持8GB外部擴展存儲器。
存儲器訪問性能對DSP上運行的軟件是非常關鍵的。在C6678 DSP上，所有的主模塊，包括多個DSP核和多個DMA都可以訪問所有的存儲器。
每個DSP核每個時鐘周期都可以執行最多128 b
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TMS320C6678 存儲器
存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
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