由英國和德國大學及研究所的研究人員組成的研究小組開發出了可用光線寫入信息并用光線讀取信息的光存儲芯片。材料采用了電存儲器也使用的相變存儲材料，此次首次實現了非易失性光存儲器。

　　預計隨著存儲器的光化，將來存儲器的密度將不斷提高，耗電量和訪問時間將大幅減少。介紹技術詳情的論文已發表在學術雜志《自然光子學》(Nature Photonics)上。

　　開發出這款光存儲芯片的是英國牛津大學、德國卡爾斯魯厄理工學院(KIT)、德國明斯特大學(University of Muenster)、英國埃克塞特大學(Exeter University)的研究者們。

　　使用的相變材料是相變存儲器一般使用的Ge2Sb2Te5 (GST)。信息記錄采用的原理是通過GST在結晶狀態與非晶狀態之間變化，或在非晶狀態之間變化時，光的透過性會隨之發生變化。另外，電相變存儲器則是利用隨著結晶/非晶狀態的不同，電阻值發生變化的特點來記錄信息的。

　　信息擦寫時，通過向GST照射能量高但波長非常短的光脈沖來實現結晶與非晶狀態。而讀入時，采用能量較弱的光脈沖，來讀取GST的狀態。此次開發的芯片實現了利用尺寸大約為1ns的一個元件便可記錄3bit、8值狀態的多值化。擦寫時的切換頻率大約為1GHz。