11 月 7 日消息，鎧俠日本當地時間昨日表示，其“創新型存儲制造技術開發”提案已獲日本新能源?產業技術綜合開發機構（NEDO）“加強后 5G 信息和通信系統基礎設施研究開發項目 / 先進半導體制造技術開發”計劃采納。

鎧俠表示，在后 5G 信息和通信系統時代，AI 普及等因素產生的數據量預計將變得極其龐大，從而導致數據中心的數據處理和功耗增加。因此數據中心使用的存儲器必須能夠在高性能處理器之間高速傳輸數據，提高容量并降低功耗。

鎧俠計劃開發新型 CXL 接口存儲，目標打造出較 DRAM 內存功耗更低且位密度更高的同時較 NAND 閃存讀取速度更快的新型存儲器。這不僅可提高存儲器利用效率，還有助于節能。

據《日本經濟新聞》報道，鎧俠計劃未來 3 年斥資 360 億日元（IT之家備注：當前約 16.77 億元人民幣）用于新型 CXL 存儲器開發，日本經濟產業省將提供 180 億日元（當前約 8.39 億元人民幣）補貼，相關產品有望于 21 世紀 30 年代早期實現商業化。