存儲(chǔ)堆疊 文章 最新資訊
SK海力士探索高帶寬存儲(chǔ)堆疊 NAND 和 DRAM
- 在鞏固其在 HBM 領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位后，SK 海力士正在與 SanDisk 合作開發(fā)高帶寬 NAND 閃存 （HBF），該閃存通過 NAND 增強(qiáng) HBM，用于 AI 推理工作負(fù)載。與此同時(shí)，據(jù)報(bào)道，該公司正在探索更廣泛的內(nèi)存領(lǐng)域：高帶寬存儲(chǔ) （HBS）。正如 ETnews 報(bào)道的那樣，哈佛商學(xué)院將移動(dòng) DRAM 和 NAND 相結(jié)合，以提高智能手機(jī)、平板電腦和其他移動(dòng)設(shè)備的 AI 性能。報(bào)告援引消息人士解釋說，SK海力士正在將低功耗寬I/O DRAM與NAND堆疊在一起，以創(chuàng)建HBS，它可以堆疊多達(dá)16層
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存儲(chǔ)堆疊介紹
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