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存儲芯片 文章 最新資訊

中芯國際65nm邏輯今年Q3\Q4量產

  •   9月15日,由中芯國際與武漢新芯共同舉辦的“2009年技術研討會”首次在武漢舉行,此次研討會上中芯國際披露了其最新技術路線圖,并介紹了武漢新芯的最新進展和未來規劃。   據中芯國際市場行銷副總李偉博士介紹,中芯國際65nm邏輯技術在2009年第三和第四季度實現量產,45nm邏輯有望在明年第二和第三季度量產,而32nm邏輯計劃于2011年第三和第四季度量產;而混合信號產品量產將會有所滯后,65nmMS/RF預計在2009年第三和第四季度實現量產,45nmMS/RF計劃于次年的第
  • 關鍵字: 中芯國際  65nm  45nm  存儲芯片  

設備市場獲改善 Cymer、KLA-Tencor調升預測

  •   晶圓設備市場正在得到改善。   Cymer和KLA-Tencor分別調升了各自的預期。周一,光源供應商Cymer稱目前公司預計第三季度收入將較第二季度的6200萬美元增長30%。新光刻技術光源需求獲得了增長。   據悉,該公司此前的預期是第三季度收入增長15%。   上周,KLA-Tencor同樣也調升了預期。“我們繼續看好第三季度的增長,主要受代工廠和存儲芯片商的帶動,亮場檢測使用的越來越多。”分析師指出。
  • 關鍵字: Cymer  晶圓設備  存儲芯片  

Gartner調整2009半導體產業資本支出預測

  •   市場研究公司Gartner最新預測顯示,盡管今年下半年全球半導體產業資本支出將獲得大幅改善,但全年仍將下滑47.9%,至229億美元。   Gartner預計下半年資本支出較上半年將增長47.3%。   資本支出將在2010年反彈,預計將增長34.3%至307億美元。各個市場板塊都將迎來增長。     “2009年剩下的時間和2010年上半年的設備采購主要是技術購買,存儲芯片公司已為銅互連做好準備,5x和4x關鍵尺寸也將采用雙版技術。”Gartner副總裁
  • 關鍵字: 半導體  存儲芯片  晶圓  

力晶半導體上半年凈虧損新臺幣180.2億元

  •   力晶半導體股份有限公司(Powerchip Semiconductor Co., 5346.OT)日前公布中期財報,截至6月30日的六個月凈虧損擴大至新臺幣180.2億元,上年同期凈虧損新臺幣170.2億元。   該公司未公布第二季度凈虧損數字,不過按照其第一季度凈虧損新臺幣62.9億元推算,該公司第二季度凈虧損新臺幣117.3億元。   這是該芯片生產商連續第九個季度發生虧損,受芯片價格仍維持在低位、2007年以來該行業供應過剩以及全球經濟放緩導致需求疲軟等因素沖擊。   按收入計,力晶半導體
  • 關鍵字: 力晶  存儲芯片  

完購奇夢達西安中心 浪潮集團夯實制造業務

  •   3000萬元收購奇夢達西安研發中心之后,浪潮集團正急切地為它尋找下游制造業支撐。   熟悉該集團董事長孫丕恕的消息人士昨日對CBN透露,前幾天孫丕恕一直在臺灣地區,與當地存儲產業制造大廠溝通,最終確定華邦微電子作為戰略合作伙伴。   “這樣,西安華芯研發中心就有了生產支撐,產業化方面也有了基礎。”該人士說,這一合作,算是浪潮集團根據產業現狀在布局方面所做的修正。   山東省政府與浪潮集團起初的雄心比這要大得多。今年春天,孫丕恕對外表示,全球經濟衰退為中國提供了歷史機遇,由
  • 關鍵字: 奇夢達  存儲芯片  

力成5100萬美元收購飛索半導體蘇州子公司

  •   據國外媒體報道,臺灣力成科技股份有限公司日前公告稱,其將支付5,100萬美元以持有飛索半導體在中國蘇州的芯片封裝和測試工廠,宣布正式進軍大陸封測市場。   該公告中表示,力成科技股份有限公司旗下的全資子公司Powertech Holding (BVI) Inc.將以每股495.17美元的價格收購Spansion Holdings (Singapore) Pte. Ltd.的102,995股股份,從而成為飛索半導體(中國)有限公司(Spansion (Suzhou) Ltd. China.)的母公司。
  • 關鍵字: 力成  封裝  測試  存儲芯片  

分析師擔心:臺灣存儲業能否籌足資金實現復蘇

  •   據金融時報報道,盡管有跡象表明,臺灣的DRAM存儲芯片產業可能擺脫為期三年的低迷,但分析師和高管仍然認為,臺灣可能無法充分利用改善中的市場前景。分析師普遍擔心臺灣DRAM存儲芯片公司是否能籌足現金,為工廠引進50納米技術。   DRAM芯片是每臺計算機不可缺少的部分,但該產業的過度擴張導致產品價格大幅下跌,過去三年累計虧損150億美元。   而經濟危機更加深了該行業的困境,唯一的歐洲領先DRAM存儲芯片廠商德國奇夢達今年破產。   臺灣南亞科技,——世界排名第五,上周稱公
  • 關鍵字: TMC  DRAM  50納米  存儲芯片  DDR3  

存儲芯片市場前景令人堪憂

  •   去年,一場嚴重的“價格寒流”席卷了整個存儲芯片領域,存儲芯片市場亦受到了前所未有的沖擊。業界巨頭三星電子2007年第四季度財務報告顯示,由于計算機存儲芯片的平均銷售價格迅速下滑,該公司的利潤下降了6.6%。DRAM生產商爾必達(Elpida)也宣布其銷售額下滑了34%,并且第三財季凈虧損達1.132億美元。臺灣地區廠商茂德科技也因存儲芯片價格下跌和供過于求而宣布虧損。   存儲芯片市場陰霾的表現,迫使許多廠商削減生產或推遲了Fab的投產計劃。美光(Micron)近期就宣布,將
  • 關鍵字: 三星  DRAM  存儲芯片  MRAM  PRAM  

臺灣力晶半導體獲得力成科技和金士頓1.25億美元貸款

  •   力晶半導體獲得力成科技及其最大股東金士頓科技提供的共計1.25億美元貸款,貸款將幫助其長期客戶力晶半導體應對當前的困境,以及向包括力成科技在內的債權人償還債務。   綜合外電7月10日報道,力晶半導體股份有限公司10日上漲6.5%,此前該公司獲得力成科技股份有限公司(6239.TW)及其最大股東金士頓科技公司提供的共計1.25億美元貸款。   力成科技是全球最大的存儲晶片測試和封裝企業。該公司9日表示,上述貸款將幫助其長期客戶力晶半導體應對當前的困境,以及向包括力成科技在內的債權人償還債務。  
  • 關鍵字: 力晶  存儲芯片  測試  封裝  

三星受益芯片面板漲價 二季度利潤環比增5倍

  •   IT巨頭三星電子的股價昨日創造了一個月以來的新高。此前該公司預測,第二季度運營利潤有望比上季增長5倍。   在昨日一份聲明中,三星電子表示,受惠于半導體和液晶面板售價上漲,第二季度總營收將接近260.3億美元,運營利潤在17億美元~20億美元,凈利有望創造連續四季度最高水平。此前,其第一季度運營利潤僅4700億韓元,約合3.71億美元。   美林證券分析師表示,這遠高于市場預期,由于危機來臨后,三星份額明顯增長,這將有助于進一步擴大其領先優勢。   三星電子這一業績背后,有著它對中國臺灣地區及大
  • 關鍵字: 三星  存儲芯片  液晶面板  

爾必達獲日政府和臺灣記憶體5.21億美元援助

  •   據國外媒體報道,日本經濟產業省周二在其官方網站發表聲明稱,芯片生產商爾必達將獲得日本政府和中國臺灣芯片制造商記憶體500億日元(約合5.21億美元的注資)。受半導體價格下滑的影響,爾必達在2008年財年的凈虧損達到1789億日元。   經濟產業省的聲明稱,爾必達將從國有的日本開發銀行獲得300億美元的注資。在2010年3月31日之前,中國臺灣記憶體將向該公司注資200億日元。受半導體價格下滑的影響,德國芯片制造商奇夢達已尋求進行破產保護,爾必達在上年也出現了巨額的虧損。爾必達目前正與記憶體進行合作,
  • 關鍵字: 爾必達  存儲芯片  記憶體  

全球領先的50納米級技術將在無錫海力士全面推廣

  • 世界領先的50納米級技術將在無錫海力士生產線中廣泛推廣使用;到年底,無錫海力士的40%晶圓產品有望使用這項技術生產。
  • 關鍵字: 海力士  晶圓  存儲芯片  50納米  

茂德科技稱正與潛在戰略合作伙伴進行談判

  •   臺灣存儲芯片生產商茂德科技董事長陳民良周二表示,公司正與數家企業就開展戰略合作生產芯片事宜進行談判。   陳民良在年度大會上向公司股東表示,茂德科技將利用其臺中的工廠生產DRAM芯片。   該公司還將打算利用其新竹的芯片廠生產非主流DRAM產品和非DRAM芯片。   由于存儲芯片行業供應過剩及全球經濟滑坡導致的需求下滑,茂德科技此前八個季度連續虧損,導致公司現金緊張,舉步維艱。
  • 關鍵字: 茂德  DRAM  存儲芯片  

茂德科技稱正與潛在戰略合作伙伴進行談判

  •   中國臺灣存儲芯片生產商茂德科技董事長陳民良周二表示,公司正與數家企業就開展戰略合作生產芯片事宜進行談判。   陳民良在年度大會上向公司股東表示,茂德科技將利用其臺中的工廠生產DRAM芯片。   該公司還將打算利用其新竹的芯片廠生產非主流DRAM產品和非DRAM芯片。   由于存儲芯片行業供應過剩及全球經濟滑坡導致的需求下滑,茂德科技此前八個季度連續虧損,導致公司現金緊張,舉步維艱。
  • 關鍵字: 茂德  DRAM  存儲芯片  

東芝提出16nm制程工藝

  •   對于電子產品來說,制程的提升意味著性能、體積和功耗同時變得更好,所以很多半導體廠商都在制程提升上做出很多努力。近日,東芝提出了16nm制程工藝的方法。   目前大多數存儲芯片處于30nm制程,而邏輯電路更是在42nm制程徘徊。而東芝已經宣布他們在制程提升上取得了突破,他們已經可以制造出16nm甚至更低制程的場效應管。突破的關鍵是他們使用了鍺代替現在流行的硅,鍺一直以來都被認為有潛力制造更小的設備,但是它也比硅存在更多的問題,難于控制。但是現在硅化合物的潛能已經發掘殆盡,所以人們再一次將目光轉向了鍺。
  • 關鍵字: 電子產品  半導體  存儲芯片  邏輯電路  
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