集邦咨詢表示，由于交易商暫緩報價和采購，動態隨機存取存儲器（DRAM）的現貨交易活躍度有所下降。目前存儲芯片現貨價格顯著高于合約價格，集邦咨詢預計，短期內現貨價格的上漲幅度將更為溫和，二者之間的價差有望逐步收窄。主流 DRAM 芯片（即 DDR4 1G×8 3200MT/s 規格）的平均現貨價格從上周（2 月 4 日）的 30.86 美元，微漲 0.78% 至本周（2 月 10 日）的 31.10 美元，短期漲幅有限。DRAM 平均現貨價格芯片規格2 月 4 日價格（美元）2 月 10 日價格（美元）漲幅
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人工智能競賽的最大贏家是誰？人工智能超級周期正在重塑半導體和電子產業，人工智能基礎設施的大規模建設讓整個供應鏈承壓。集邦咨詢的預估數據顯示，盡管英偉達等人工智能加速器研發企業正借人工智能熱潮賺得盆滿缽滿，但存儲芯片廠商才是最大的獲利者。究其原因，除大宗商品市場的運行規律外，存儲芯片廠商與芯片代工廠的商業模式、擴張策略存在本質差異，是造就這一結果的關鍵。需求激增，供應告急集邦咨詢預測，2026 年全球芯片代工市場營收預計為 2187 億美元，而 3D NAND 閃存和 DRAM 動態隨機存取存儲器的營收總額
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據市場研究機構TrendForce最新數據顯示，受AI浪潮推動，存儲芯片產業與晶圓代工產值將在2026年同步創新高。其中，存儲芯片產值預計達5516億美元，而晶圓代工產值為2187億美元。存儲芯片的產值規模已超過晶圓代工產業的兩倍。存儲芯片供不應求將持續至2027年以后。回顧上一輪存儲產業超級循環周期（2017-2019年），當時由云端數據中心需求驅動，存儲產業產值與晶圓代工差距顯著。而此次由AI需求主導的循環周期，缺貨狀況更加全面。AI產業重心從模型訓練轉向大規模推理應用，對服務器端高容量、高帶寬DRA
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財聯社1月19日訊（編輯 趙昊）美光科技高管最新表示，存儲芯片的短缺情況在過去一個季度明顯加速，并重申由于AI基礎設施對高端半導體需求激增，這一緊缺狀況將持續到今年以后。當地時間周五（1月16日），美光科技全球運營執行副總裁Manish Bhatia在接受采訪時表示：“我們當前看到的短缺情況，確實是前所未有的。”——這一表述也與美光上月做出的預測相呼應。Bhatia在最新的講話中指出，用于人工智能加速器的HBM（高帶寬存儲）“消耗了整個行業大量可用產能，導致傳統行業領域——例如智能手機和個人電腦——出現巨
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受DRAM和NAND閃存成本持續飆升影響，蘋果iPhone?18系列高配機型或將迎來明顯漲價。據投資機構分析，12GB LPDDR5X內存模塊成本已從2025年初的25-29美元大幅上漲至約70美元，漲幅高達230%。花旗、美國銀行和摩根大通一致認為，即便強如蘋果的供應鏈控制力，在此次全行業內存供應危機中作用也相當有限。行業分析進一步指出，預計iPhone 18系列中僅高存儲容量機型將漲價50-100美元，而基礎存儲版本則有望維持去年定價水平。這一差異化的調價策略，很可能引導更多消費者傾向于選擇入門存儲配
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財聯社1月7日電，存儲芯片概念大面積高開，普冉股份20cm漲停，走出3天2板，恒爍股份、香農芯創、開普云、江波龍高開超10%，時空科技、德明利、兆易創新、大為股份、北京君正、神工股份跟漲。消息面上，美股SanDisk收漲超27%，創去年2月份以來最大單日漲幅。西部數據漲超16%，創逾五年來最大單日漲幅。美光科技漲超10%，再創歷史新高。
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全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日宣布，AMD?已測試英飛凌?64MB HYPERRAM??存儲芯片和?HYPERRAM??控制器?IP?在?AMD Spartan? UltraScale+??FPGA SCU35?評估套件上的使用情況，結果證明其可作為?AMD MicroBlaze? V?軟核?RISC-V?處理器經濟高效的高帶寬存儲解決方
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戴爾、惠普等科技企業警告稱，受人工智能基礎設施建設需求飆升影響，未來一年可能出現存儲芯片供應短缺。存儲芯片分為處理輔助型和信息存儲型兩類，制造商正將更多產能轉向滿足AI系統所需的新型、復雜且高利潤產品需求，導致普通型存儲芯片供應不足。而美國的制裁措施限制了中國新興芯片企業的技術能力，進一步加劇了供應緊張局面。存儲芯片廣泛應用于幾乎所有現代數據存儲電子設備，供應短缺可能導致從手機、醫療設備到汽車等各類產品的制造成本上升。AI需求成為最優先級AI基礎設施建設熱潮不僅推高了大型數據中心周邊地區的能源消耗，也提振
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半導體設備巨頭美國應用材料（Applied Materials）表示，受美國收緊出口管制導致市場準入受限影響，預計2026年其在中國的芯片制造設備支出將下降，但下半年整體營收將有所增長。盡管美國加強出口限制預計將抑制需求，但人工智能投資激增帶動的存儲芯片產能擴張，可能會部分抵消這一影響。今年10月，美國公布了50%股權穿透的出口管制規則。應用材料公司預測，該規則導致部分產品和服務向中國客戶的交付變得更加復雜，2025財年第四季度約有1.1億美元的產品未能交付，導致2026財年營收將減少6億美元。而該規則在
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ArmorBoot?是?Macronix 的中端安全串行 NOR 閃存，支持安全啟動以及其他安全功能，如片上認證支持（見圖1）。它可以用于為使用不內置這些功能的微控制器或微處理器的設計提供安全服務。標準形態意味著存儲芯片可以整合到現有設計中，以增強安全功能。1.Macronix的ArmorBoot提供安全啟動和認證等安全基礎功能，而高端的ArmorFlash則增加了數據加密和解密等服務。安全啟動是指啟動碼在使用系統啟動前經過驗證。通常通過使用密鑰認證代碼，確保其來源為授權來源且未被修改
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4月24日消息，韓國內存巨頭SK海力士公布2025年Q1財報，Q1營業利潤同比增長158%，為7.44萬億韓元（約合52億美元），超過預期的6.6萬億韓元。營收同比增長42%，達到17.63萬億韓元。數據顯示，這是SK海力士第二好的季度業績，此前該公司上一季度營收和營業利潤均創歷史新高。作為英偉達HBM(高帶寬存儲器)的重要供應商，SK海力士受益于HBM等AI關鍵組件的強勁需求增長。2025年Q1，SK海力士在DRAM市場的份額超過三星。報告期內，SK海力士占據了DRAM市場36%的份額，而三星是34%。
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據報道，當地時間4月16日，JEDEC固態技術協會宣布，正式推出HBM4內存規范JESD270-4，該規范為HBM的最新版本設定了更高的帶寬性能標準。據介紹，與此前的版本相比，HBM4標準在帶寬、通道數、功耗、容量等多方面進行了改進。其中，HBM4采用2048位接口，傳輸速度高達8Gb/s，HBM4可將總帶寬提高至2TB/s。 還支持 4 / 8 / 12 / 18 層 DRAM 堆棧和 24Gb / 32Gb 的芯片密度，單堆棧容量可達 64GB。此外，HBM4將每個堆疊的獨立通道數加倍，從16個通道（
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4 月 8 日消息，德國鐵電存儲器公司（FMC）宣布與半導體企業 Neumonda 達成戰略合作，將在德國德累斯頓建立新型非易失性存儲芯片（FeRAM）生產線。這是繼 2009 年英飛凌、奇夢達德國DRAM 工廠破產關停后，歐洲首次嘗試重啟存儲芯片本土化生產。▲ 圖源：Neumonda雙方此次合作的核心是
FMC 研發的 "DRAM+" 技術。該技術采用 10nm 以下制程兼容的鉿氧化物（HfO?）作為鐵電層，替代傳統鋯鈦酸鉛 PZT
材料，存儲容量從傳統 FeRAM 的 4-
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今日，存儲芯片正式開始漲價浪潮。自此，存儲市場長達多半年的低迷態勢，終于迎來轉折。存儲芯片的兩大主力產品 NAND 與 DRAM，在新一季度的市場表現也各不相同。NAND，開始漲價打響漲價第一槍的是 NAND 存儲大廠閃迪，其表示將于4月1日開始實施漲價，漲幅將超10%，該舉措適用于所有面向渠道和消費類產品。緊接著美光也告知將針對新訂單提高價格，平均漲幅約 11%。3 月 25 日，美光直接發布漲價函，預計此次漲價幅度將在10%~15%。之后，SK 海力士、三星相繼宣布將于4月同步上調NAND閃存價格。根
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3月3日消息，據報道，中微公司宣布擬在成都市高新區投資設立全資子公司中微半導體設備（成都）有限公司，建設研發及生產基地暨西南總部項目。據披露，中微公司將在2025年至2030年期間投資約30.5億元，用于該公司在成都市高新區建設研發中心、生產制造基地、辦公用房及附屬配套設施，配備先進的自動化生產線和高精度檢測設備，滿足量產需求。此外，該公司將積極推動公司上下游供應鏈企業落戶成都高新區，推動形成半導體高端裝備產業鏈集群。2月21日，中微公司與成都高新區簽訂合作協議，將在成都高新區落地研發及生產基地暨西南總部
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存儲芯片介紹
存儲芯片就是存儲文件的地方，由于是以芯片的形式存在，所以叫存儲芯片。
解碼芯片內裝有解碼軟件及播放軟件，存儲在MP3內的音樂要靠解碼芯片來解碼后才能播放。
音質的好壞與解碼芯片的品質和下載的音樂文件的壓縮質量有關，另外跟耳機的品質也有很大關系。 [
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