- 電力電子產品的銷售額預計將在這十年及以后飆升。推動這一趨勢的是電動汽車產量的增加和數據中心的增長，由于人工智能的采用，數據中心的電力需求更加苛刻。對于使用電力電子的每種應用，提高其效率都是有益的。收益可能包括增加行駛里程、減少電費、減少供暖和減少碳足跡。由于卓越的效率帶來的這些優勢，基于寬禁帶半導體的器件越來越多地被采用。到目前為止，基于 SiC 的 MOSFET 創造了最多的收入，其中 MOSFET 因贏得電動汽車部署而成為頭條新聞。然而，盡管取得了很大的成功，SiC 器件也存在一些重大缺陷。它們包括
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- 柵極電荷 （Qg） 表示打開功率半導體器件（例如 MOSFET 和 IGBT）所需的總電荷。開關速度直接受這一重要參數的影響。柵極電荷越低，設備從開到關的速度就越快。本文研究了柵極電荷的物理起源，分解了其關鍵組件，并展示了這些組件如何直接控制電力電子應用中的開關速度。問：什么是柵極電荷，它從何而來？答：為了理解柵極電荷影響開關速度的原因，讓我們檢查一下 MOSFET 的內部結構。如圖1所示，柵極端子通過一層薄薄的絕緣層與通道電氣隔離，形成電容器。這會產生內部電容（Cgs 和 Cgd），在開關期間必須充電和
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- 現如今科技飛速發展，傳統的電力轉化已經無法滿足電力設備的需要。新型變頻設備崛起的同時，大功率IGBT的應用也逐漸增多起來，IGBT的可靠性直接關系到
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- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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