中國研究團(tuán)隊(duì)首度揭秘光刻膠在顯影液中的微觀行為，為提升光刻精度與良率開辟新路徑

• 在芯片制造過程中，光刻承擔(dān)著將集成電路圖案轉(zhuǎn)印至晶圓表面的任務(wù)，其中通過光刻膠溶解在顯影液中形成納米尺度的電路圖形。然而，光刻領(lǐng)域長期存在一個難以窺探的“黑匣子”：即光刻膠在顯影液中的微觀行為，該行為直接影響光刻圖案的精確度與缺陷率。人們對光刻膠聚合物的溶解機(jī)制、擴(kuò)散行為、相互作用及其缺陷形成機(jī)理等基本問題仍知之甚少。這也導(dǎo)致工業(yè)界的工藝優(yōu)化長期依賴于反復(fù)“試錯”，成為制約7nm及以下先進(jìn)制程良率提升的關(guān)鍵瓶頸之一。近日，北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授、高毅勤教授、鄭黎明博士與清華大學(xué)王宏偉教授、香
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