- TSMC昨日公布2010年第二季財務報告，合并營收為新臺幣1,049.6億元，稅后純益為新臺幣402.8億元，每股盈余為新臺幣1.55元(換算成美國存托憑證每單位為0.24美元)。
與2009年同期相較，2010年第二季營收增加41.4%，稅后純益增加64.8%，每股盈余則增加了65%。與前一季相較，2010年第二季營收增加了13.9%，稅后純益及每股盈余皆增加了19.7%。這些財務數字皆為合并財務報表數字，并依照中國臺灣一般公認會計準則所編制。
2010年第二季毛利率為49.5%，營業(yè)利
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TSMC 40納米 晶圓
- 據統(tǒng)計，由于受到全球半導體消費市場需求的增長，6月北美和日本半導體設備制造商BB值分別為1.19和1.40，分別連續(xù)12個月與13個月高于1。同時受到訂單額和出貨額均保持環(huán)比增長。北美訂單額上升至06年8月份以來的最高水平。
據拓墣產業(yè)預估2010年全球LED產值為96億美元，同比增37%。臺灣2010年LED產值達25億美元,年增43美元，占全球份額約26%。2010年全球新增MOCVD機臺數將達720臺。其中大部分集中在中國、韓國和臺灣等亞太地區(qū)。
根據CMIC報告預計，2010年全球
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半導體設備 晶圓
- 晶圓代工制程推進至2x納米以下先進技術，不論在設計或制程上皆面臨更嚴峻的考驗，晶圓代工廠亦積極為客戶打造設計環(huán)境，IBM陣營近年來力推共通平臺(Common Platform)，臺積電則推出開放創(chuàng)新平臺(OIP)，臺積電設計暨技術平臺副總經理許夫杰表示，進入2x納米以下，客戶仍會不斷擔憂良率問題，不過已有近百家的電子設計自動化(EDA)、矽智財(IP)伙伴加入，擁有完整的生態(tài)體系，能協(xié)助客戶進入2x納米制程。
臺積電開放創(chuàng)新平臺亦即結合臺積電的制程技術與IP、EDA、IC設計業(yè)者，從前段設計到后
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臺積電 28納米 晶圓
- 分析師Mike Cowan 預測6月實際的全球半導體銷售額為282.91億美元，相當于三個月平均值為252.3億美元。
按全球半導體貿易統(tǒng)計組織WSTS的數字，全球半導體Q2的結果總計為756.9億美元，相比Q1上升9.4%，或者與去年同期相比提高44.3%。
如果用過去10年來的Q2/Q1比較，9.4%的環(huán)比增長遠高于歷史上的平均值2.9%。
然而上述的結果實際上已在4月和5月得到夯實，因為從Cowan的預測，如果依月度比較，6月僅環(huán)比增長17.8%，這個數據是低于平均值。因為過去
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半導體 晶圓
- SEMI日前公布了2010年6月份北美半導體設備制造商訂單出貨比報告。按三個月移動平均額統(tǒng)計，6月份北美半導體設備制造商訂單額為16.8億美元，訂單出貨比為1.19。訂單出貨比為1.19意味著該月每出貨價值100美元的產品可獲得價值119美元的訂單。
報告顯示，6月份16.8億美元的訂單額較5月份15.3億美元最終額增長10.5%，較2009年6月份的3.517億美元最終額增長379%。
與此同時，2010年6月份北美半導體設備制造商出貨額為14.2億美元，較5月份13.4億美元的最終額增
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半導體設備 晶圓
- 臺積電中科12英寸超大型晶圓廠(GIGAFAB)晶圓15廠 (Fab15) 16日舉行動土典禮，董事長張忠謀親自主持動土儀式。他表示，未來將陸續(xù)投入該廠新臺幣3，000億元資金，折合90億美元，并預計在2011年6月開始裝機，于2012年首季進行28納米制程的量產。
臺積電晶圓15廠是繼晶圓14廠之后，沉寂了多年的重大投資建廠案，也是臺積電第3座超大型晶圓廠，亦是第2座具28納米制程能力的晶圓廠。
為了滿足市場的需求，除Fab15外，臺積電也不斷進行竹科晶圓12廠(Fab12)與南科晶圓1
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臺積電 晶圓 28納米
- 臺積電2010年因應市場需求積極擴充產能，除落腳于中科第3座超大型12寸晶圓廠日前正式動土，未來將直接投產28奈米制程，并加速22奈米以下先進制程研發(fā)外，位于大陸上海松江8寸廠亦同步擴充產能，近期已擴充產能達單月2萬片，未來將再擴充4萬片產能，以因應大陸市場需求。
臺積電旗下3座12寸晶圓廠包括新竹晶圓12廠(Fab 12)、晶圓14廠(Fab 14)，以及剛進行動土典禮的晶圓15廠(Fab 15)，3座超大型晶圓廠皆加速擴充產能，目前Fab 12與Fab 14合計月產能已超過20萬片，預計20
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臺積電 晶圓
- TSMC今(16)日假中國臺灣臺中科學園區(qū)舉行第三座十二吋超大型晶圓廠(GIGAFABTM)--晶圓十五廠動土典禮，為TSMC「擴大投資臺灣」的承諾寫下另一個重要的里程碑。
動土典禮由TSMC張忠謀董事長兼總執(zhí)行長主持。張忠謀董事長表示，科學園區(qū)在臺灣高科技產業(yè)的發(fā)展過程中，扮演關鍵的角色，也是TSMC之所以能夠「立足臺灣、放眼全球、在全球半導體業(yè)發(fā)光」的重要支持。過去二十幾年來，TSMC陸續(xù)在竹科及南科茁壯成長，如今位于中科的晶圓十五廠開始動土興建，開啟了TSMC再創(chuàng)下一個高峰的新頁。
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臺積電 晶圓
- 國際半導體設備材料產業(yè)協(xié)會(SEMI)的發(fā)布半導體設備年中預測指出，今年半導體設備市場將由谷底翻揚，預計增長達104%,明年市場仍審慎樂觀，將持續(xù)有9%的增長幅度。
半導體設備與西于14日起于美西舊金山展開，主辦單位半同步公布半導體設備資本支出年中預測報告。
SEMI的預估，2010年半導體設備營收將達325億美元，折合新臺幣可望突破兆元，為半導體設備業(yè)者捎來佳音，同時超越2008年金融海嘯前的295億美元水準。報告指出， 2009年因為全球景氣不佳，讓整體設備市場慘跌46%,但今年設備市
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半導體設備 晶圓 DRAM
- SEMI近日宣布就委任SOI晶圓巨頭Soitec公司總裁兼CEO André-Jacques Auberton-Hervé博士擔任SEMI European顧問委員會主席。此前該職位由Thin Materials AG公司CEO Franz Richter博士擔任。
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半導體 晶圓
- 國際半導體設備材料產業(yè)協(xié)會(SEMI)的發(fā)布半導體設備年中預測指出，今年半導體設備市場將由谷底翻揚，預計增長達104%，明年市場仍審慎樂觀，將持續(xù)有9%的增長幅度。
半導體設備與西將于今(14)日起于美西舊金山展開，主辦單位半同步公布半導體設備資本支出年中預測報告。
SEMI的預估，2010年半導體設備營收將達325億美元，折合新臺幣可望突破兆元，為半導體設備業(yè)者捎來佳音，同時超越2008年金融海嘯前的295億美元水準。報告指出， 2009年因為全球景氣不佳，讓整體設備市場慘跌46%，但今
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半導體設備 晶圓 DRAM
- SIA報道5月銷售額又創(chuàng)記錄，但是已看出下半年將減緩。
SIA報道全球半導體5月銷售額為247億美元，與4月的236億美元環(huán)比增長4.5%及與去年同期的167億美元相比增長47.6%。
與4月的同期增長率50.4%相比己有少許減緩。所有月份銷售額均是三個月的移動平均值。
按歐洲半導體工業(yè)協(xié)會(ESIA)5月的數據，全球半導體5月的三個月平均銷售額為246.5億美元，環(huán)比增長4.5%及與去年同期相比增長 47.6%。
SIA總裁George Scalise表示，全球半導體5月銷售
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半導體 晶圓
- 據臺灣媒體報道，臺灣聯(lián)電周四宣布，公司6月份收入同比增長26%，從上年同期的新臺幣82.4億元增至新臺幣103.4億元。
聯(lián)電在公告中稱，截至6月30日的6個月收入同比增長69%，從新臺幣334.7億元增至564.6億元。聯(lián)華電子沒有透露收入增長的原因。
聯(lián)電第二季度收入增長31%，從上年同期的新臺幣226.3億元增至新臺幣297.5億元。該公司第一季度收入增長超過一倍，從上年同期的新臺幣108.4億元增至新臺幣267.2億元。
聯(lián)電4月底表示，繼第一季度8英寸等值晶圓發(fā)貨量達到10
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聯(lián)電 晶圓
- Intel正在和以色列商談在中東建設新晶圓廠之際，半導體產業(yè)傳奇、Intel前首席執(zhí)行官/總裁/董事長安迪-格魯夫(Andy Grove)卻語出驚人，認為美國應該把制造業(yè)留在本國國內，停止外包給其他國家。
安迪-格魯夫在《商業(yè)周刊》專欄中撰文稱：“硅谷地區(qū)的失業(yè)率甚至要高于9.7%的全國平均水平，很顯然，偉大的硅谷創(chuàng)新機器近來并未創(chuàng)造大量工作崗位，除非你算上亞洲，美國技術公司多年來一直在那里瘋狂地增加工作(機會)。如今，在美國從事計算機制造業(yè)的只有大約16.6萬人，還不如1975年第
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Intel 晶圓
- 由于晶圓廠第3季接單滿手，第4季雖然不同客戶因庫存水位高低而有下單增減情況，惟目前看來，第4季投片情況與第3季比較并無明顯下滑跡象，有利于封測廠接單。不過，封測廠因產能滿載，第3季業(yè)績成長幅度將較過去傳統(tǒng)旺季縮小。
時序邁入7月，雖然日月光、矽品等封測廠尚未結算出6月業(yè)績，但預期日月光6月可能會比5月略佳，矽品則維持持平或小幅回檔，推估日月光第2季營收成長率將上探20%,優(yōu)于原預期11~13%,矽品季增率則可望落在3~5%.
對于2010年下半表現，由于晶圓廠目前接單滿手，第3季產能表現依
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晶圓 封測
晶圓 介紹
晶圓 晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [
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