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半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)高端MOSFET驅(qū)動(dòng)方案選擇：變壓器還是硅芯片？

　　在節(jié)能環(huán)保意識(shí)的鞭策及世界各地最新能效規(guī)范的推動(dòng)下，提高能效已經(jīng)成為業(yè)界共識(shí)。與反激、正激、雙開(kāi)關(guān)反激、雙開(kāi)關(guān)正激和全橋等硬開(kāi)關(guān)技術(shù)相比，雙電感加單電容(LLC)、有源鉗位反激、有源鉗位正激、非對(duì)稱(chēng)半橋(AHB)及移相全橋等軟開(kāi)關(guān)技術(shù)能提供更高的能效。因此，在注重高能效的應(yīng)用中，軟開(kāi)關(guān)技術(shù)越來(lái)越受設(shè)計(jì)人員青睞。　　另一方面，半橋配置最適合提供高能效/高功率密度的中低功率應(yīng)用。半橋配置涉及兩種基本類(lèi)型的MOSFET驅(qū)動(dòng)器，即高端(High-Side)驅(qū)動(dòng)器和低端(Low-Side)驅(qū)動(dòng)器。高端表示M
關(guān)鍵字：安森美 MOSFET 變壓器硅芯片

　　Avago Technologies(安華高科技)今日宣布，公司提供的關(guān)鍵知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP, Intellectual Property)已經(jīng)幫助Juniper Networks公司成功進(jìn)行高性能硅芯片器件產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，這些新設(shè)計(jì)為帶來(lái)Juniper公司MX-3D平臺(tái)Junos® Trio芯片組的一部分。Avago為提供通信、工業(yè)和消費(fèi)性等應(yīng)用模擬接口元器件之全球領(lǐng)導(dǎo)廠商。　　每個(gè)器件都擁有接近100個(gè)SerDes串行/解串器通道，并且可以推動(dòng)松散背板通道和多重背板連接器，除了展現(xiàn)出同級(jí)產(chǎn)品最
關(guān)鍵字： Avago 硅芯片 IP

　　德國(guó)卡爾斯魯爾大學(xué)日前宣布，該校的一個(gè)國(guó)際研究小組成功研制出目前世界上最快的超速硅芯片，這種芯片可以同時(shí)處理260萬(wàn)個(gè)電話(huà)數(shù)據(jù)，其運(yùn)算速度是目前記錄保持者英特爾芯片的4倍。據(jù)卡爾斯魯爾大學(xué)該項(xiàng)目負(fù)責(zé)人約爾格·勞特霍德介紹，這一芯片的研制成功得益于新材料技術(shù)和硅片技術(shù)的集合。為實(shí)現(xiàn)超速數(shù)據(jù)處理，研究人員開(kāi)發(fā)了一種有機(jī)材料，使其具有前所未有的高光學(xué)質(zhì)量和傳輸光學(xué)信號(hào)的能力。另外，研究人員還找到了一種方法，使這種材料可以與芯片技術(shù)集成而制成只有手指甲大小的芯片。　　人們?cè)缇土私獾焦鈱W(xué)介質(zhì)處
關(guān)鍵字：硅芯片硅片

　　一個(gè)由歐、美兩地研究人員所組成的團(tuán)隊(duì)，讓達(dá)到100Gbps的硅芯片上傳輸速度成為可能;該技術(shù)將特別有益于電信產(chǎn)業(yè)，并為全球不斷增加的網(wǎng)絡(luò)信息流量獲得緩解之道。　　該研究團(tuán)隊(duì)成員分別來(lái)自瑞士ETH大學(xué)、比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)IMEC、美國(guó)Lehigh大學(xué)，以及德國(guó)Karlsruhe大學(xué);他們成功制造出一種具備高度非線(xiàn)性特征、超高速的光波導(dǎo)(opticalwaveguide)架構(gòu)。　　由于在這類(lèi)組件中，光子信號(hào)不必再轉(zhuǎn)換成電子信號(hào)，因此被視為是達(dá)成全光學(xué)信號(hào)傳輸?shù)年P(guān)鍵組件。為了達(dá)成這個(gè)目標(biāo)，研究人員采用S
關(guān)鍵字：硅芯片 CMOS

東洋紡在“JPCAShow2007”（2007年5月30日～6月1日，東京有明國(guó)際會(huì)展中心）上，展出了線(xiàn)膨脹系數(shù)與硅芯片相同的聚酰亞胺薄膜“Zenomax”。原來(lái)的聚酰亞胺薄膜的線(xiàn)膨脹系數(shù)為20～30ppm/℃，而新開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品則與硅片相同，僅為3ppm/℃。因此，由溫度變化導(dǎo)致的硅芯片與聚酰亞胺之間的剝離就不易產(chǎn)生，東洋紡認(rèn)為可將聚酰亞胺作為封裝底板使用。 Zenomax還具有高耐熱性特點(diǎn)。原來(lái)的聚酰亞胺的耐熱溫度為350℃，而此次開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品為500℃。&nb
關(guān)鍵字：東洋紡硅芯片聚酰亞胺薄膜

　　日前，Sontec 公司宣布推出多款采用德州儀器EPC Gen 2 IC 芯片的貼裝金屬標(biāo)簽與針對(duì)金屬的 RFID 應(yīng)答器。　　　　根據(jù)當(dāng)前 TI 與 Sontec 達(dá)成的協(xié)議，TI 將向 Sontec 提供 1,000 萬(wàn)片射頻識(shí)別 (RFID) Gen 2 芯片，
關(guān)鍵字： EPC Gen2 RFID Sontec TI 標(biāo)簽硅芯片貼裝金屬通訊網(wǎng)絡(luò) 無(wú)線(xiàn)

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