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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章 最新資訊

英飛凌推出第二代ThinQ! 碳化硅肖特基二極管

  • 　　英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能，而且采用全隔離封裝，無需使用隔離套管和隔離膜，使安裝更加簡易、可靠。 　　獨具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的內(nèi)部結到散熱器的熱阻與標準非隔離TO-220器件類似。這要歸功于英飛凌已獲得專利的擴散焊接工藝，該技術大大降低了內(nèi)部芯片到管腳的熱阻，有效地彌補了FullPAK內(nèi)部隔離層的散
  • 關鍵字： 英飛凌  肖特基二極管  SiC  

電壓高（120VP-P）的功率MOSFET放大器

  • 電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級均為推挽對稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時間常數(shù)基本相等的脈沖響應以及
  • 關鍵字： MOSFET  VP-P  120  電壓    

高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器

  • 電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
  • 關鍵字： MOSFET  高頻特性  放大器    

英飛凌推出新型ThinPAK 8x8無管腳SMD

  • 　　英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米(D2PAK的占板空間為150平方毫米)，高度僅為1毫米(D2PAK的高度為4.4毫米)。大幅縮小的封裝尺寸結合低寄生電感，使設計者能以全新方式有效降低高功率密度應用所需的系統(tǒng)解決方案尺寸。 　　全新封裝采用表面貼裝方式，在8x8毫米的無管腳封裝內(nèi)，貼裝業(yè)界標準TO-220晶粒，并具備金屬裸焊盤，便于內(nèi)部高效散熱。其低矮外形便于設計者設計出更薄的電源外殼，滿足當今市場對時
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  SMD  ThinPAK   

MOSFET的UIS及雪崩能量解析

  • 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設計電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應用有什么樣的聯(lián)系，如何在實際的應用中評
  • 關鍵字： 解析  能量  雪崩  UIS  MOSFET  

基于功率MOSFET設計考量

  • 用作功率開關的MOSFET
    隨著數(shù)十年來器件設計的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓撲和電源效率的提升。功率器件從電流驅動變?yōu)殡妷候寗樱涌炝诉@些產(chǎn)品的市場滲透速度。上世紀80年代，平面柵極功率MOSFET
  • 關鍵字： 考量  設計  MOSFET  功率  基于  

Vishay推出30V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAK? 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si7625DN。在這種電壓等級和3.3mmx3.3mm占位面積的P溝道MOSFET中，該器件的導通電阻是最低的。 　　新款Si7625DN可用于筆記本電腦、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負載和電池開關。適配器開關(在適配器、墻上電源和電池電源之間切換)通常是開啟并且吸收電流。Si7625DN更低的
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  PowerPAK  TrenchFET  

集成式解決方案提高功率調(diào)節(jié)器的效率

  • 　　引言 　　通信電路板常常采用負載點(PoL)DC-DC轉換器來為數(shù)字IC (FPGA、DSP 及 ASIC) 供電。一般而言，一個48V的背板采用中間總線架構(IBA)作為電路板的輸入電源，為不同負載點(PoL)供電，而中間電壓通常選為12V(見圖1)。這種傳統(tǒng)方案包含一個分立式PoL，該PoL是以分立的方式使用控制器、驅動器和MOSFET。由于該方案需要額外的設計和制造時間，故半導體供應商目前開始轉而采用完全集成的調(diào)節(jié)器解決方案，以期縮短上市時間，減小PCB空間，并使終端應用達到更高的效率水平。本
  • 關鍵字： Fairchild  電源設計  MOSFET  

英飛凌第二財季扭虧為盈 凈利潤1.042億美元

  • 　　據(jù)國外媒體報道，歐洲第二大芯片制造商英飛凌(Infineon Technologies AG)近日公布的財報顯示，結束于3月份的本財年第二財季凈利潤為7900萬歐元(約合1.042億美元)，去年同期虧損2.39億歐元;第二財季營收為 10億歐元，同比增長55%。 　　第二財季凈利潤好于分析師預期，營收與分析師預期相當。據(jù)彭博社調(diào)查的分析師此前曾預計，該公司第二季度經(jīng)調(diào)整凈利潤7130萬歐元。第二財季為英飛凌連續(xù)第三季度實現(xiàn)盈利，而在那之前10個季度該公司累計虧損額高達39億歐元。 　　英飛凌上調(diào)了
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  

Vishay推出P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內(nèi)，這款20V器件提供業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET最低的導通電阻。 　　新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術的首款芯片級產(chǎn)品。這種最先進的技術能夠實現(xiàn)超精細、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET所能實現(xiàn)的最低導通電阻減小了一半：在4.5V、2
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  TrenchFET  

英飛凌與飛兆半導體達成功率MOSFET兼容協(xié)議

  • 　　英飛凌科技股份公司與飛兆半導體公司近日宣布，兩家公司就采用Power Stage 3x3和MLP 3x3 (Power33™)封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協(xié)議。 　　兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉換效率和熱性能的需求。這項協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術，為3A至20A的DC-DC應用提供非對稱MOSFET、雙MOSFET和單MOSFET。 　　英飛凌低壓MOSFET產(chǎn)品總監(jiān)兼產(chǎn)品線經(jīng)理Richard Kuncic表示：“我們的客戶將從功
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  飛兆半導體  

Maxim推出內(nèi)置28V MOSFET的雙向過流保護器

  • 　　Maxim推出內(nèi)置28V MOSFET的雙向過流保護器MAX14544/MAX14545，有效避免主機因過載故障和/或輸出過壓而損壞。器件本身的集成功能，結合開關斷開狀態(tài)下輸出端較高的耐壓能力，使其成為外設供電端口保護的理想選擇。目標應用包括：蜂窩電話、MID (移動互聯(lián)網(wǎng)設備)、電子書及其它外掛配件的便攜設備。 　　MAX14544/MAX14545的正向限流值可在200mA和400mA的工廠預置門限之間選擇，反向限流值設置為150mA。器件采用2mm x 2mm、8引腳TDFN無鉛封裝，工作在-
  • 關鍵字： Maxim  MOSFET  過流保護器  

NXP發(fā)布以LFPAK為封裝全系列汽車功率MOSFET

  • 　　恩智浦半導體(NXP?Semiconductors)近日成為首個發(fā)布以LFPAK為封裝(一種緊湊型熱增強無損耗的封裝)全系列汽車功率MOSFET的供應商。結合了恩智浦在封裝技術及TrenchMOS技術方面的優(yōu)勢和經(jīng)驗，新的符合Q101標準的LFPAK封裝MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)被認為是世界上高度可靠的功率SO-8封裝。LFPAK封裝針對高密度汽車應用進行了優(yōu)化，其面積比DPAK封裝減小了46%而具有與DPAK封裝近似的熱性能。 　　隨著對電子應用不斷增長的消費需求，汽車
  • 關鍵字： NXP  MOSFET  LFPAK  

飛兆半導體和英飛凌科技達成功率MOSFET兼容協(xié)議

  • 　　全球領先的高性能功率和移動產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協(xié)議。 　　兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉換效率和熱性能的需求。這項協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術，為3A至20A的DC-DC應用提供非對稱、單一n溝道MOSFET。 　　飛兆半
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  DC-DC  

飛兆半導體和英飛凌科技達成功率MOSFET兼容協(xié)議

  • 　　全球領先的高性能功率和移動產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協(xié)議。 　　兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉換效率和熱性能的需求。這項協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術，為3A至20A的DC-DC應用提供非對稱、單一n溝道MOSFET。 　　飛兆半
  • 關鍵字： Fairchild  MOSFET  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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