- 4年前的2016年，國家在武漢建設了國家存儲器基地項目一期，不僅量產了64層閃存，今年初還研發成功128層QLC閃存。昨天國家存儲器基地項目二期也在武漢東湖高新區未來科技城正式啟動，整個項目投資高達240億美元，約合1697億元。在開工儀式上，紫光集團、長江存儲董事長趙偉國介紹了項目有關情況。他表示，國家存儲器基地項目一期開工建設以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領先的存儲器芯片工廠，實現了技術水平從跟跑到并跑的跨越。趙偉國表示，國家存儲器基地項目于2016年12月30日開工，計劃分兩期建設3D NAND
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國產 128層 QLC 閃存
- 據國外媒體報道，三星電子日前表示，計劃投資8萬億韓元（約合人民幣466億元）在韓國平澤工業園區建NAND閃存生產線。三星電子生產線建設上月已經開始，預計2021年下半年開始生產三星最先進的V-NAND產品。三星電子表示，此次投資旨在應對隨著人工智能、物聯網等第四次工業革命，以及5G普及而來的NAND需求。上月，三星電子還透露，已在平澤投資建設生產線，新產線專注于基于極紫外光刻（EUV）技術的5nm、及以下制程。新產線已開始建設，預計明年下半年開始量產5nm芯片。三星電子表示，加上平澤生產線，韓國將擁有7條
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三星 NAND 閃存
- 來自統計機構TrendForce的最新統計顯示,剛過去的一季度,主要NAND閃存廠商的營收均有所增長,整體規模達到135億美元,環比增加8.3%。品牌排名方面,三星依舊領銜,營收45億美元,環比增加1.1個百分點,市場份額33.3%。KIOXIA(鎧俠,原東芝存儲)緊隨其后,營收25.66億美元,環比增加9.7%。市場份額19%。3~6名分別是西數、美光、SK海力士和Intel,營收20億美元(份額15.3%)、15億美元(11.2%)、14.4億美元(10.7%)和13億美元(9.9%)。報告稱,一季度
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固態硬盤 閃存 SSD
- 長江存儲近日宣布,已經攻克128層堆疊3D QLC閃存技術,單顆容量做到1.33Tb,創造單位面積存儲密度、I/O傳輸速度、單顆芯片容量三個世界第一,首次躋身全球第一隊列水平。當前,整個閃存行業都在全面轉向100+層堆疊,其中東芝、西部數據是112層,美光、SK海力士是128層,三星是136層,Intel則做到了144層。中國的突破顯然讓國際巨頭們有些不安,紛紛開始提速。三星日前就宣布,正在研發160層及以上的3D閃存,將成為第七代V-NAND閃存的基礎。在今天的第一季度財務會議期間,同樣來自韓國的SK海
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閃存 SK海力士 長江存儲
- 從去年下半年到現在,內存閃存的漲價讓存儲廠商重新過上了好日子,想降價只能靠中國廠商了。上周國內的長江存儲宣布攻克128層堆棧的QLC閃存,性能、容量、密度三項世界第一,預計今年底量產。據介紹,長江存儲的128層QLC 3D NAND 閃存(型號:X2-6070)是業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存,擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。此次同時發布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規格閃存芯片(
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閃存 QLC閃存 長江存儲
- 全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社近日宣布推出RX產品家族新成員——32位RX72N產品組和RX66N產品組，其單個芯片集成了設備控制與網絡連接。RX72N基于瑞薩專有的RXv3 CPU內核，具備240MHz最大工作頻率及雙以太網通道；RX66N具備120MHz最大工作頻率及單個以太網通道。在工業設備領域，性能與功能的不斷升級導致程序代碼愈加龐大。因此，存儲容量和讀取速度是決定實時性能的關鍵因素。全新RX72N和RX66N提供高達4MB片上閃存，可達到業界最高的120MHz讀取頻率，同時具備1
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閃存 芯片
- 在NAND閃存市場,三星、東芝、西數、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產能,留給其他廠商的空間并不多。國內公司中,兆易創新表示能做38nm的SLC閃存,還在推進24nm閃存研發。前不久兆易創新發布了2019年報,去年營收32億元,同比增長42%,凈利潤6.07億元,同比大漲50%。兆易創新的主要有三大業務,最主要的是NOR閃存,全球市場份額在去年Q3季度上升到了第三,主要生產工藝為65nm節點,另有部分55nm工藝產品。兆易創新的NOR閃存累計出貨量超過100億顆,目前依然供不應求
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國產 閃存 SLC
- 今天國產的存儲芯片行業發生異動,傳聞紫光旗下的紫光存儲解散,相關人員要合并到長江存儲中。隨后這兩家公司分別發表聲明,辟謠相關報道。存儲芯片是近年來國產半導體發展的重中之重,畢竟一年進口的內存及閃存芯片超過1000億美元,份量極大,而紫光主導的幾家存儲公司是重點,尤其是長江存儲,去年首發量產了國產3D閃存。最新的爆料稱,紫光存儲公司解散,未來重點轉向DRAM內存,大部分員工正等著長江存儲挑選,沒有挑中的就要自謀生路。針對這一消息,紫光存儲方面已經發表了聲明,否認公司解散,但承認公司業務有所調整。紫光存儲表示
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內存 閃存 長江存儲
- 三星近日宣布開始量產512GB eUFS 3.1芯片，其連續寫入速度超過1.2GB/s，是其前代產品寫入速度的3倍。
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三星 512GB 閃存
- 為了扶植半導體發展,多部門推動成立了“國家集成電路產業投資基金”,也就是大基金,一期已經完成,二期大基金規模高達2041億元,今年3月份將開始實質投資。此前,國家集成電路產業投資基金(2014.09-2018.05)已經投資完畢,共募得普通股987.2億元,同時發行優先股400億元,總投資額為1387億元(相比于原先計劃的1200億元超募15.6%),公開投資公司為23家,累計有效投資項目達到70個左右。據報道,大基金一期投資范圍涵蓋集成電路產業上、中、下游各個環節,其中67%的投資投向了半導體制造,包括
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閃存 基金 長江存儲
- 3D閃存在2020年將全面升級到100+層堆棧,128層會是很多廠商的選擇,再加上QLC閃存的普及,閃存及SSD硬盤的容量會進一步增加,同時降低成本。不過新一代閃存的問題在于性能及可靠性都在下降了,以至于很多玩家都在反感QLC閃存,就像當年反感TLC閃存一樣。有沒有性能更強、可靠性更高的存儲芯片?這也是有的,美光、Intel在2015年聯合宣布的3D XPoint就是一種革命性的存儲芯片,基于PCM相變存儲技術,原理跟NAND閃存就不同,所以當時Intel、美光宣稱它具備1000倍于閃存的性能、1000倍
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閃存 QLC閃存
- 半導體行業因為種種原因，非常容易收到外來因素的影響。近日根據調查數據顯示，在剛過去的1月份，內存和閃存芯片在上游的交易價均有一定幅度的上漲。其中，8Gb(1GB)DDR4-2133 PC內存內存環比上漲1.07%，均價來到2.84美元，128Gb MLC閃存顆粒價格環比上漲3.17%，均價來到4.56美元。
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內存 閃存
- 集邦科技旗下下半導體研究中心DRAMeXchange今天發表報告,稱國內的內存及閃存工廠并沒有受到疫情的影響,目前沒有部分或者全面停產的跡象,生產情況正常,而且Q1季度的合約價已經談完了,預計會小幅上漲。國內的存儲芯片工廠主要分為海外投資及自主國產兩部分,其中海外投資的主要是無錫的SK海力士內存工廠、大連的Intel閃存工廠、西安的三星閃存工廠,這些地方都遠離武漢,正常生產沒有受到影響。國產的存儲芯片工廠中,合肥長鑫的內存工廠、福建晉華的內存工廠也同樣沒受到什么影響,只有紫光旗下的長江存儲是在武漢的,不過
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內存，閃存
- 武漢的疫情不僅影響了很多人的正常生活，也對武漢的一些企業帶來考驗，國內有60多家上市公司位于武漢，小米、京東方、天馬等公司都在武漢有生產基地。關心國產閃存的玩家也應該知道長江存儲總部也在武漢，該公司日前回應稱國產閃存生產有序進行，公司會將員工健康作為第一事項考慮。長江存儲表示，始終堅持“人員安全第一”原則，嚴格按照政府規定保障員工的安全，延緩外地員工的返崗時間，并在條件允許的情況下鼓勵遠程辦公，對在崗員工做好防疫宣傳，發放口罩，體溫檢測，加強消毒，動線隔離等工作。對于原材料供應和物流方面，目前長江存儲公司
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閃存 長江存儲
- 最近一段時間來，內存、閃存漲價的消息搞的玩家心慌慌，2020年5G智能手機、數據中心、AI等市場對存儲芯片的要求更高了。值得注意的是，今年微軟、索尼還會推出新一代主機PS5、Xbox Series X，它們也會用上16GB內存及TB級SSD，也會爭搶內存閃存份額。
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閃存 PS5
閃存 介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的字節為單位而是以固定的區塊為單位，區塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [
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